资讯
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
实践中并不理想，因为增益将在工作范围内发生巨大变化。
在饱和状态下，跨导仅取决于输入电压。
短而宽的器件在给定的输入偏置电压下使电流增益最大化。
输出电阻
下一个感兴趣的参数是输出电阻（ro）。这被定义为晶体管的......
晶体管低频放大器(2023-06-25)
//RL。由于交流负载线与直流负载线均相交于Q，故通过Q点作出倾斜角a'=(arctg)1/RL的直线M'N'，称为交流负载线。
四、等效电路法与h参数
1、简化的h参数等效电路“微变”是指晶体管的Ib......
天天说卡脖子，7nm体现在晶体管的哪部分你知道吗？(2020-09-18)
存在任何一个组成部分的长宽高是 7nm。
而实际上，如果我们要追求晶体管上某部分参数的最小值，恐怕可以看一看 fin 宽度。比如 Intel 的 10nm 工艺，晶体管的 fin 宽度为 7nm——恐怕是整个晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管......
利用可用功率增益设计双边低噪声放大器(2023-12-18)
们绘制一些恒定GA圆，用于表1中f=1.4GHz的晶体管S参数。
表1.示例晶体管的S参数。Z0=50Ω。
正确地说，我们应该验证该设备在上述三个频率上都是无条件稳定的。但为了简洁起见，我只包括针对f......
仪器仪表稳流电源设计(2022-12-21)
足设计要求。
④调整管的确定
稳流电源调整管的选择很重要，大功率晶体管产品的选择余地很大，故本例未作详细的计算，已知电源电压uimax≈20v、供电电流icm=300ma，则最大集电极耗散功率pcm=6w，则选择的晶体管的参数......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
栅-源阈值电压。你需要更高的电压才能打开晶体管。
这个连续漏电流。这是流经晶体管的最大电流。
还有其他重要的参数也需要记住，不过这取决于你在做什么。但这不在本文的范围之内。记住以上两个参数，您就......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;新系列 将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思; 体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。 一般使用简介：
(1)“电压(v)／度”旋钮开关 此旋钮开关是一个具有4......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1所示，表示“该晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;
【导读】意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
在打开或关断状态下工作的开关应用。因此， 有时被称为数字晶体管。本文讨论了在开关应用中使用RET进行设计时的一些关键操作参数。
△ 配电阻晶体管(RET)
电压和电流(VI)参数
IC/IIN 是指RET......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-02)
低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。
Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
还绘制了放大器的功率效率。
推挽式B类功率放大器的功率术语。
图5.推挽式放大器的电源功率（PCC）、负载功率（PL）、晶体管功率（PTran）和功率效率与集电极电流（ic）的关系。
上图中使用的参数RL......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
45W晶体管电子管混合式功率放大器(2023-06-27)
偏压就要取得更负一些，反之，若运用时没有取到参数给出的阳极高压，栅极偏压的绝对值就要减小。电子管的典型工作参数可以从有关手册上查到。而且电子管的生产离散性相比晶体管要小得多，可以......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
温度测量或控制器，将采用的信号放大。放大电路的实质，是用较小的能量去控制较大能量转换装置，利用晶体管的以小控大作用，电子技术中以晶体管为核心元件可组成各种形式的放大电路。放大的前提是不失真，只有......
还搞不懂TIP147是什么管子？看这一文，引脚图+参数+工作原理(2024-01-22)
面积
3、TIP147 3D 模型
TIP147 3D模型
四、TIP147 三极管参数
晶体管类型： PNP 达林顿
最大集电极电流(IC )：-10A
最大集电极-发射极电压（V CE......
用LM317制作的功放电路(2023-06-20)
功率可达到30W
电路如图所示，晶体管VT1作为电压放大，因稳压集成电路IC1的输入阻抗高，故其工作电流只需0.6mA就足够了，R1，C3为电源退耦，C4用于防止寄生振荡，R3、R4分压给VT1提供......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
软件中配置测试视图以测量生物晶体管的Id-Vg
输出特性（Id-Vd）
另一种常见的测试是确定FET的输出特性，即漏极电流与漏极电压的相关函数，如图10所示。这些曲线是使用4200A-SCS参数......
用三端稳压LM317制作的甲类功放(2023-06-26)
标都不错，输出功率可达到30W
电路如图所示，晶体管VT1作为电压放大，因稳压集成电路IC1的输入阻抗高，故其工作电流只需0.6mA就足够了，R1，C3为电源退耦，C4用于防止寄生振荡，R3、R4分压给VT1......
