业内消息，近日韩国存储巨头旗下存储业务为提振 Flash 芯片市场行情，计划将于年底之前将 NAND 芯片价格上调至少 10%，最快将于本月开始陆续涨价。

业内分析人士认为，年底前 DRAM、NAND 的合约价将会迎来一波大涨，因为三星最快本月将新签约的订单开始提升价格。之前包含三星存储在内的存储大厂相继表示 NAND 芯片减产以提振 NAND 芯片价格，目前来看将迎来上行周期。

据悉，去年下半年开始的高通胀和全球经济前景恶化持续刺激导致芯片市场需求萎靡，尤其，使芯片产业陷入前所未有的低迷期。2023 年第一季度三星的 DRAM 芯片销售 40.1 亿美金，同比爆降 61.2%，其中 NAND 芯片销售降至 29.9 亿美金，同比直接腰斩。

全球存储芯片迎来低谷潮，价格一路下跌，去年开始同为韩国存储巨头的 SK 海力士带头宣布减产，三星存储也在今年年初跟进，并在 4 月宣布扩大减产幅度，目前来看 DRAM 芯片的价格终于回升，但 NAND 芯片价格还未见起色。

由于 NAND 芯片利润比 DRAM 芯片低，因此三星近来积极推动价格正常化。三星之前表示要在明年第二季度达成 NAND 芯片事业收支打平，因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。

SK 证券公司分析师 Han Dong-hee 表示：三星电子的第二波减产行动及获利至上政策，可望激励价格反弹。另一方面，对于、SK 海力士及美光持续减少供给，意图带动 DRAM/合约价及现货价止跌回升。

此外业内分析人士认为目前 DRAM 现货报价以 DDR5 涨势最为明显，主要是库存较少，DDR4 库存水位虽偏高，三大存储厂的 DRAM 减产重点锁定于 DDR4，而 DDR5 则是扩大生产，预计今年年底到明年 DDR5 销售比重将提升至 30%～40%。