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,CNews称,莫斯科电子技术学院 (MIET)承接贸工部开发制造芯片的光刻机项目,该项目由俄罗斯政府首期投资6.7亿卢布资金(约合5100万元人民币)。 研发光刻机计划达到EUV级别,但技术原理......
| 编辑 1、像盖章一样造芯片 纳米压印是一种微纳加工技术,它采用传统机械模具微复型原理,能够代替传统且复杂的光学光刻技术。[2] 虽然从名字上来看,纳米压印概念非常高深,但实际上它的原理......
光刻方案,佳能开始销售 5nm 芯片生产设备;IT之家 10 月 14 日消息,(Canon)公司近日发布新闻稿,开始销售芯片生产设备 FPA-1200NZ2C,表示采用不同于复杂光刻技术......
光刻技术:光学关键尺寸测量(OCD)原理;以下为报告PPT:                                   ......
lithography)技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。佳能表示,该设备采用不同于复杂光刻技术的方案,可以制造5nm芯片。 在制程技术进入5nm节点之后,EUV光刻......
是在晶圆上压印印记,而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录,据称与行业巨头ASML的EUV设备相比,其能耗降低了90%。 去年,佳能推出了首款纳米压印光刻(NIL)设备,该设备可以与ASML的极紫外(EUV......
nanowire )技术。 上图显示了不同工艺节点用到的技术,据此不同的工艺节点用到的掩膜层数如下图所示: 新的光刻技术 从20nm节点开始,为了使用传统光刻技术......
英伟达、台积电、ASML、新思科技官宣合作,剑指计算光刻技术;国际电子商情27日讯 在近日召开的GTC大会上,英伟达宣布推出一项将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果。这是......
英伟达发布cuLitho改变游戏规则,我国计算光刻技术是否能“打”?; 在前不久的 GTC 2023 上,带来了一项突破性的技术——cuLitho计算光刻技术软件库,可将计算光刻加速40倍以......
逼近极限!ASML发布第三代EUV光刻机;芯片制造商需要速度。本文引用地址:在科技日新月异的今天,芯片制造技术的不断革新成为了推动科技进步的关键力量。作为光刻技术的领军企业,近日发布的第三代EUV......
佳能可能解决了这些问题。 纳米压印是一种微纳加工技术,它采用传统机械模具微复型原理,能够代替传统且复杂的光学光刻技术。简单而言,像盖章一样造芯片,把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上,再将印章盖在橡皮泥上,得到......
投资100亿美元,补贴8.25亿美元,美国发力EUV光刻技术; 近日,美国商务部和国家半导体技术中心(NSTC)的运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术......
NVIDIA联合半导体三巨头,颠覆计算光刻方法学;2023春季GTC上,NVIDIA与TSMC(台积电)、ASML 和Synopsys(新思科技)联合宣布,完成全新的 AI 加速计算光刻技术......
中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术,引发韩国三星警戒;相较韩国半导体产业最早开始采用EUV光刻技术,相关产业存储器与晶圆代工时程相对落后。但韩国媒体《Business Korea》报导,近期......
出密集存储器阵列外围的虚假结构(dummy structures)。 美光公司表示由于光学系统本身性质,这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术进行印刷,而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来,且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术......
太可能被现有的贸易限制所禁止。 目前,佳能的发言人拒绝对新设备是否受到日本出口限制发表评论。 纳米压印究竟是什么黑科技?竟能代替复杂的光学光刻技术?   资料显示,纳米压印是一种微纳加工技术,它采用传统机械模具微复型原理......
生产导入EUV(极紫外光)设备,其DRAM芯片产品皆采用DUV(深紫外光)光刻机制造。 近期,媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产,预计该制程技术......
消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术;7 月 29 日消息,台媒《电子时报》(DIGITIMES)今日报道称,台积电最快在 2028 年推......
思坦科技助力深紫外Micro-LED显示无掩膜光刻技术荣登Nature Photonics;深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术......
思坦科技助力深紫外Micro-LED显示无掩膜光刻技术荣登Nature Photonics;由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)联合攻关的重大成果——基于......
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上,台积电远超三星电子; 【导读】TechInsights 1月27日发布报告称,在包括EUV在内的下一代光刻技术方面,台积......
于相当于从地球上照出手电筒并击中放置在月球上的 50欧分硬币; EUV系统包含一个重达7600公斤的大型真空室。 那么,不用EUV行吗? 除了EUV,也不是没有其它技术,全世界对光刻的研究一直都很积极,已经足足有将近60年历史,光刻技术......
极紫外光刻新技术问世,超越半导体制造业的标准界限;据科技日报报道称,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻......
极紫外光刻新技术问世,能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本;据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻......
功取得第一笔订单。 公告指出,KrF(248nm)厚膜光刻胶产品的开发和产业化是公司第三大核心技术——光刻技术的重要方向之一,本次产品认证的通过及订单的取得,标志着“KrF(248nm) 厚膜光刻......
