资讯
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
VGS的通/断，MOSFET在截止区和可变电阻区来回切换。当MOSFET工作于恒流区时，可以通过控制VGS的电压来控制电流ID。
测试方法：同样的接线方式，在漏极D和源极S之间......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
此时的栅极电压VGS决定了漏极电流......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动电路。
2、NMOS管IRLR7843
在选择MOS管搭建H桥时，主要......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项(2023-12-19)
泵或自举架构来实现这些电压（例如，VCP 和 VGLS）。
然后来看图 2-1 的中间部分，可以看到功率级的另一个次要功能是调节或控制 FET 栅极上的信号。MOSFET 可以作为开关、电阻器或电流源（这取决于与漏极和源极电压相关的栅极电......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
值，漏极电压为“RDSON×电感电流”。从此时开始，当FET的栅极驱动转为关断时，漏极和源极之间的电阻值上升，漏极电压也开始上升。
当低边开关关断时，漏极和源极之间会产生容性分量COSS，部分电感电流......
变频器的30个基础知识（之三）(2024-03-26)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极与流经变频器和其他组件的数字输入和输出的电流......
变频器的30个基础知识（三）(2024-04-02)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极与流经变频器和其他组件的数字输入和输出的电流......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电流......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
-源极电压从0V线性增加到3V，然后变为电平。
VDD是常数1.2V。
图6显示了2ms瞬态模拟的结果。
模拟NMOS晶体管的漏极电流和栅极电压与时间的关系图。
图6。模拟的90nm NMOS晶体管的漏极电流和栅极到源极电......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
米线或碳纳米管等其他材料制成。
图7. ISFET
在本例中，参考电极连接到SMU1，施加电压并测量栅极电流。栅极电压在基准电极和衬底之间施加，并在FET的漏极和源极之间形成反转层。FET的漏极......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
者都存在时，它们会加在一起。在截止区，由于栅极和本体之间没有沟道，CGB的值是方程3和4的总和。一旦出现沟道，Cox就会与本体断开连接，正如我们之前讨论的栅极到源极/漏极电容。因此，CGD的值......
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-13 10:40)
牵引逆变器特性：-低导通电阻与高可靠性-车载裸片-通过AEC-Q100认证-漏极—源极电压额定值：VDSS＝1200 V-漏极电流（DC）额定值：ID＝（229）A[8]-低导通电阻： RDS(ON)＝7.2 mΩ（典型......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
的电压为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
阻降低（减小）了增益。总输入电压（VIN）被分配到M1的栅极-源极和源极电阻之间。因此，漏极电流随着输入电压的变化而变化得更慢。这减少了漏电流相对于M1的过驱动电压的非线性。
由此产生的大信号特性（图11......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
式12。
从方程式12中我们可以看出，源电阻降低（减小）了增益。总输入电压（VIN）被分配到M1的栅极-源极和源极电阻之间。因此，漏极电流随着输入电压的变化而变化得更慢。这减少了漏电流相对于M1的过......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-10)
压(绿色迹线)达到栅极开启电压，漏极-源极电压就会开始降低。请注意，在所有这些测试中，初始漏极电流均为0 A。
•漏源电压的快速下降会导致DESAT输入电压反转。它源于先前在D1和D2高压......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
间电压
U
GS
来控制漏极电流
i
D
，因此，它和......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
体材料由于高温而分解）。
更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
对栅源电压的导数。
跨导在线性区域可以定义为：
方程式2
对于饱和区域，为：
方程式3
其中：
ID是漏极电流
VGS是栅源电压
VDS是漏极到源极电压
Vth是阈值电压
μ是晶......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
关节点电压为负斜率时，外部栅极-源极电压也会出现明显的尖峰。在图14中，在71.2 μs处的共用驱动电压上也可以看到这个尖峰。
我们可以对漏极-源极电压与漏极电流的乘积进行积分，根据积分周期（导通、关断......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
了器件总电容与温度的关系。
图 8：45 mOhm CoolSiC? MOSFET 的典型器件电容与漏极-源极电压（左）和相关开关能量（右）与漏极电流的函数关系（VGS = 15 / -5 V，RGext......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
)、S(源极)。
工作原理：一般衬底和源极短接在一起，Vds加正电压，Vgs=0时，PN结反偏，没有电流，Vgs加正电压，P衬底上方感应出负电荷，与......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-09)
栅极开启电压，漏极-源极电压就会开始降低。请注意，在所有这些测试中，初始漏极电流均为0 A。
•漏源电压的快速下降会导致DESAT输入电压反转。它源于先前在D1和D2高压二极管中累积的反向偏置电荷。如......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。
对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。
2.1 如何打开MOSFET
下面是一个打开MOSFET的电......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-mode为常开型器件，在通常状态下（栅源极电压VGS=0），漏极和源极之间已存在2DEG，器件呈导通状态；当栅源极电压VGS<0时，漏、源极之间的2DEG断开，器件截止。在电力电子应用中，常开......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化(2023-08-17 15:05)
，厚度＝2.3
10.0×13.0，厚度＝3.5
6.5×9.5，厚度＝2.3
绝对最大额定值
漏极-源极电压 VDSS（V）
40
漏极电流......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
文中，我们将讨论三种类型的意外功耗：
传导损耗。
切换损耗。
栅极电荷损失。
传导损耗
传导损耗是电流流过MOSFET沟道的非零电阻时消耗的功率。完全增强型MOSFET的漏极到源极电阻由RDS......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
避免米勒效应或在某些负载下的慢速开关所导致的交叉导通损耗，驱动器必须以比相对晶体管上的导通状态驱动更低的阻抗建立关断状态。 负栅极驱动裕量对于减少这些损耗起着重要作用 。
源极电感
这是栅极驱动器电流环路和输出电流环路共享的电感。负栅极驱动电压裕量与源极......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
置有两种模式：
▸导通模式：在进入导通模式之前，源极电压低于漏极电压，电荷泵和 N 沟道 MOSFET 均被禁用。随着源极电压变得比漏极电压大，正向电流流过 N 沟道 MOSFET 的体二极管。一旦......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
漏极电流（DC）ID......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。
（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC）
MOSFET的消耗功率是用漏极源极......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
提高了 MOSFET 的开关速度。传统的 TO-247N 三引线封装无法将栅极驱动与高漏极电流导致的寄生源极引线电感隔离开。栅极电压施加在栅极和源极引脚之间。由于源极寄生电感 (VL) 上的压降，芯片上的有效栅极电......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02 14:13)
”）已推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款产品具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品......
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-02-02)
”）已推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款产品具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
的漏极和源极之间，则可以减少或消除 FET 关断时的急剧电压上升。使用 RC 缓冲电路以避免振荡非常重要。通过执行双脉冲测试找到电阻器和电容器的正确组合也很重要，因为它将在实际应用中使用。 铁氧......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
关管Q1关断时，漏极电流迅速下降，变压器原边电流给Cds充电，D1导通。由于C1容值远大于Cds，所以Lk释放的能量主要给C1充电。
由于电容电压具有不能突变的特性，且电容值越大电压变化率越小，因此......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
一个MOS 管的导通电阻是20mΩ，1A 的反向电流就会在MOS 管漏极和源极之间产生20mV 压降。这时的栅源电压
V G S ( o n ) V_{GS......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29 15:23)
规格（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号
TPH3R10AQM
绝对最大额定值
漏极-源极电压VDSS（V）
100
漏极电流......
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