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闪存领域的竞争力,挑战三星的市场领导者地位,同时也会对SK海力士和美国构成更大的挑战。不过,两家厂商在合并的道路上仍会面临许多挑战,比如全球各地监管机构的审查,以及竞争对手及相关利益者的反对。此外......
闪存领域的竞争力,挑战三星的市场领导者地位,同时也会对SK海力士和美国构成更大的挑战。 不过,两家厂商在合并的道路上仍会面临许多挑战,比如全球各地监管机构的审查,以及竞争对手及相关利益者的反对。 此外......
三星电子公布的消息,这批12nm DRAM使用EUV光刻设备量产,较14nm DRAM生产效率提升了约20%,功耗也降低了23%。 与此同时,SK海力士......
的激烈竞争,SK 海力士在高带宽内存 ( HBM ) 市场已经超越了三星三星希望成为全球最大的HBM供应商。由于AI芯片市场的爆发式增长,HBM芯片的需求量巨大。 全永......
正在引领SK海力士的盈利提升。 第三季度,SK海力士超过60%的NAND销售额来自eSSD。  高利润eSSD的销......
,在第二季度财报电话会议上,三星电子和SK海力士均透露了进一步减产的计划,重点关注以NAND为中心的业务。 西数凯侠将合并,超越三星......
储市况不佳影响,半导体厂商第一季度营收排名出现变化,英特尔超越三星跃居第一,三星排名第二,SK海力士、美光均跌出前10名......
开始首次采用双堆叠技术。 近日,SK海力士宣布计划于2025年开始量产321层3D NAND,这让三星和许多业内专家都感到惊讶。SK海力士与三星战略的不同之处在于,它将采用三重堆叠技术,涉及......
三星在2016年四季度仍然是DRAM内存产业的一哥,市场占有率高达47.5%。 而另一家韩国存储厂商SK海力士的表现同样出色,其2016年第四季营收达33亿美元,市场占有率上升至26.7%,全球......
可以选择将其可转换债券转换为普通股,从而获得最多15% 的投票权。 数据显示,在NAND Flash市场上,SK海力士为仅次于三星的全球第2大厂,而全球第3大厂铠侠和第4大厂西部数据合并的话,规模将直逼三星......
SK海力士拒绝减产有关。 根据TrendForce的数据显示,在2022Q4 NAND Flash市场,三星的市场份额为33.8%,远高于排在前后的铠侠(19.1%)、SK海力士......
和西部数据目前已全面恢复生产。三星的NAND闪存产能已攀升至70%左右,而SK海力士正在加大高容量NAND产品的生产,例如高容量eSSD。第三大NAND闪存生产商西部数据将其生产利用率提高至90%左右......
芯片制造商正在积极调整生产并减少新产能投资,以应对内存价格的下降。 SK海力士此前已宣布,计划在2023年将资本支出同比削减50%(估计为17.47万亿韩元),并削减DRAM和NAND的产量(主要是传统产品)。 此外,铠侠已于今年10......
都在中国的芯片设施投入数十亿巨资,中国也是韩国芯片的大客户。 据悉,三星电子大约 40% 的 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产,SK 海力士大约 40% 的 芯片在无锡生产,20% 的 NAND 闪存......
份额达到10%;英伟达超越三星,以9%的份额首次位居第二,而三星由于存储芯片市场低迷,市场占比8%跌至第三名。 据研......
些时候,三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND三星位于中国西安的晶圆厂是(并将成为)领先NAND的关键制造基地,拥有两个晶圆厂,每个......
于间接持有铠侠股份的SK海力士的反对,银行也在做出调整。 数据显示,在NAND Flash市场上,SK海力士为仅次于三星的全球第2大厂,而全球第3大厂铠侠和第4大厂西部数据合并的话,规模将直逼三星,且将与退居第3大的SK......
市场的持续下滑,也与市场份额更高的三星SK海力士拒绝减产有关。 根据TrendForce的数据显示,在2022Q4 NAND Flash市场,三星的......
用双层堆栈架构,超过 300 层。 报道称,这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年,三星......
厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。业界担心,三星主导地位未来将被动摇。在这之下,未来存储器市场格局是否将发生改变? 01层数之争火势更旺 美光、SK海力士三星等厂商一直不断地追逐NAND闪存......
不堪压力 传SK海力士三星砍单硅晶圆; 【导读】根据统计,三星SK海力士是全球前两大DRAM厂,两家公司全球DRAM市占合计近七成;若以NAND Flash来看,三星SK集团......
等 巨头正积极备战 1γ 技术。本文引用地址: 图源:SK 海力士 目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代,美光将其称为 1β DRAM,而三星将其称为 1b DRAM。 美光于去年 10......
光科技有可能成为NAND市场的龙头,超越三星电子。 东芝若是选择西部数据、SK 海力士及美光科技这些同行,作为它出售存储部门的对象,则在出售的过程中,将面临冗长的拖拉斯审查程序,这对需款孔急的东芝而言,恐怕......
可能很快就会凭借自己的尖端HBM芯片分得更大一杯羹。如果三星的股价表现开始追随SK海力士,那将......
目前来看这些订单量均无法取消(non-cancellable)。 以HBM产能来看,TrendForce集邦咨询观察,三星SK海力士SK hynix)至今年底的HBM产能规划最积极,三星HBM......
龙头厂商西数与现在的希捷,无不为此与握有 SSD 重要原料 NAND Flash 厂商 SanDisk、SK 海力士合作。 以希捷而言,在今年第一季 HDD 出货量大减 20% 跌破 4,000 万台......
业界对于NAND增产较趋于谨慎,但三大厂增加DRAM产能已经持续进行。 HBM产能消耗庞大,虽然SK海力士和美光瓜分HBM3E......
存储市场形势的好转。 值得注意的是,三星的竞争对手 SK 海力士在 2022 年 10 月公布的 2022 年第三季财报就显示,其营业利润较 2021 年同期下滑了 60%。对此,SK 海力士表示,这情......
都在中国的芯片设施投入数十亿巨资,中国也是韩国芯片的大客户。 据悉,三星电子大约 40% 的 NAND 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产,SK 海力士大约 40% 的 DRAM 芯片在无锡生产,20......
SK海力士展示300层NANDFlash,最快2024年问世;SK海力士表示,3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。 据tomshardware报道,SK海力士......
开始同为韩国存储巨头的 SK 海力士带头宣布减产,三星存储也在今年年初跟进,并在 4 月宣布扩大减产幅度,目前来看 DRAM 芯片的价格终于回升,但 NAND 芯片......
收入下滑15%至505亿美元(约合3626亿元人民币),但由于降幅没有三星那么多,因此成功超越三星登顶第一。 而三星半导体部门的收入咋大幅下降了38%至434亿美元(约合3116亿元人民币),位居......
创建超过 1000 层的 3D NAND。消息显示,未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。 值得一提的是,今年8月初,SK海力士......
媒和存储厂商最新消息,由于消费电子市场复苏不及预期,包括三星SK海力士、铠侠开始酝酿减产以应对变化。具体减产措施上,三星、铠侠拟于2025年开始对NAND进行减产,预计依照市场况状进行分阶段减产。SK海力士......
Flash快闪存储器原型。SK海力士表示,3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。 外媒报导,SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash......
更快的输入和输出速度下,有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。 NAND 的位密度增加近一倍,意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低 SK 海力士......
季度,三星SK海力士和美光占据了96%左右的DRAM份额;在2022年三季度的NAND Flash市场上,三星、铠侠、西部数据、海力士、美光占据了超过95%的市......
来的目标是进入第二季之后,分别提升至90%和70%。SK海力士的产能利用率则是略高,其中第一季DRAM为90%,NAND Flash为70......
价格迅速下跌,存储大厂SK海力士、美光、铠侠业绩波动巨大,纷纷祭出减产或放缓投资等紧急举措应对市场变化,而三星或有意反其道而行。 内闪存价格跌幅或持续扩大 内存价格方面,据TrendForce集邦......
