【导读】供应链透露,上游原厂HBM订单不仅2025年预订一空,订单能见度甚至将看到2026年第1季,但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。
供应链透露,上游原厂HBM订单不仅2025年预订一空,订单能见度甚至将看到2026年第1季,但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。
大客户NVIDIA的AI芯片供不应求,顺利打入供应链的SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给NVIDIA的HBM月产能约当6万多片,新厂建设及扩充产能将势在必行。
SK海力士先前公布将在清州设置M15X产线作为新DRAM生产基地,并推动在龙仁半导体园区建设新厂。
美光也计划在广岛兴建DRAM新厂,预定2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设,虽然DRAM大厂持续加码投资产能,但2025-2026年整体产能增加幅度十分有限。
业界指出,HBM生产周期较DDR5多出1.5-2个月,对晶圆位元消耗量也远大于传统的DDR5,若以HBM3E晶圆消耗是DDR5的3倍多,到了2026年进入HBM4,其消耗将可能达到DDR5的5倍。
相较于NAND Flash增产必须考量市场供需及产业竞争等因素,目前业界对于NAND增产较趋于谨慎,但三大厂增加DRAM产能已经持续进行。
HBM产能消耗庞大,虽然SK海力士和美光瓜分HBM3E市场,但过去2年来缺乏资本支出投入导致产能规模受限,美光单月HBM产能仅约3,000片,相当于SK海力士的1/20供应比例,若要达成美光宣称HBM市占率约2成的目标,后续扩产必将以HBM为重心。
由于HBM堆叠制程及技术门槛,良率的爬坡期也比传统DRAM更为困难,业界估计,SK海力士从HBM3量产拔得头筹,维持市场领先的第一地位,其良率表现成为产业指标,相较之下,美光从2024年HBM3E才正式加入市场战局,短期内良率仅约SK海力士的一半左右。
目前三星电子受限于散热、功耗等因素影响,至今HBM3E尚未敲开NVIDIA大门,缺乏大量出货的实战经验下,良率改善的差距恐将持续拉大。
外界普遍认为,尽管三星暂时掉队,未能跟上HBM量产先机,但NVIDIA与三星过去合作已久,三星也计划将大幅扩充产能3倍跳跃增长,庞大产能将有助于舒缓NVIDIA供应不求的订单,预期2024年底三星仍有机会跟上NVIDIA的供应节奏。
不过若是三星迟迟未能达标,SK海力士及美光的扩产脚步已持续推动,恐将导致排挤效应,从良率及产能分头并进,继续拉大领先三星的差距。
国际大厂竞逐HBM战场,导致标准型DRAM供应大幅缩减,模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10-20%涨幅,但伴随而来的风险,若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
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