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西数与铠侠闪存业务合并 打造全球最大NAND制造商(2023-10-17 14:27)
闪存领域的竞争力,挑战三星的市场领导者地位,同时也会对SK海力士和美国构成更大的挑战。不过,两家厂商在合并的道路上仍会面临许多挑战,比如全球各地监管机构的审查,以及竞争对手及相关利益者的反对。此外......
西数与铠侠闪存业务合并 打造全球最大NAND制造商(2023-10-16)
闪存领域的竞争力,挑战三星的市场领导者地位,同时也会对SK海力士和美国构成更大的挑战。
不过,两家厂商在合并的道路上仍会面临许多挑战,比如全球各地监管机构的审查,以及竞争对手及相关利益者的反对。
此外......
基于EUV光刻机,三星宣布率先量产12nm DRAM(2023-05-24)
据三星电子公布的消息,这批12nm DRAM使用EUV光刻设备量产,较14nm DRAM生产效率提升了约20%,功耗也降低了23%。
与此同时,SK海力士......
三星承认:芯片业务面临危机,誓言卷土重来(2024-05-31)
的激烈竞争,SK 海力士在高带宽内存 ( HBM ) 市场已经超越了三星。
三星希望成为全球最大的HBM供应商。由于AI芯片市场的爆发式增长,HBM芯片的需求量巨大。
全永......
SK海力士专注扩大eSSD市场份额(2024-11-19)
正在引领SK海力士的盈利提升。
第三季度,SK海力士超过60%的NAND销售额来自eSSD。
高利润eSSD的销......
半导体市场虽不景气,三星电子仍然摘得桂冠,行业复苏号角已吹响(2023-08-09)
,在第二季度财报电话会议上,三星电子和SK海力士均透露了进一步减产的计划,重点关注以NAND为中心的业务。
西数凯侠将合并,超越三星......
存储市场遇寒冬 Q1半导体营收英特尔超越三星居第一(2023-06-30)
储市况不佳影响,半导体厂商第一季度营收排名出现变化,英特尔超越三星跃居第一,三星排名第二,SK海力士、美光均跌出前10名......
三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片,采用双堆叠工艺(2023-08-19)
开始首次采用双堆叠技术。
近日,SK海力士宣布计划于2025年开始量产321层3D NAND,这让三星和许多业内专家都感到惊讶。SK海力士与三星战略的不同之处在于,它将采用三重堆叠技术,涉及......
韩国半导体比想象中更强大,相关出口创近期新高(2017-07-18)
,三星在2016年四季度仍然是DRAM内存产业的一哥,市场占有率高达47.5%。
而另一家韩国存储厂商SK海力士的表现同样出色,其2016年第四季营收达33亿美元,市场占有率上升至26.7%,全球......
铠侠与西部数据合并谈判以失败告终(2023-10-30)
可以选择将其可转换债券转换为普通股,从而获得最多15% 的投票权。
数据显示,在NAND Flash市场上,SK海力士为仅次于三星的全球第2大厂,而全球第3大厂铠侠和第4大厂西部数据合并的话,规模将直逼三星......
三星利润暴跌96% 被迫减产(2023-04-10)
和SK海力士拒绝减产有关。
根据TrendForce的数据显示,在2022Q4 NAND
Flash市场,三星的市场份额为33.8%,远高于排在前后的铠侠(19.1%)、SK海力士......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓(2024-06-19)
和西部数据目前已全面恢复生产。三星的NAND闪存产能已攀升至70%左右,而SK海力士正在加大高容量NAND产品的生产,例如高容量eSSD。第三大NAND闪存生产商西部数据将其生产利用率提高至90%左右......
削减30%!传SK海力士大幅裁减团队规模(2022-12-28)
芯片制造商正在积极调整生产并减少新产能投资,以应对内存价格的下降。
SK海力士此前已宣布,计划在2023年将资本支出同比削减50%(估计为17.47万亿韩元),并削减DRAM和NAND的产量(主要是传统产品)。
此外,铠侠已于今年10......