NAND在2015年才问世。此后数年,英特尔与美光、东芝(铠侠)、SK海力士以及三星在追逐更高密度,更高层数的道路上一刻也不停歇。 2014年,三星研发出32层,第二年SK海力士就研发出36层......
要应用市场,数据中心和汽车电子需求在不断提升。 全球NAND Flash市场由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士主导,其中,三星市占率最高,达到34......
,尤其是新近新近兴起的3D NAND Flash 。 中国的目标是到2020 年存储芯片自给率达到40% ,这将会触犯三星SK 海力士为首的韩国半导体业者的利益。 从韩......
是新近新近兴起的3D NAND Flash 。 中国的目标是到2020 年存储芯片自给率达到40% ,这将会触犯三星SK 海力士为首的韩国半导体业者的利益。 从韩......
支出将保持2022年水平不再增加。美光、铠侠和SK海力士等自去年10月便开始减产。西部数据亦于2月份表示将把NAND闪存晶圆产量减少30%。三星SK海力士、铠侠、西部数据、美光囊括近95%的NAND闪存......
基于行业领先的极紫外(EUV)技术的下一代产品来提高成本竞争力。同时,三星还将继续扩大15纳米DRAM和128层V-NAND的部分,积极应对服务器市场,并抢占安全NAND解决方案产品的需求。 SK海力士......
%。 集邦科技对全球及三星DRAM产能的预估 市场调研机构SEMI则表示,SK海力士的M14生产线与美光在广岛的Fab 15和Fab 16也都......
NAND 闪存到 276 层用时 2 年,三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。 韩媒在报道中还提到,SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D......
亿扩充芯片市场,有意而为之? 在SK海力士挑战的消息传出之后,北京时间7月4日上午消息,韩国三星电子有限公司本周二表示,计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元),以巩......
部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期,三星最早投入3D NAND,到2016年底生产比重才突破35%,东芝、美光、SK海力士几家占比更是不 到10%,从而......
份。 根据市场数据,截至上个季度,铠侠公司在NAND闪存的市场份额为19.6%,西部数据占据了14.7%的市场份额,相加之下不仅超过了SK海力士的17.8%,还超越了排名第一的三星......

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;深圳市科乐微电子商行;;深圳市科乐微电子商行 经营品牌 三星samsung、海力士SK hynix、镁光micron、东芝Toshiba、闪迪Sandisk、南亚Nanya、金士顿Kingston
;深圳市弘晟达科技有限公司;;深圳市弘晟达科技有限公司经营品牌Qualcomm高通、MTK联发科、闪迪Sandisk、三星samsung、海力士SK hynix、东芝TOSHIBA、镁光micron
;海奇电子;;主营 三星海力士memory
全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础,每年
;深圳市博瑞成电子有限公司;;专注于MXIC(旺宏),WINBOND(华邦),EON(易扬),GD(兆易创新),ESMT(晶豪),ETRON(钰创),SK Hynix(海力士),SAMSUNG(三星
主要代理和经销各大品牌MEMORY存储芯片,海力士SK HYNIX)半导体、台湾南亚科技(NANYA),三星(SUMSUNG),镁光(MICRON),英特尔(INTER),东芝(TOSHIBA),(主营
主要代理和经销各大品牌MEMORY存储芯片,海力士SK HYNIX)半导体、台湾南亚科技(NANYA),三星(SUMSUNG),镁光(MICRON),英特尔(INTER),东芝(TOSHIBA),(主营
;深圳市合德泰科技有限公司;;深圳市合德泰科技有限公司是一家代理经销世界各品牌半导体,凭着公司良好信誉及强大实力,三星(SAMSUNG)、东芝( TOSHIBA )、镁光(MICRON)、海力士
;深圳市腾扬伟业电子有限公司;;本公司是一家专业销售存储IC, 主要经营优势品牌:SAMSUNG三星SK hynix现代海力士,MICRON美光,WINBOND华邦,NANYA南亚
、 DDR3、GDDR、 MOBILE SDRAM、NAND FLASH、 EMMC 、ARM、 LPDDR等存储器芯片的销售.经营品牌有三星SAMSUNG、海力士SK hynix、 镁光MICRON、 南亚