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块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。 据悉，模块......
器件封测领域，氮化硅主要采用AMB工艺，更受行业欢迎。据悉，AMB工艺生产的陶瓷衬板主要运用在功率半导体模块上作为硅基、碳化基功率芯片的基底。由于氮化硅陶瓷基板的多种特性与第3代半导体衬底SiC晶体......
博敏电子拟约50亿元投建IGBT陶瓷衬板及IC封装载板生产基地;1月3日，博敏电子发布公告称，公司拟与合肥经开区管委会签署《投资协议书》，拟在合肥经开区内投资博敏陶瓷衬板及IC封装......
大学谢志鹏教授团队与湖南维尚科技有限公司签订“功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制”项目合作协议。此次双方项目合作将开展功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制与先进科技成果转化。 据悉，氮化硅陶瓷......
Corporation）、东芝高新材料公司，韩国的 KCC 集团、AMOGREENTECH 等。 受益于 SiC 新机遇，部分国际企业已在计划对 AMB 进行扩产，如东芝高新材料公司已于去年开设大分工厂，开始生产氮化硅陶瓷......
、用”相结合的创新驱动模式，研制高性能氮化硅陶瓷结构件、轴承球及第三代IGBT芯片用氮化硅基板，并实现产业化。 封面图片来源：拍信网......
总投资7亿！长虹红星电子半导体陶瓷封装基板、载板项目落地绵阳;据绵阳经信消息，近日，长虹红星高导热氮化硅陶瓷基板及覆铜板项目签约仪式在绵阳江油举行。仪式上，江油市政府与中物院材料研究所签订了《战略......
材料、氮化硅陶瓷基板及其元器件，是国家强基工程关键领域的关键基础材料，已通过欧、美、日、韩等多家知名企业技术认证。 据官网介绍，无锡海古德项目源于清华大学国家863科技......
签约项目总投资达10亿元，分别是高新能氮化硅陶瓷基板项目、DCB覆铜陶瓷载板项目、半导体石英精密部件项目。 封面图片来源：拍信网......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
动周边半导体品圆制造配套的上下游企业，包括石墨件深加工行业、半导体装备行业、碳化硅陶瓷和粉体，第三代半导体器件等高端装备、材料和器件相关的行业发展。 同日，平顶山半导体产业园暨中国平煤神马集团碳化硅半导体材料基地项目也开工建设，致力打造全国最大的碳化硅......
铝基板720万片、氮化硅基板300万片。 据悉，无锡海古德是一家集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。其核心产品高性能氮化铝陶瓷材料、氮化硅陶瓷基板及其元器件...详情......
器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新，凯世通已实现关键技术突破，产品测试性能表现优异，维护成本低，并已交付给客户进行产线验证。 天津大学在氮化铝、氮化硅陶瓷......
为± 0.1 %，可满足以上应用的精密性能要求。 PHPA系列器件阻值范围10 W至30.1 kW，器件噪声小于-30 dB，电压系数低于0.1 ppm/V，工作电压为200 V。电阻器采用高纯度陶瓷衬......
。 图片来源：国资委网站文件截图 在基础软件领域有中国移动的“九天”人工智能平台；中国电子的麒麟服务器操作系统、麒麟桌面操作系统；中国建研院的BIMBase建模软件等。在关键材料领域有中国建材的集成电路关键装备用石英玻璃基板及精密碳化硅陶瓷......
靠性上很难满足需求。而氮化硅Si3N4-AMB作为绝缘衬底是在个不错的选择，抗弯曲度大于700Mpa，导热系数是80W/m*k，热膨胀系数2.5x10-6/k，与Si材料很接近。AMB覆铜基板利用活性元素可以润湿陶瓷......
用于减轻飞机的重量并提高燃油效率。 SiC除了被用在电力电子系统中之外，还被用在机身材料中，以空客的轻型直升机H160为例，该机型在设计中采用了碳化硅陶瓷复合材料制造的主旋翼桨叶。这种材料的使用可以减轻重量、提高效率，并提......
Toshiba Materials对第二座生产设施的重大投资将提高氮化硅球的产量;Toshiba Materials Co., Ltd.（总裁兼首席执行官：Takao Shirai）今天......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0   引言 在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
是谁勇入第三代半导体分羹之局？;当下，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，这般火热之势引来了一些企业驻足。之后......
Toshiba Materials对第二座生产设施的重大投资将提高氮化硅球的产量;Toshiba Materials Co., Ltd.（总裁兼首席执行官：Takao Shirai）今天......
基板，但其热性能已不适合高压大功率汽车功率器件的发展。氮化铝和氮化硅陶瓷基板具有导热系数高、热膨胀系数与硅匹配、电绝缘性高等优点，提高了高压IGBT模块的可靠性。它们非常适用于封装IGBT和功......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
功率模块。该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导......
中瓷电子资产重组将落地，第三代半导体业务加速发展;11月17日，中瓷电子发布并购重组修订公告称，公司拟向中国电科十三所发行股份购买其持有的博威公司73%股权、氮化......
