资讯
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅极......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
管结构。
图1.具有寄生电容的MOSFET结构。
电容值会随着工作区域的变化而变化，我们将在接下来的部分中讨论。
栅源和栅漏电容
虽然图1中没有显示，但在晶体管制造过程中，源极和漏极在栅极下方略微延伸。在栅极与源极或漏极......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
满足目标退化或测试时间标准。热载流子寿命由退化与应力时间数据确定。
使用Keithley 4200测试热载波寿命
在热载流子测试开始之前，必须建立漏极和栅极应力偏置电压。以确保通道热的真实性载波条件下，推荐的最大漏极......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表针指示欧姆数应该越小越好，一般能指示到0欧姆。
这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，所以万用表指针偏转，偏转的角度大（欧姆指数小）证明......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
真面目！;
硬件设计 | MOS管篇
一般情况下，普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
5、MOS管输......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
大栅源阈值电压为2.3V。
★3.漏源导通电阻（Rds）：该电阻是MOS管导通时，漏极和源极之间的损耗内阻，将会决定电机转动时，MOS管上的发热量，因此一般越小越好。LR7843的漏源导通电阻为3.3mΩ。
★4......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。
5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
实际上对氧化物场应力有两个敏感区域，如图 3 左侧部分所示。首先，讨论的是电场区域中反向模式的应力其次，靠近漂移区和栅极氧化物之间的界面，其次是在导通状态下受应力的栅极和源极之间的重叠。导通状态下的高电场被认为更危险，因为......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
耦合电容将RF信号与漏极和栅极上的直流偏置电压去耦。主电源电压通过电感施加到FET晶体管的漏极。
图1.耗尽型RF放大器的简化架构。
耗尽型器件的一个重要特性是，当栅极电压等于0 V时，漏源......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
，交流耦合电容将RF信号与漏极和栅极上的直流偏置电压去耦。主电源电压通过电感施加到FET晶体管的漏极。
图1.耗尽型RF放大器的简化架构。
耗尽型器件的一个重要特性是，当栅极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
电压必须大于导通晶体管所需的阈值电压。
现在，最大源极漏极电压通常明显高于最大源极栅极电压，限制了电路的输入电压。
如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压，则应......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
情况可以通过最小化 mos 管 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡，还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。
十一、“米勒”效应
mos 管 在其栅极和漏极......
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项(2023-12-19)
端子之间的阻抗
• 使用示波器探测栅极、漏极和源极电压以检查稳定性和振铃
• 使用 DMM 检查栅极和栅极电源电压之间的阻抗
• 使用示波器探测栅极电源电压以确保稳定性
• 使用 DMM 或 LCR 确认......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
)。
漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
同时使用三台SMU进行扫频，使在三端器件上的4200A的直流偏置加倍。栅极和源极SMU在同一极性上同时扫描，以避免设备的开态状态的影响。漏极SMU将扫描源极和栅极的相反极性，从而使差分电压翻倍。这支持在漏极......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
扫频，使在三端器件上的4200A的直流偏置加倍。栅极和源极SMU在同一极性上同时扫描，以避免设备的开态状态的影响。漏极SMU将扫描源极和栅极的相反极性，从而使差分电压翻倍。这支持在漏极处进行高达400V......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
静态特性主要是表征器件本征特性指标。即当器件的工艺结构或材料发生变化时，都需要进行直流I-V特性的测试。MOSFET的静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
一个MOS 管的导通电阻是20mΩ，1A 的反向电流就会在MOS 管漏极和源极之间产生20mV 压降。这时的栅源电压
V G S ( o n ) V_{GS......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
镓功率器件和低压MOSFET串联，共用栅极和源极，形成常关器件。
（2）E-mode/增强型
E-mode（Enhance-mode/增强型）为常关型，使用方式类似传统硅MOS，器件结构简单，适合......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
管的长度和宽度。图片由Robert Keim提供
对于这个，我选择了90纳米的长度和360纳米的宽度。
绘制漏极电流和栅极电压
我们可以使用图4的示意图对该电路进行快速检查，并确定其近似阈值电压。请注意：