Toppan Photomask与EV Group达成合作;加快推进纳米压印光刻技术在光电制造领域的应用两家市场领导者开展推广和技术合作,通过结合各自优势,提供纳米压印光刻技术开发工具包,并实......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢?公开图纸,我们也造不出来?; 11 月 19 日消息,在半导体行业,极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet,EUV) 对于未来光刻技术......
和行业领导者 ASML 的光刻机不同,其并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上,而是更类似于印刷技术,直接通过压印形成图案。 相较于目前已商用化的EUV光刻技术,尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻......
方案,Martin van den Brink表示,ASML正在研究降低波长,但其怀疑Hyper-NA将是最后一个NA,可能是接下来半导体光刻技术发展出现问题的地方,其制造和使用成本都高得惊人,且不......
,13.5nm)光刻,电子束光刻等六个阶段,随着光刻技术发展,各曝光波长的光刻胶组分(成膜树脂、感光剂和添加剂等)也随之变化。 光刻技术及光刻材料的发展 根据反应机理和显影原理,可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻......
探索前沿技术 推动产业发展,东方晶源受邀参加第七届国际先进光刻技术研讨会; 10月25日,第七届国际先进光刻技术研讨会(International Workshop on Advanced......
社长御手洗富士夫近日表示,纳米压印光刻技术的问世,为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。 佳能半导体设备业务经理岩本和德表示,纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上,只需......
将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍,由此亟需下一代的光刻技术,去缩小晶体管的规模,延续摩尔定律。 多年以后,EUV已经成为下一代光刻技术中的佼佼者,其他的竞争技术,如自组装技术、电子束直写和纳米打印技术......
事关EUV光刻技术,中国厂商公布新专利;近日,据国家知识产权局官网消息,华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利,专利申请号为202110524685X。 集成......
()技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。本文引用地址:据悉,作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点,Intel 4与先前的节点相比,在性能、能效和晶体管密度方面均实现了显著提升。极紫外光刻技术......
光刻技术在性能(每小时处理的晶圆数量)和精度方面的又一次飞跃。新的光刻设备可实现每小时处理195片晶圆的处理速度,相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%,将来......
变得更实际。于是从上世纪80年代开始,业界就投入到了EUV光刻的研发,但直到21世纪出,这个技术才取得了业界认可的突破性进展。也就是在那时,芯片制造商表示,传统光刻将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍,由此亟需下一代的光刻技术......
IWAPS 2023 | 第七届国际先进光刻技术研讨会举办时间通知;近年来,集成电路产业已经成为世界各国越来越重视的战略性产业,尤其在中国,集成电路产业受到了前所未有的关注,并在......
中科院:上海光机所计算光刻技术研究取得进展;近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask......
制造技术上的增长速度。 据了解,该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%,电源效率提高了 15%,不过这一技术依然依赖于深紫外线(DUV )光刻技术。 相比之下,三星......
制造技术上的增长速度。据了解,该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%,电源效率提高了 15%,不过这一技术依然依赖于深紫外线(DUV )光刻技术。 相比之下,三星和 SK......
IWAPS 2023 | 第七届国际先进光刻技术研讨会举办时间通知;近年来,集成电路产业已经成为世界各国越来越重视的战略性产业,尤其在中国,集成电路产业受到了前所未有的关注,并在......
到2025年。 美光1γnm制程工艺的DRAM采用将EUV光刻技术,因为要减少资本开支,因此该技术将推迟到2025年,同时232层的NAND节点也被推迟。 今年Q3季度,美光......
持。 NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示:“计算光刻技术是芯片制造的基石。我们与 TSMC 和 Synopsys 围绕 cuLitho 展开合作,通过加速计算和生成式 AI 为半......
到其软件、制造工艺和系统中,在加速芯片制造速度的同时,也加快了对未来最新一代 NVIDIA Blackwell 架构 GPU 的支持。  NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示:“计算光刻技术......
优化过的工具和算法的库,其速度比当前基于CPU的方法快几个数量级。 据官方介绍,cuLitho在GPU上运行时,性能比目前的光刻技术(在硅片上创建图案的过程)提高了40倍,加速了目前每年消耗数百亿CPU小时......
池涉及在服务器平台上绑定多个 CXL 内存块以形成池,并允许主机根据需要从块中分配内存。这种方法最大限度地提高了效率并降低了运营成本。 美光将通过 EUV 光刻技术......
【倒计时3天】一张图了解“2021势银光刻胶产业大会”;6月24日-25日,2021光刻胶产业大会将在上海举办,大会将覆盖光刻胶及其配套材料、光刻技术、关键设备等三大主题。京东方、维信诺、TCL......
Blackwell 架构 GPU 的支持。NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示:“计算光刻技术是芯片制造的基石。我们与 TSMC 和 Synopsys 围绕 cuLitho 展开合作,通过......
率先使用极紫外(EUV)光刻技术,同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中,三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。 2021年11月......

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