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左右的第一代产品，其物镜的NA数孔径是0.33。根据ASML表示，第2代的EUV光刻机目前已经进入开发阶段。 据了解，首代EUV光刻机量产的型号为NXE：3400B，其产能为每小时125PWH......
区总裁沈波接受媒体采访时透露，到2023年底，ASML在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台。 沈波表示，去年ASML全球净销售额达212亿欧元，预计2023财年，公司全球销售额增长30%，将达270......
原因可能就是上海微电子光有技术不行，没有配套的产业链帮助提供组件。 提到荷兰ASML，相信大家都不陌生，作为全球顶尖的光刻机制造商。ASML仍旧是迄今为止，全球唯一一家具备EUV光刻机量产能力的设备供应商。 但是......
。 数据显示，截至2023年年底，ASML在中国的光刻机及量测机台装机量已接近1400台。这表明中国市场对ASML光刻机的需求一直保持在较高水平，ASML也在持续地向中国市场交付设备。 今年3月26......
，ASML用第一台步进式光刻机迈入中国市场，如今该公司在中国的总装机量已超过1000台。目前全球各地的晶圆制造厂都要依赖ASML的中高端光刻机。 数据显示，2021年，ASML在中......
得说。 第一季产品重点摘要 深紫外光（DUV）微影：持续出货NXT：1980浸润式微影系统给记忆体客户及逻辑晶片客户来进行10奈米量产和7奈米制程开发，目前NXT：1980浸润式系统的累积装机量......
中国半导体厂商再引入ASML光刻机！;近日，上海鼎泰匠芯科技有限公司（以下简称“鼎泰匠芯”）洁净室交付，首台ASML光刻机设备搬入。 鼎泰......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机;ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机......
压印技术，完全有替代EUV光刻机的可能性，目前国内也在研究这个技术。 不过研究最好的还是日本的佳能，佳能在NIL技术上专利全球最多，且已经有了量产机器，目前在改进精度，希望国产加油，也能够赶紧推出NIL光刻机......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机; 6月16日消息，去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外，同时正在研究更强大的Hyper NA......
，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。 接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前......
半年交付。 量产型的NA 0.55光刻机是Twinscan Exe:5200，产能提升到200WPH，每小时200片晶圆，预计会在2024年下线，Intel的20A工艺正好是在2024年量产。 封面......
东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶;在三星电子尝试重构EUV光刻胶供应链的推动下，东进世美肯所研发的极紫外光刻胶，已在去年年底被用于他们的一条量产工艺线。而相关媒体最新的报道显示，所研发的极紫外光刻胶已进入三星电子量产......
是未来科技和经济的基石，影响国家、社会未来发展，甚至改变全球格局。从手机、电脑、电视到汽车，芯片广泛应用。 中国以前无法在10年内制造EUV光刻机，甚至遭到ASML威胁，但预计2025年将推出样机，2030年实现量产，解决......
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了;6月16日消息，去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外，同时正在研究更强大的Hyper NA......
），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。 台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计......
的十年时间里，阿斯麦总共售出大约140套EUV光刻机，现在每一套系统的成本高达2亿美元。 晶圆代工厂商频繁下单 2017年，ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出。此后三星的7nm......
成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。事实上，早在今年年初，英诺赛科就和ASML达成了批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 英诺......
计划在其18A(1.8nm)工艺节点使用ASML的高NA EUV光刻机，2025年量产，但后来提前到了2024年下半年，等不及ASML的新机器。 于是，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产;芯片制造的核心设备则是光刻机。光刻机通过发光将光掩膜上的图形投射在硅片上，制作成芯片。随着芯片精密程度越来越高，光刻机......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产;芯片制造的核心设备则是光刻机。光刻机通过发光将光掩膜上的图形投射在硅片上，制作成芯片。随着芯片精密程度越来越高，光刻机......
推测他们所使用的设备应该就是ASML最新一代的0.33NA EUV。光刻机设备与芯片制程工艺相匹配，目前EUV光刻机暂时能满足量产3nm的需要，但是3nm以下工艺却难以胜任。这也是ASML加速研发新的光刻机的原因之一。 据近......
布收购将以不超4.328亿美元的价格收购英特尔旗下子公司IMS，后者专注于研发和生产电子束光刻机。业界称，台积电此举可确保关键设备的技术开发，并满足2nm商用化的供应需求。 三星在已量产第二代3nm......
存储市场吹响EUV光刻机集结号;AI浪潮下，存储市场DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的方向发展，EUV光刻机担当重任。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV光刻机生产DRAM芯片，美光......
, 这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。 除了光刻机，其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征......