突发!美国宣布彻底放开这个限制(2023-10-10)
都在中国的芯片设施投入数十亿巨资,中国也是韩国芯片的大客户。
据悉,三星电子大约 40% 的 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产,SK 海力士大约 40% 的 芯片在无锡生产,20% 的
NAND 闪存......
机构:英特尔为Q2全球最大半导体公司,英伟达超三星居第二(2023-09-15)
份额达到10%;英伟达超越三星,以9%的份额首次位居第二,而三星由于存储芯片市场低迷,市场占比8%跌至第三名。
据研......
层数竞赛下,今年全球闪存资本支出可望达299亿美元新高(2022-03-21)
些时候,三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是(并将成为)领先NAND的关键制造基地,拥有两个晶圆厂,每个......
遭SK海力士反对,铠侠与西部数据并购恐生变(2023-10-18)
于间接持有铠侠股份的SK海力士的反对,银行也在做出调整。
数据显示,在NAND Flash市场上,SK海力士为仅次于三星的全球第2大厂,而全球第3大厂铠侠和第4大厂西部数据合并的话,规模将直逼三星,且将与退居第3大的SK......
Q1利润暴跌96%!三星宣布减产,存储市场能否触底回升?(2023-04-07)
市场的持续下滑,也与市场份额更高的三星和SK海力士拒绝减产有关。
根据TrendForce的数据显示,在2022Q4 NAND Flash市场,三星的......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存:沿用双层堆栈架构,超 300 层(2023-08-18)
用双层堆栈架构,超过 300 层。
报道称,这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年,三星......
全球存储市场在竞争什么?(2023-02-03)
厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。业界担心,三星主导地位未来将被动摇。在这之下,未来存储器市场格局是否将发生改变?
01层数之争火势更旺
美光、SK海力士、三星等厂商一直不断地追逐NAND闪存......
不堪压力 传SK海力士、三星砍单硅晶圆(2023-01-12)
不堪压力 传SK海力士、三星砍单硅晶圆;
【导读】根据统计,三星与SK海力士是全球前两大DRAM厂,两家公司全球DRAM市占合计近七成;若以NAND Flash来看,三星与SK集团......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕(2023-10-10)
等 巨头正积极备战 1γ 技术。本文引用地址:
图源:SK 海力士
目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代,美光将其称为 1β DRAM,而三星将其称为 1b DRAM。
美光于去年 10......
抢东芝半导体,鸿海还有机会?(2017-03-28)
光科技有可能成为NAND市场的龙头,超越三星电子。
东芝若是选择西部数据、SK 海力士及美光科技这些同行,作为它出售存储部门的对象,则在出售的过程中,将面临冗长的拖拉斯审查程序,这对需款孔急的东芝而言,恐怕......
存储芯片价格有望很快反弹,三星、SK海力士受益AI热潮(2023-10-19)
可能很快就会凭借自己的尖端HBM芯片分得更大一杯羹。如果三星的股价表现开始追随SK海力士,那将......
存储大厂业绩高于预期(2024-03-22)
目前来看这些订单量均无法取消(non-cancellable)。
以HBM产能来看,TrendForce集邦咨询观察,三星、SK海力士(SK hynix)至今年底的HBM产能规划最积极,三星HBM......
希捷携 SK 海力士组公司合攻 SSD,存储版图将掀大浪?(2016-12-13)
龙头厂商西数与现在的希捷,无不为此与握有 SSD 重要原料 NAND Flash 厂商 SanDisk、SK 海力士合作。
以希捷而言,在今年第一季 HDD 出货量大减 20% 跌破 4,000 万台......
HBM影响,DDR5价格恐涨20%(2024-06-18)
业界对于NAND增产较趋于谨慎,但三大厂增加DRAM产能已经持续进行。
HBM产能消耗庞大,虽然SK海力士和美光瓜分HBM3E......
三星2022年四季度利润大跌69%,或将被迫减产存储芯片(2023-01-10)
存储市场形势的好转。
值得注意的是,三星的竞争对手 SK 海力士在 2022 年 10 月公布的 2022 年第三季财报就显示,其营业利润较 2021 年同期下滑了 60%。对此,SK 海力士表示,这情......
