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传三星5纳米拿下谷歌自研手机芯片新订单;台积电与三星在5纳米晶圆代工市场持续交战。据外媒报道，Google完成自家手机芯片开发，将以三星5纳米进行生产，并取代Google自有......
代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。 目前，业界已经量产的最先进的半导体工艺制程为3纳米，但市场主要产品仍为4纳米和5纳米芯片上，竞争厂商主要为三星和台积电两家。 公开......
代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。 目前，业界已经量产的最先进的半导体工艺制程为3纳米，但市场主要产品仍为4纳米和5纳米芯片上，竞争厂商主要为三星和两家。 公开资料显示，三星晶圆代工业务于2021年量......
台积电与三星3纳米制程之战正式进入白热化阶段;台积电2020年中宣布，将在美国亚利桑纳州斥资120亿美元兴建5纳米制程晶圆厂，并预计2023年正式量产。此外，三星日前也宣布计划斥资100亿美......
三星弯道超车难，传苹果包下台积电3纳米初期产能;虽然近日有消息传出，因为季节性因素，明年台积电5纳米产能利用率将会下降，不过如今更有传言指出，其实苹果连3纳米的单都已经下。 根据......
把更多晶体管压缩到一个芯片，提高处理速度并降低功耗，这也是三星3纳米制程用新一代全环绕栅极(GAA)制程的原因。 三星强调，与5纳米制程相较，三星首个3纳米GAA制程技术将允许芯片面积减少35%，性能......
芯片制程良率已改善、接近 5 纳米的水准，下一代 4 纳米制程将提供更高的良率。 三星电子去年推出了 4 纳米芯片技术，但由于良率不高，导致部分客户转投台积电，包括高通公司，IT之家注意到，三星......
三星电子5纳米工艺由安霸应用于全新汽车Al域控制器芯片; 【导读】近日，三星电子与美国边缘AI半导体公司安霸（Ambarella）联合宣布，三星将为安霸提供5纳米工艺，用于其新推出的CV3......
元用于半导体和生物制药等行业，其中尤其关注先进制程方面。此前三星对芯片工艺路线图作出了调整，将跳过4纳米工艺，由5纳米直接上升至3纳米，并在3纳米工艺中率先宣布将使用GAAFET技术。 具体到时间节点上，2021年10月......
领先三星、格罗方德！台积电 ISSCC 2017 首揭 7 纳米 FinFET 技术; 半导......
层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供更为优质、先进的DRAM工艺。 图片来源：三星电子官网截图 据介绍，三星电子5层EUV工艺14纳米DRAM具有业界最高的晶圆密度，与上......
电子选定为委托生产企业。业界预测，最近1至2年间在4~5纳米竞争中落后于台积电的三星将通过3纳米工艺创造扭转局面的契机。 此前高通在2022年高通骁龙峰会上曾表示，未来3、4纳米AP芯片......
代工还计划继续发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺相比，三星的 5 纳米射频预计可以提高 40% 的功耗效率，提高约 50% 的晶......
三星电子5纳米工艺由安霸应用于全新汽车AI域控制器芯片;全新CV3-AD685芯片助力自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）应用，为多传感器融合和路径规划提供单芯片解决方案近日，三星......
三星电子5纳米工艺由安霸应用于全新汽车AI域控制器芯片;全新CV3-AD685芯片助力自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）应用，为多传感器融合和路径规划提供单芯片解决方案 近日，三星......
电子选定为委托生产企业。业界预测，最近1至2年间在4~5纳米竞争中落后于台积电的三星将通过3纳米工艺创造扭转局面的契机。 此前高通在2022年高通骁龙峰会上曾表示，未来3、4纳米AP芯片将由台积电代工，不过......
电并没有发表说法。 作为代工行业的佼佼者，台积电代工技术一直遥遥领先，虽然三星一直是台积电在芯片行业的对手，但是在7纳米、5纳米以及4纳米工艺中，台积电都全面碾压三星电子。 而且由于三星在5纳米、4纳米......
，三星从3纳米制程就开始使用GAA结构。所以相对于台积电，三星似乎在新结构方面会更有经验，这也成为三星在2纳米制程中的节点的优势之一。 过去，在2020年三星电子从7纳米制程技术转向5纳米......
电预估，3纳米制程技术量产第一年带来的收入将优于5纳米在2020年量产时的收益，预计3纳米制程技术将在量产五年内释放全世界约1.5兆美元终端产品的价值。 三星：拼成......
质疑对手技术进展真实性，三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽;5月7日消息，由于质疑竞争对手的技术进展，三星决定公开自家DRAM产品的电路线宽，以显示三星在该领域的技术领先地位。据韩......
在2纳米制程中的节点的优势之一。 过去，在2020年三星电子从7纳米制程技术转向5纳米制程技术时，第二代7纳米制程技术就曾经更名为5纳米制程技术。三星电子的7纳米制程技术在2019年成......
5纳米芯片时代，中国还有机会吗？; 来源：内容来自微言创新 ，谢谢。 近日，IBM宣布其与三星、GlobalFoundries组成的联盟成功开发出业界第一个全新硅纳米......
SK海力士率先推出第6代10纳米DRAM产品; 【导读】据BusinessKorea报道，SK海力士宣布将在今年第三季度开始量产其第6代（1c）10纳米级DRAM，领先于三星电子，三星......
季获利续成长，5纳米以下技术增加新订单，AI和HPC客户群比去年增一倍。 三星并表示，随着2纳米GAA制程套件开发和分发，支持客户推进产品设计，也是2025年大......
三星电子5纳米工艺由安霸应用于全新汽车AI域控制器芯片;近日，与美国边缘AI半导体公司（Ambarella）联合宣布，三星将为提供工艺，用于其新推出的CV3-AD685系统级芯片（SoC）。此次......
