业内最新消息，昨天韩国总统府办公室正式宣布，允许电子和 SK 海力士无期限向其位于中国的工厂供应来自美国的芯片设备，无需美国单独批准。

也就是说，以后无需向美国当局申请豁免许可，三星电子和 SK 海力士即可以任意向其中国的任何工厂供应含美国技术的半导体设备，而之前则是美国的设备带入中国都需要获得许可。

韩国总统经济首席秘书崔尚木称：“韩国半导体企业在中国运营和投资的不确定性已经大大缓解了，它们将能够冷静地寻求长期的全球经营战略。”

据悉，美国已经将该决定通知了三星电子和 SK 海力士，表明已经正式生效。与此同时美国商务部正在更新其 “经过验证的最终用户(VEU)” 名单，一旦列入该清单，就无需单独获得出口许可。

去年 10 月，美国出台一系列出口管制措施以限制中国获取或生产高端芯片，当时三星和 SK 海力士获得了一年豁免期，本月到期。

尽管美国允许韩国芯片企业在中国的工厂进口美国半导体设备延长一年许可豁免，但是限制措施对三星电子和 SK 海力士的长期战略部署产生了巨大冲击，因此中美之间的贸易和科技限制引起韩国企业的担忧。

韩国经济高度依赖半导体领域，全球第一和第二大存储芯片制造商三星和 SK 海力士都在中国的芯片设施投入数十亿巨资，中国也是韩国芯片的大客户。

据悉，三星电子大约 40% 的 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产，SK 海力士大约 40% 的 芯片在无锡生产，20% 的 NAND 闪存芯片在大连生产。

业内分析机构 TrendForce 的统计数据显示，截至今年 6 月底上述两家半导体生产商合计控制着全球近 70% 的 DRAM 市场和 50% 的 NAND 闪存市场。

美国对华实施芯片出口限制后，韩国当局一直设法减轻韩国半导体产业受到的冲击，而今天美国的彻底豁免许可对三星电子和 SK 海力士来说无疑是一个巨大的好消息。

SK 海力士回应称：“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定，我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”

三星也在一份声明中表示：“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营相关的不确定性已大大消除......将继续密切与所有相关政府保持密切合作，为全球半导体产业维护稳定的供应链。”

三星西安工厂

此外，上个月美国还取缔了在美国建厂并获得联邦资金的半导体公司在中国扩张的严格限制，取消了在中国先进产能投资 10 万美元的支出上限，这将有效阻止企业获得联邦资金来增加 28nm 制程以上芯片的产量。

值得一提的是，近日三星为提振 NAND 闪存芯片市场行情，计划将于年底之前将 NAND 芯片价格上调至少 10%，最快将于本月开始陆续涨价。

内分析人士认为，年底前 DRAM、NAND 的合约价将会迎来一波大涨，因为三星将会从本月新签的订单开始提升价格。

去年下半年开始，高通胀和全球经济恶化导致芯片市场需求萎靡，全球存储芯片迎来低谷潮价格一路下跌，去年开始 SK 海力士带头宣布减产，三星随后跟进并于 4 月宣布扩大减产幅度。

今年第一季度三星的 DRAM 芯片销售 40.1 亿美金，同比爆降 61.2%，NAND 芯片销售降至 29.9 亿美金，同比直接腰斩。

由于 NAND 芯片利润比 DRAM 芯片低，因此三星近来积极推动价格正常化。之前表示要在明年第二季度达成 芯片事业收支打平，因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。

业内分析人士认为，目前 DRAM 现货报价以 DDR5 涨势最为明显，主要是库存较少。尽管 DDR4 库存水位偏高，但它是 的减产重灾区，而 DDR5 则需扩大生产，预计明年 DDR5 销售比重将提升至 30%～40%。