美国豁免后三星升级西安半导体工厂设备工艺(2023-10-19)
都在中国的芯片设施投入数十亿巨资,中国也是韩国芯片的大客户。
据悉,三星电子大约 40% 的 NAND 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产,SK 海力士大约 40% 的 DRAM 芯片在无锡生产,20......
SK海力士展示300层NANDFlash,最快2024年问世(2023-03-21)
SK海力士展示300层NANDFlash,最快2024年问世;SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。
据tomshardware报道,SK海力士......
三星存储芯片大涨价!NAND 产品涨幅超 10%(2023-10-08)
开始同为韩国存储巨头的 SK 海力士带头宣布减产,三星存储也在今年年初跟进,并在 4
月宣布扩大减产幅度,目前来看 DRAM 芯片的价格终于回升,但 NAND 芯片......
英特尔重返半导体行业第一!三星暴跌38%痛失霸主宝座(2024-01-30)
收入下滑15%至505亿美元(约合3626亿元人民币),但由于降幅没有三星那么多,因此成功超越三星登顶第一。
而三星半导体部门的收入咋大幅下降了38%至434亿美元(约合3116亿元人民币),位居......
三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash(2023-10-19)
创建超过 1000 层的 3D NAND。消息显示,未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。
值得一提的是,今年8月初,SK海力士......
减产/扩产?存储市场释放新信号(2024-11-25)
媒和存储厂商最新消息,由于消费电子市场复苏不及预期,包括三星、SK海力士、铠侠开始酝酿减产以应对变化。具体减产措施上,三星、铠侠拟于2025年开始对NAND进行减产,预计依照市场况状进行分阶段减产。SK海力士......
存储大厂展示300层NAND Flash,预计最快2024年问世(2023-03-21)
Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。
外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash......
SK海力士发布300层堆叠NAND Flash(2023-03-21)
更快的输入和输出速度下,有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。
新 NAND 的位密度增加近一倍,意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低 SK 海力士......
价格暴降创十年来最严重亏损!存储芯片行业震荡下巨头如何“过冬”?(2023-02-09)
季度,三星、SK海力士和美光占据了96%左右的DRAM份额;在2022年三季度的NAND Flash市场上,三星、铠侠、西部数据、海力士、美光占据了超过95%的市......
大摩:四大因素看好存储产业后续发展(2024-03-27)
来的目标是进入第二季之后,分别提升至90%和70%。SK海力士的产能利用率则是略高,其中第一季DRAM为90%,NAND Flash为70......
存储大厂不堪承压?美光资本支出削减30%,铠侠减产30%,三星...(2022-10-10)
价格迅速下跌,存储大厂SK海力士、美光、铠侠业绩波动巨大,纷纷祭出减产或放缓投资等紧急举措应对市场变化,而三星或有意反其道而行。
内闪存价格跌幅或持续扩大
内存价格方面,据TrendForce集邦......
NAND闪存三十五年,看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
NAND在2015年才问世。此后数年,英特尔与美光、东芝(铠侠)、SK海力士以及三星在追逐更高密度,更高层数的道路上一刻也不停歇。
2014年,三星研发出32层,第二年SK海力士就研发出36层......
SK海力士重磅消息:NAND Flash达到300层,“两王”之争谁是上风?(2023-03-23)
要应用市场,数据中心和汽车电子需求在不断提升。
全球NAND Flash市场由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士主导,其中,三星市占率最高,达到34......
韩国成立半导体希望基金,狙击中国存储?(2016-11-04)
,尤其是新近新近兴起的3D NAND Flash 。
中国的目标是到2020 年存储芯片自给率达到40% ,这将会触犯三星和SK 海力士为首的韩国半导体业者的利益。
从韩......
韩国成立半导体希望基金,狙击中国存储?(2016-11-03)
是新近新近兴起的3D NAND Flash 。
中国的目标是到2020 年存储芯片自给率达到40% ,这将会触犯三星和SK 海力士为首的韩国半导体业者的利益。
从韩......
