东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。
采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“”低16%[2]。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%[3]，使其适合线性模式工作。而且降低导通电阻和扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量。此外，其栅极阈值电压范围为2.5V至3.5V，不易因栅极电压噪声而发生故障。
新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装。
未来，东芝将继续扩展其功率MOSFET产品线，通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗。
应用
- 数据中心和通信基站等通信设备的电源
特性
- 具有业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 宽安全工作区
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
|
器件型号 |
|
||
|
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
100 |
|
|
漏极电流（DC）ID（A） |
Tc＝25℃ |
120 |
|
|
结温Tch（℃） |
175 |
||
|
电气特性 |
漏极-源极导通电阻RDS(ON) 最大值（mΩ） |
VGS＝10V |
3.1 |
|
VGS＝6V |
6.0 |
||
|
总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC） |
83 |
||
|
栅极开关电荷Qsw典型值（nC） |
32 |
||
|
输出电荷Qoss典型值（nC） |
88 |
||
|
输入电容Ciss典型值（pF） |
5180 |
||
|
封装 |
名称 |
SOP Advance(N) |
|
|
尺寸典型值（mm） |
4.9×6.1 |
||
|
库存查询与购买 |
|
||
注：
[1] 在设备运行时，在不关闭系统的情况下导通和关断系统部件的电路。
[2] 截至2023年6月的东芝调查。
[3] 脉冲宽度：tw＝10ms，VDS＝48V
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过8,598亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：