是采用平面封装的结构，沿用了以往硅基功率半导体的思路。平面封装也就是将多个功率芯片，比如碳化硅MOSFET和碳化硅SBD焊接在同一绝缘衬板的金属表面，衬板在起到模块电气绝缘作用的同时，还是......
采用散热性能优异的3.45 mm x 3.45 mm x 1.7 mm小型表面贴封装，配有陶瓷衬底和石英窗口，250 mA，25 °C条件下使用寿命长达27,000小时。VLMU35CR40-275-120和......
阻的硅单晶、高性能的光刻胶以及高纯的靶材等，还有封装需要的铝碳化硅基板、氮化铝衬板、氮化硅衬板，硅凝胶、焊片等等。 此外，国外的一些政策对半导体设备的限制也越来越严，有些手续也越来越麻烦。光刻机、离子......
前道制造、硬脆难加工材料加工和新品表面处理等全工艺流程技术。 目前，珂玛科技拥有由氧化铝、氧化锆、氮化铝和碳化硅 4 大类材料组成的先进陶瓷基础材料体系，主要类型材料的耐腐蚀、电绝缘、高导热、强机......
而言，将培育以下重点工程： 集成电路基础材料优势提升工程 扩大氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）晶圆加工能力，提升4英寸6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质，加快6英寸碳化硅......
pcb板材质分类有哪些？(2024-11-05 21:09:38)
制造高功率电子产品比较友好，在LED照明电源模块、汽车电子等领域发挥着重要作用。 三、陶瓷基板 陶瓷基板以氧化铝、氮化硅等陶瓷材料作为基材的一种pcb材质，陶瓷......
本身是“直接键合铜”（DBC），使用活性金属钎焊（AMB）技术在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常适合于功率循环。这种结构具有优异的强度和柔韧性、抗断裂性和良好的热导性，以实现冷却、可靠......
件凭借正好适应该电压的工作规格越来越受到追捧。现有的500V CeraLink系列面向配备氮化镓 (GaN) 晶体管或硅MOSFET的400V逆变器，而新的900V型元件的耐电压性能达到1kV以上，非常适合配备碳化硅......
。以AI2O3-SiO2系硅酸盐为结合相 ，包括黏土结合、莫来石结合和SiO2结合碳化硅。 2.氮化物结合碳化硅。结合相为SiN4、 Si2N2O、 Sialon等共价键化合物。 3.自结合碳化硅......
以及抗辐射等恶劣条件的新要求，目前主要应用于光电、电力电子、微波射频等领域。其中，碳化硅和氮化镓技术发展相对成熟，已经开始产业化应用。 根据TrendForce集邦咨询此前的报告，受益于新能源汽车、光伏......
碍子表示，通过该工艺，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长了9个晶体的实验。 除了碳化硅，日本碍子在氮化镓（GaN）方面也有布局。 早在2012年，日本碍子便在其他研究机构的协助下，在开......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路材料产业基地的，便是第三代半导体的代表性材料——高品级氮化铝粉末及复杂形状氮化铝陶瓷精密器件项目。 露笑科技碳化硅项目开始设备安装调试 5月......
尽型绝缘层上硅)核心技术攻关，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化，重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件，发展光刻机、缺陷......
所驱动的成长。 氮化镓：佳恩半导体x西安电子科技大学 5月28日，青岛佳恩半导体有限公司（以下简称“佳恩半导体”）与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛举行。 资料显示，青岛......
短期间仍将受到总体经济环境的不确定性和成本压力的影响，联电仍将在技术、产能及人才方面持续投资，以确保我们能够做好充分准备，迎接下一阶段5G和AI创新所驱动的成长。 氮化镓：佳恩半导体x西安电子科技大学 5月28日，青岛......
应用包括宽带隙 (WBG)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 系列、数据中心、LLC 谐振转换器、开关槽式转换器、无线充电系统、光伏系统、电源转换器、逆变器、直流链路和缓冲器 .......
件凭借正好适应该电压的工作规格越来越受到追捧。现有的500V CeraLink系列面向配备氮化镓 (GaN) 晶体管或硅MOSFET的400V逆变器，而新的900V型元件的耐电压性能达到1kV以上，非常适合配备碳化硅 (SiC......
举行晶圆厂落成典礼，并将于年底开始生产碳化硅产品。这意味着全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂正式进入投产倒计时。 据悉，英飞凌于2022年2月宣布将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三厂区，建成后将用于生产碳化硅和氮化......
/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，湖南三安二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。 据悉，其碳化硅衬底已通过几家国际大客户验证，其中一家实现批量出货，且2023年、2024......
GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。此外还有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-GaN技术。 从性......
前电动汽车应用的主流趋势。 目前新的设计SiC模块的设计方向是结构紧凑更紧凑，通过采用双面银烧结和铜线键合技术，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接......
第三代半导体占据市场主流，碳化硅还是氮化镓，一山容不容二“虎”？; 【导读】近年来，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用市场尽显风光。随着......
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。 Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁......
半导体巨头集中火力瞄准第三代半导体领域;随着新能源电动企业的快速发展，全球各大车企和半导体厂商都将目光瞄准以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的的第三代半导体领域。 近日，全球半导体巨头英飞凌和博世正开始加速碳化硅......

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