半导体和设备解决方案（DS）部门负责人 Kye Hyun Kyung 此前公开表示，要在未来 5 年内超越台积电和其它行业巨头。 据韩国新闻媒体 Money Today 援引的内部消息称，三星......
三星或将代工特斯拉第五代自动驾驶芯片;8月29日韩媒引述业界消息报道，三星电子有较高几率拿下特斯拉第五代自动驾驶芯片Hardware 5订单，该芯片将采用4纳米工艺。 此前，三星......
车行业提供先进而全面的工艺解决方案，涵盖了从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺。 为了满足汽车市场最新创新的需求，三星将为未来汽车技术开发业界首款 5 纳米 eMRAM 解决方案。eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储器，可实......
制程，并先用于移动领域。之后2026年扩展到高效能运算，2027年扩展至汽车领域。代号SF2的三星2纳米制程与代号SF3的3纳米制程相较，芯片面积减少5%。相同功耗性能可提升 12%。相同性能，功耗......
超车劲敌。据悉，三星电子先进制程良率低迷，自5纳米制程一直存在良率问题，随着4纳米和3纳米，情况变得更糟，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，量产进度陷入瓶颈。 三星......
与晶圆代工龙头台积电的差距。 韩国媒体Infostock Daily报导，三星将在第四季扩产4纳米制程，产能将从每月1.5万片提升至2万片，总投资金额约达5兆韩元。 报导引用熟悉三星......
电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率需求。 台积电、三星通常以SRAM、DRAM 来练兵，先从记忆体下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估10 纳米年底量产、7 纳米最快2018......
球只有这两家能做到5纳米制程以下的半导体晶圆代工厂来说，较劲意味浓厚。 外媒报道，三星3纳米制程流片进度是与新思科技（Synopsys）合作，加速为GAA架构的生产流程提供高度优化参考方法。因三星......
三星3纳米制程紧追台积电;三星冲刺3纳米制程火力全开，旗下晶圆代工事业部门已和全球电子设计自动化（EDA）巨擘益华合作释出3纳米相关工具，加速相关先进制程开发的数字程序。相较台积电和国际EDA厂于5......
三星透露：5纳米制程以下芯片的良率正在逐步改善;据MoneyDJ近日报道，三星电子新任共同执行长Kyung Kye-hyun透露，晶圆代工业务将在中国寻找新客户，5纳米......
双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开......
处理器芯片的通讯大厂；对于竞争对手的10纳米产品重炮回击指出，联发科、海思的10纳米芯片和高通的Snapdragon 835完全不在同一个水平上，谈不上是竞争对手；然估计2017年上半预计会有5颗分别由台积电和三星......
SF2制程将在2025年推出，与第二代3GAP 3纳米制程相比，在相同运算频率和复杂度下，功耗可提高25%，而在相同功耗和复杂度下，运算性能提高12%，减少5%芯片面积。此外，三星还提供2.5D I......
消息称三星第三代4nm芯片将于2023年上半年量产;据 BusinessKorea 报道，三星将于今年上半年开始量产第三代 4 纳米芯片，将稳定制程早期阶段的良率问题，以及提升性能、功耗......
适用于高性能计算机集群（HPC）；并于2027年将其用途扩至车用芯片。 与目前最先进的3纳米技术比较，三星电子的2纳米制程性能将提高12%、功效提高25%，面积减少5%。 三星DS部门总裁Kyung Kye......
三星：3纳米制程代工市场2026年将达242亿美元规模;据外媒报道，三星电子研究人员日前在该国举行的EUV光刻机生态体系会议上表示，到2026年，全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美......
之所以没有透露其第一代3纳米芯片的量产计划，可能是因为三星计划先将3纳米制程应用于自己设计的芯片上，然后再将其用于客户的芯片当中。 报道表示，三星先前表示，其由3纳米制程技术生产的芯片，相较于5纳米......
斯汀工厂正在为IC设计客户生产14纳米、28纳米和32纳米制程芯片，尚未配备用于7纳米或7微米以下产品的EUV光刻设备。 台积电今年 5 月宣布，将在亚利桑那州兴建 5 纳米晶圆厂。路透社报道，亚利......
神秘面纱。此芯片于5月Bitcoin2023会议中正式亮相，也就是三星3纳米GAA量产1年后，所采用的却是简化版制程，显见大规模量产之路仍相当漫长。 半导体设备业者表示， 三星3纳米GAA实力......
。 目前5纳米制程栅极间距为50纳米，是使用单侧互连的简单FinFET。三星展示的CFET解决方案，栅极间距为45/48纳米，比英特尔60纳米更小。尽管三星的CFET原型45纳米......
分为 5 种，逐步扩大 HPC 和汽车半导体等半导体应用。IT之家从报道中获悉，业内人士称三星最近通过各种措施，正稳步提高 4 纳米工艺的良率。 三星电子计划通过批量生产 SF4X 工艺，积极......
制程技术，可在相同的频率和复杂度下，提高25%的功耗效率，以及在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能，并且减少5%的芯片面积。 目前，随着台积电、三星、英特尔等先进制程代工厂商的研发发展，2纳米......
台积电代工，以尽速取代Snapdragon 8 Gen 1，因代工Snapdragon 8 Gen 1的三星4纳米制程问题多多，无法解决发热问题。有市场消息指出，高通交由台积电代工的首批Snapdragon......
之一。 据三星蓝图分析，2纳米SF2制程2025年推出，较第二代3GAP的3纳米，相同频率和复杂度提高25%功耗效率，相同功耗和复杂度提高12%性能，减少5%芯片面积。 先前市场消息，晶圆......
过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。 但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1bDRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1cDRAM状况的消息。 如果......

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