NAND闪存市场:回暖尚待观望,格局变化已在路上(2023-04-03)
支出将保持2022年水平不再增加。美光、铠侠和SK海力士等自去年10月便开始减产。西部数据亦于2月份表示将把NAND闪存晶圆产量减少30%。三星、SK海力士、铠侠、西部数据、美光囊括近95%的NAND闪存......
存储原厂交出亮眼财报,2021大动作回顾(2021-11-05)
基于行业领先的极紫外(EUV)技术的下一代产品来提高成本竞争力。同时,三星还将继续扩大15纳米DRAM和128层V-NAND的部分,积极应对服务器市场,并抢占安全NAND解决方案产品的需求。
SK海力士......
约谈两次就为让三星内存给中国厂商打个折?(2022-12-28)
%。
集邦科技对全球及三星DRAM产能的预估
市场调研机构SEMI则表示,SK海力士的M14生产线与美光在广岛的Fab 15和Fab 16也都......
消息指SK海力士加速NAND研发,400+层闪存2025年末量产就绪(2024-08-01)
NAND 闪存到 276 层用时 2 年,三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。
韩媒在报道中还提到,SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D......
闪存领先遭强力挑战,三星投180亿美元到芯片产业(2017-07-05)
亿扩充芯片市场,有意而为之?
在SK海力士挑战的消息传出之后,北京时间7月4日上午消息,韩国三星电子有限公司本周二表示,计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元),以巩......
国产存储芯片打破美日韩垄断还要多久?(2017-08-10)
部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期,三星最早投入3D NAND,到2016年底生产比重才突破35%,东芝、美光、SK海力士几家占比更是不 到10%,从而......
SK海力士三季度净亏损2.1847万亿韩元!反对铠侠和西部数据合并!(2023-10-27)
份。
根据市场数据,截至上个季度,铠侠公司在NAND闪存的市场份额为19.6%,西部数据占据了14.7%的市场份额,相加之下不仅超过了SK海力士的17.8%,还超越了排名第一的三星......
相关企业
;深圳市科乐微电子商行;;深圳市科乐微电子商行 经营品牌 三星samsung、海力士SK hynix、镁光micron、东芝Toshiba、闪迪Sandisk、南亚Nanya、金士顿Kingston
;深圳市弘晟达科技有限公司;;深圳市弘晟达科技有限公司经营品牌Qualcomm高通、MTK联发科、闪迪Sandisk、三星samsung、海力士SK hynix、东芝TOSHIBA、镁光micron
;海奇电子;;主营 三星,海力士memory
全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础,每年
;深圳市博瑞成电子有限公司;;专注于MXIC(旺宏),WINBOND(华邦),EON(易扬),GD(兆易创新),ESMT(晶豪),ETRON(钰创),SK Hynix(海力士),SAMSUNG(三星
主要代理和经销各大品牌MEMORY存储芯片,海力士(SK HYNIX)半导体、台湾南亚科技(NANYA),三星(SUMSUNG),镁光(MICRON),英特尔(INTER),东芝(TOSHIBA),(主营
主要代理和经销各大品牌MEMORY存储芯片,海力士(SK HYNIX)半导体、台湾南亚科技(NANYA),三星(SUMSUNG),镁光(MICRON),英特尔(INTER),东芝(TOSHIBA),(主营
;深圳市合德泰科技有限公司;;深圳市合德泰科技有限公司是一家代理经销世界各品牌半导体,凭着公司良好信誉及强大实力,三星(SAMSUNG)、东芝( TOSHIBA )、镁光(MICRON)、海力士
;深圳市腾扬伟业电子有限公司;;本公司是一家专业销售存储IC, 主要经营优势品牌:SAMSUNG三星,SK hynix现代海力士,MICRON美光,WINBOND华邦,NANYA南亚
、 DDR3、GDDR、 MOBILE SDRAM、NAND FLASH、 EMMC 、ARM、 LPDDR等存储器芯片的销售.经营品牌有三星SAMSUNG、海力士SK hynix、 镁光MICRON、 南亚