【导读】据BusinessKorea报道，SK海力士宣布将在今年第三季度开始量产其第6代（1c）10纳米级DRAM，领先于三星电子，三星电子计划在今年年底前量产。
据BusinessKorea报道，SK海力士宣布将在今年第三季度开始量产其第6代（1c）10纳米级DRAM，领先于三星电子，三星电子计划在今年年底前量产。
4月8日，业内人士透露，SK海力士已经制定了内部路线图，以实现客户认证，并在即将到来的第三季度开始量产其10纳米级第六代DRAM。目前业界领先的DRAM产品DDR5 16Gb有望正式获得与英特尔服务器平台的兼容性认证。
一旦SK海力士的DRAM获得与英特尔CPU一起使用的认证，它可能很快就会看到运营数据中心的大型科技公司的需求激增。英特尔与AMD一起主导着全球服务器CPU市场，占据了70-80%的市场份额。业内专家预测，由于DDR5是一种商品，因此公司正在提前做好准备，并有望在获得英特尔认证后迅速开始向亚马逊和微软等主要客户销售。
SK海力士此前于去年1月凭借其10纳米级第四代（1a）DDR5服务器用DRAM获得英特尔认证，随后于5月又获得10纳米级第五代（1b）DDR5的全球首创，进入英特尔数据中心的兼容性验证。该公司目前正在加紧努力，在第三季度推出其即将推出的第6代（1c）产品，以实现另一个“世界第一”。
比较两家公司披露的路线图，SK海力士量产其10纳米级第六代DRAM的时间表领先于三星电子。三星计划于今年12月进行客户认证并开始量产。上个月，在美国硅谷举行的MemCon 2024全球半导体大会上，三星公布了下一代DRAM的发展路线图，宣布计划在今年年底前量产第六代10纳米级DRAM。
10纳米级第6代产品将采用尖端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第5代10纳米级产品相比，该工艺可实现更高的净芯片（每片晶圆可生产的芯片数量）和更高的效率。
第6代10纳米级DRAM代表了当前第5代10纳米级顶级产品的下一代产品。这两种工艺都采用了先进的EUV光刻技术，但第6代工艺将用于更多的电路，从而比第5代工艺获得更高的净芯片良率和更高的电源效率。
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