。 根据公司高管日前透露的消息，NA=0.55的EUV光刻机今年底会出货首个商用原型，2025年会正式量产。 他没有公布具体哪家公司会首发NA=0.55光刻机，但之......
体设备厂佳能就与存储芯片大厂铠侠，以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社(DNP)合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发基于纳米压印(NIL) 的量产技术，可以不使用EUV光刻机，就能......
ASML首台High-NA EUV光刻机或将于年底前交付;据路透社报导，全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示，尽管有些供应商遇到了一些阻碍，但今......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品 通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产 佳能将于2023年1......
将于明年年底推出初始版本，量产型号将于2024年底或2025年初推出。 相比DUV浸没式光刻机采用193nm波长的深紫外光，EUV光刻系统中使用的极紫外光波长仅为13.5nm。EUV单次曝光就可以替代DUV的多......
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
卡车分批次拉到工厂。 目前安装的还只是核心组件，全部搞定需要250多名ASML、Intel的工程师，耗时约6个月，然后还得花时间调试。 这台光刻机主要作为研究之用，将会在Intel 18A节点上进行测试，但大规模量产......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品——i线※1步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option”。该产......
代EUV光刻机达到4亿美元，昂贵的芯片制造设备正在快速推高芯片制造的成本。 此前台积电曾计划量产的3nm工艺最终没有一个客户接受，除了该工艺量产时间晚、性能不达标之外，还在于它的成本太高了，之前......
量提升、助力客户产能扩张 ASML是荷兰光刻机企业，具备高端光刻机EUV量产能力。ASML今年第二季度财报显示，该公司当季总共出货91台光刻机，其中EUV光刻机出货量有所提升，从第一季度的3台增......
工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。 报导指出，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光......
片晶圆的路线图。 英特尔希望在2nm领域拔得头筹 为了在先进制程技术上重回领先地位，英特尔已经率先斥巨资拿下了ASML的首批High-NA EUV光刻机，预计先在即量产的Intel 18A制程......
NA EUV光刻机。此外，Christophe Fouque还确认，英特尔的第二套High NA EUV光刻机已经组装完成。 Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机......
是普通的EUV光刻机，已经被证实可用于2nm芯片制造，台积电、三星都将在2025年实现量产。 美国的“囤货奇居”大概率达不成相应的效果，海外媒体纷纷做出回应：“光刻机市场要变天了！”这意思也很明显，那就是光刻机......
纳米及更先进制程，必须借助光刻设备转印半导体电路图案。追逐先进制程的芯片制造厂商中，台积电和三星均已引入光刻机。目前，台积电和三星已进入5nm工艺的量产阶段，台积电代工的产品包括苹果A14、M1、华为......
。Rapidus的目标是在2027年在日本国内量产2nm制程芯片，目前正寻求产业链的合作。 2nm关键设备EUV，厂商“抢疯了” 随着EUV光刻机在7nm以下制程的重要性日益增强，半导......
俄罗斯首台光刻机，真的制造成功了;2022年，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS)  宣布，正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口：这套光刻机能够使用7nm生产......
购买ASML光刻机，晶瑞电材拟投建ArF光刻胶研发项目;8月11日，晶瑞电子材料股份有限公司（以下简称“晶瑞电材”）发布公告称，公司......
等浸入式 DUV，这些设备最高可支持 5nm 工艺，台积电就使用 SAQP 和氩氟浸没 (ArFi) 光刻实现了 7 nm 量产。 ASML 在售的浸没式光刻机......
2025间在其上面进行研发，并有望在2025到2026年间进行大规模量产。据悉，High-NA光刻机可以在关键层上做更小的CD。 据悉，High-NA光刻机可以在关键层上做更小的CD，但是......
为Hyper-NA EUV有望在这个十年结束后成为现实，即客户将在2024到2025间在其上面进行研发，并有望在2025到2026年间进行大规模量产。据悉，High-NA光刻机......
件台技术架构已经成为全球300mm和200mm晶圆量产生产线中的先进光刻技术代表 。 英诺赛科将在今年第二季度搬入首批光刻机，这是第三代半导体领域首次量产应用先进的ASML TWINSCAN......
高端市场要变天?佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机; 12月7日，日本宣布将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的新产品——i线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option......
生产最新12nm芯片，三星逆势计划新增10台EUV光刻机; 由于内存价格暴跌，、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资，降低了产能，然而作为内存一哥不为所动，不仅不打算减产，甚至......
每台售价超过3.5亿美元，能使半导体制造商制造电晶体线宽更小的芯片。 台积电考虑用High NA EUV光刻机生产A10制程芯片，比2025年底2nm领先约两代，代表2030年后才能看到这种机器大规模量产......

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