根据韩国媒体报道，三星近期在上海的一个半导体代工论坛上，公布了该公司在半导体代工业务的路线图。尽管在该路线图中包括2021年下半年将推出的第一代4纳米芯片的量产计划、2022年第二代4纳米芯片的量产计划，以及2023年第二代3纳米芯片的量产计划。但是，其中就是未包括了先前三星所宣布的，即将在 2022 年推出的第一代3纳米芯片的生产计划，这也引起了市场人士的猜测。

韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出，针对三星在半导体代工的路线图中，没有公布第一代3纳米芯片的生产计划，一些韩国的分析师就指出，三星之所以没有透露其第一代3纳米芯片的量产计划，可能是因为三星计划先将3纳米制程应用于自己设计的芯片上，然后再将其用于客户的芯片当中。

报道表示，三星先前表示，其由3纳米制程技术生产的芯片，相较于5纳米制程技术所生产的芯片，在芯片的面积上将缩小35%，但是其运算效能则是提高了15%，而电池能能效则提高了30%。而相对于三星，全球最大的晶圆代工厂台积电目前也在开发3纳米制程技术，目标是2022年开始进入量产阶段。

另外，三星预计在3纳米制程技术中采用闸极全环（Gate-All-Around，GAA）技术，而非传统的鳍式场效晶体管（FinFET）技术。 而其由GAA技术能将晶体管栅极和沟道的接触面扩展到四个，在此情况下与现有的FinFET技术相比，这种技术借由增加一个边接触面来提高电流的效率。

报道强调，美国电子设计自动化（EDA）公司新思科技（Synopsis）在上个月宣布，已经与三星电子合作，成功达成了以GAA技术的3纳米制程的晶圆流片（Tape Out）程序。晶圆流片是指晶圆设计已完成开发，并将设计移交给制造商的一个阶段。 所以，在进入这个阶段之后的三星，有望在验证后开始测试3纳米制程技术的生产程序。

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