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研发客服近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。
外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/s传输速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快输入和输出速度，有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。
SK海力士研发团队称，第八代3D NAND Flash采用5项新技术。
首先，三重验证程式（TPGM）功能可缩小单元阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少10%，转化成更高性能。
其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技术，再将tPROG降低约2%。
第三，APR方案可将读取时间降低约2%，并缩短字线上升时间。
第四，编程虚拟串（PDS）技术可藉由降低通道电容负载缩短tPROG和tR的界线稳定时间。
最后，平面级读取重试（PLRR）功能，允许不终止其他平面下，更改平面的读取等级，立即发出后续读取命令，提高服务质量(QoS)，提高读取性能。
由于新产品还在开发，SK海力士尚未透露量产时间。尽管如此，有分析师仍预估最早2024年有变化，最迟2025年出现。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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