三星3nm GAA客户曝光,2nm 2025如期量产

发布时间:2023-07-19  

日前,加拿大研究机构TechInsights再度拆解国内MicroBT挖矿专用ASIC,由三星晶圆代工(Samsung Foudry)以3纳米GAA制程所生产之Whatsminer M565++芯片,但此款芯片仅有逻辑单元,没有存储器单元,也就是三星拿来练兵的GAA简化版产品。

三星号称3纳米GAA弯道超车台积电量产,至今已超过1年,但迟未见大客户投片,甚至连自家手机也未采用,现在三星3纳米GAA真实展现,有三大值得关注之处。

首先,是三星3纳米GAA距离正规量产仍是漫漫长路;二是简化版谈不上良率;三是只有矿机客户,未有大厂买单,千亿美元投资黑洞难回收。

据TechInsights拆解报告指出,三星与国内矿机业者MicroBT合作,Whatsminer M56S++是三星在2022年6月底宣布3纳米GAA制程领先量产后,首次曝光的商业化产品。

为何三星未在其他芯片采用GAA制程技术?应考虑到GAA是先进且复杂的制程,良率也较低,因此选择先在挖矿芯片导入。由于这此芯片不需要记忆单元,简化了生产过程,也提高了生产良率。

三星于2022年中表示,首代3纳米GAA制程技术会在2022年下半商业化生产,且获多家客户青睐。2023年3月则释出3纳米GAA制程良率稳定,已开始研发第二代制程,将全力实现2024年量产目标。

此外,三星亦以2纳米制程基本架构进行晶圆测试,并取得良好成果,同时晶圆代工事业部亦成功研发高密度存储器整合技术,为因应日后生成式AI需求打好基础。

随着MicroBT矿机ASIC曝光后,终于可揭开三星3纳米GAA制程神秘面纱。此芯片于5月Bitcoin2023会议中正式亮相,也就是三星3纳米GAA量产1年后,所采用的却是简化版制程,显见大规模量产之路仍相当漫长。

半导体设备业者表示, 三星3纳米GAA实力曝光后,台积电可以暂松口气。事实上,进入7纳米以下制程时代后,转单成本与风险高昂,因此难有客户变心。值得一提的是,先前与三星合作的Google、Tesla,接下来也转向台积电。

除高通(Qualcomm)双边押注,其他有技术、产品及银弹能力的芯片厂,都是台积电客户。最后是恶性循环,三星难以扩大先进制程量产规模,千亿美元投资黑洞难以回收,持续烧钱压力加剧。

设备业者也透露,苹果(Apple)不会回头下单,三星想要争抢AI、HPC客户填补产能、支撑庞大投资,但几乎所有客户都在台积手上,且合作已至2纳米时代。

设备业者语重心长指出:「暂不论制程技术与服务优势,有钱下单的芯片厂都倒向台积电,先进制程胜负已分。」

台积电表示,2纳米技术采用纳米片晶体管架构,在良率与元件效能上皆展现良好的进展,将如期于2025年量产。据了解,表定2025年量产的2纳米,牌价逼近2.5万美元天价,仍吸引芯片大厂开始洽谈投片。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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