了解单边低噪声放大器的设计(2023-12-18)
的量称为晶体管的噪声参数。我们不计算这些参数，而是由制造商给出或通过测量获得。Fmin有时以dB为单位表示为NFmin，它随着晶体管的偏置点、温度和操作频率而变化。RN参数是一个灵敏度因子，表明......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-05)
现更紧凑的设计。有关低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。
Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
可将电流从4ma调整到20mA的电流回路测试仪(2023-03-15)
第一个引脚是雨刷引脚。在任何应用中连接此电位器时都需要小心。
电路原理图
4-20mA 电流回路测试仪的完整电路图如下所示。
如您所见，电路非常简单，它由一个驱动晶体管的运算放大器组成。晶体管的......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展(2024-11-05)
性能FPGA平台上进行了实验验证。
随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大了晶体管功耗，进而使得晶体管......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
还具有无功负载保护和过压保护。
如果需要，许多 PAA 可以很容易地安装在额外的散热器上。
仅作为说明，在我们考虑基于放大器的 VS 之前，我们将研究几个基于二极管和晶体管的有用 VS。
基于二极管和齐纳二极管
的分压器 我们可能需要来自两个或多个低压电源的几毫安电流或来自普通直流电源的参......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
这里，大家发现，high-k材料有两个副作用，一是会莫名其妙地降低工作电流，二是会改变晶体管的阈值电压。阈值电压就是把晶体管的沟道打开所需要的最小电压值，这个值是非常重要的晶体管参数。
这个......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
撬开后，直接用手撬开即可。五、常见问题1、什么是IGBT模块？IGBT 是一种功率半导体芯片，是绝缘栅双极晶体管的简称。... IGBT 功率模块用作电子开关设备。通过交替开关，直流电 (DC) 可以......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN 指的是输入电压，最大输入电压为 431 V......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
还能仅在事先确定的信号到达时才工作，这时发挥的是开关作用。 我们常听到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶体管的集合体，是晶体管构成了其功能的基础。本文引用地址：
【晶体管的基本功能示意图】
作为开关使用的晶体管
下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
和衬底之间的区域）和衬底之间。
氧化物电容值可以使用以下方程式计算：
方程式3
和耗尽电容，使用这个：
方程式4
其中CGBO是栅极-体块重叠电容项，取决于晶体管的物理特性。
氧化物电容和耗尽电容彼此并联——当两......
性能提升20倍！美国全新纳米级3D晶体管面世(2024-11-07)
理工学院的科研团队独辟蹊径，选用了由锑化镓和砷化铟构成的超薄半导体材料，精心打造出这款新型3D晶体管。该晶体管不仅性能达到了当前硅晶体管的顶尖水平，更能在远低于传统晶体管的电压下实现高效运作。
此外，团队还创新性地将量子隧穿原理融入晶体管的......
使用SCR的电池充电器电路(2023-08-01)
可控硅栅极提供电流，从而触发可控硅并导通。可控硅将整流交流输入电压，并通过电阻器 R6 给电池充电。
当电池中的压降减小时，晶体管的正向偏置电流也会增大，从而为电池充电，当电池完全充满电后，晶体管 Q1 将再......
功率晶体管，连续六年创新高(2022-10-09)
要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格 (ASP) 创下十几年来的最高增幅。根据麦克林报告服务的第三季度更新，功率晶体管的 ASP 在 2021 年增长 8% 之后，预计 2022 年将增长 11% 。去年，由于......
150W功率放大器电路(2023-09-01)
欧姆的负载（扬声器）。本文引用地址：电路的原理：
该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。
Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。 一般......
电视发射器电路(2023-07-21)
发射机电路设计：
电视发射器电路设计说明如下。
音频信号通过电阻和电容（分别为 10Kohms 和 10uf ）加到晶体管的基极。晶体管的发射极与射频变压器相连。音频信号在此经过晶体管的预放大。
射频......
19种电压转换的电路设计方法(2024-04-25)
. 导通晶体管
2. 带隙参考源
3. 运算放大器
4. 反馈电阻分压器
在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数......
19个常用的5V转3.3V技巧(2024-10-22 16:05:36)
极-发射极结所起的作用与二极管钳位电路中的二极管相同。区别在于，发射极电流只有百分之几流出基极进入 3.3V 轨，绝大部分电流都流向集电极，再从集电极无害地流入地。基极电流与集电极电流之比，由晶体管的......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
。
晶体管诞生的第75年，还可以用哪些方法延续?
晶体管的诞生据说是创造了第一个组装晶体管，称为“点接触晶体管”。图片由诺基亚贝尔实验室提供
根据 Brattain......
支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统(2024-05-16)
。
III.有源整流电路设计方案
整流电路设计采用 90 nm BCD 工艺，由四个合理控制的功率开关管构成。这四个NMOS 晶体管起到等效二极管的作用，当晶体管导通时，正电流从源极流向漏极，实现......
相关企业
原厂原装进口元件，注重品质，质量第一是我司一贯的服务宗旨。提供三极管元件参数查询（元件PDF资料、参数查询元件、寻求替代品） 如需了解三极管的参数，请您和我们联系，我们会给您提供详细的资料。产品
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
的服务管理，向世界知名品牌公司看齐，确保所生产的晶体管达到专业化,高端华,精品化。成世界上晶体管的主要生产商之一。 SPTECH晶体管主要应用于加湿器、变频器、打印机、电源、汽车电子、点火器、发电机、无线
;徐圣海;;亚洲寻星网专业从事最新的卫星咨询,卫星电视节目的参数更新,争取做最全最快的参数网站,卫星器材最全的销售总汇.
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
测试仪、电参数测试仪、环境测试仪、实验室测试仪、电桥LCR表、信号测试仪、绝缘电子测试仪等产品的经销批发的私营有限责任公司。上海伊测电子科技有限公司A经营的电源、示波器、安规耐压、晶体管特性图示仪、电子
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业