栅极......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
导通性能和开关动作下降。
本文介绍了 SB MOSFET
的特性和特性，以及为什么次线性是由源极侧而不是漏极侧引起的。为了支持要使用的各种实验和模拟，使用了具有硅化镍源极和漏极触点的双栅极硅纳米线晶体管。
该晶......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
是一种既可以输出又可以测量电流和电压的仪器，可以用来对FET的栅极和漏极施加电压。如图1所示，Keithley 4200A-SCS参数分析仪是多个SMU与交互式软件相结合的集成系统。这种......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
也可以使用二极管连接的晶体管作为负载。在这种配置中，增加的MOSFET的栅极和漏极端子短路在一起，如图6的左侧部分所示。小信号等效模型如图右侧所示。
左：栅漏）。右：的小模型。
•图6。栅极-漏极......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
值也可变化20%。基于所有这些原因，不需要无源设备的负载选项是值得关注的。
带二极管连接负载的共源放大器
代替电阻，我们也可以使用二极管连接的晶体管作为负载。在这种配置中，增加的MOSFET的栅极和漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
加正向电压后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极形成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压取消或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路主要分为两种。
PMOS管开关电路，栅极与源极之间的电压
V......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
，Infineon-沟槽,M1-沟槽,M2-平面
DIBL效应和栅极电荷
由于上述的DIBL效应，与IGBT相比，SiC MOSFET的输出特性看起来有所不同。在相同VGS条件下，器件......
PMOS开关典型电路工作原理及分析(2024-09-25 17:14:11)
MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极......
使用数字万用表对IGBT模块进行检验(2023-03-15)
数字万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时igbt模块被触发导通，数字万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
之后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
通过寄生串联电感和电阻或电阻抗和热阻抗影响芯片性能。封装引脚加上键合和金属掩模可增加高达10mΩ的串联电阻。
为了量化这些影响，可以访问三引脚MOSFET的内部节点，如栅极、漏极和源极（参见图5......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
的正极
漏极-电池的正极
电源-被供电的正极
栅极-电池负极或者接地
使用......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
的高性价比电源开关解决方案。
为了让器件电压更高，可增加漏极和栅极之间的距离。由于GaN 2DEG 的电阻率非常低，与硅器件相比，增加阻断电压能力对导通电阻的影响要小得多。
GaN FET 的工作模式可以构造为两种配置，即增......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
。
从表面上看，GAA和栅极夹杂在源极和漏极之间的MOSFET很类似。另外，GAA同样包含了Finfet，但和目前fin是垂直使用的Finfet不同，GAA的Finfet是在......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能(2024-11-21 11:00)
Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cascode GaN 器件（低压 Si MOS 和高压 GaN HEMT......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-29)
金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-28)
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容;本文引用地址：
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极......
相关企业
粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
、隔离和更多。我们的产品包括变压器的音频、栅极驱动、电力、医疗/牙齿,wall-mount和插入式应用程序,以及电感电流的感觉,普通模式、环形、过滤和权力的应用
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
安装维修：空调移机、加液、热水器、拆装、更换马桶、浴缸、维修马桶、阀门、水龙头、自来水明管、暗管漏水、安装增压泵、返溢器。改装PPR上水管，1-6楼各种下水管、天井改建、室内装潢。 高 压 清 洗
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元
;联勤科技有限公司;;公司主要生产功率MOS,低 中 高压都有,特殊MOS可定做.
;深圳泛辉科技;;希格玛高压MOS管 cool mos 现有型号：4N60 4N65 10N60（常规/cool mos） TO-220封装 本公司最新推出高压MOS管.用于代替IR,FSC,ST
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
;深圳市中冀联合科技股份有限公司;;代理强茂（肖特基）、DIODES、深爱（国内自己做晶圆的厂家，主要做低压mos管）、新功率（国内第一家拥有COOL mos技术的厂家，低压到高压的mos管都