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广泛应用于手机/WiFi 等消费品电子领域,其射频性能虽略逊于氮化镓射频器件,但成本和良率方面存在相对优势,完全可以满足民用需求; GaN PA 具有最高的功率、增益和效率,但成本相对较高、工艺成熟度低于砷化镓......
省科技厅官网截图 消息显示,三大平台分别为:一是搭建生产代工平台。建设第三代半导体工程中心,覆盖碳化硅功率器件氮化镓射频器件、功率模块封测、微波毫米波组件封测等产线,实现从材料、芯片......
晶圆制造能力。 此外,5G通讯的革命性转变重塑了射频技术产业,也为我国氮化镓器件带来重大的市场机遇。5G通讯基站是氮化镓市场主要驱动因素之一,氮化镓射频器件......
去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元,电信基础设施占比过半; 【导读】yole group近期发布了关于射频氮化镓器件市场的调查研究。报告显示,2022年射频氮化镓器件市场价值13亿美......
氮化镓射频器件市场规模2028年有望增至27亿美元; 【导读】据研究机构Yole Intelligence统计,2022年全球GaN射频器件市场规模达到了13亿美元,预计到2028年将......
/PI/英诺赛科将占据2021年GaN功率市场前三名。与此同时,全球GaN功率市场规模预计将从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元,CAGR达94%。 从氮化镓射频......
技术产业,也为我国氮化镓器件带来重大的市场机遇。5G通讯基站是氮化镓市场主要驱动因素之一,氮化镓射频器件主要应用于无线通讯,占比到达49%。氮化镓材料耐高温、高压及承受更大电流的优势使得射频器件......
电路   业绩表现:实现销售收入 15.22 亿元,同比增长 4.14%;因碳 化硅产能的持续释放,成本降低,毛利率有所提高,加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进, 集成电路整体毛利率增加 7.75......
(全耗尽绝缘体上硅)工艺研发线、RF-SOI(射频绝缘体上硅)工艺生产线。 布局发展宽禁带半导体。支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、外延、设计及制造全产业链发展,支持龙头企业发展IDM(垂直......
发展6-8英寸碳化硅功率器件氮化镓功率器件氮化镓射频器件晶圆制造技术研发及产线建设,突破SiC MOSFET制造工艺、GaN HEMT等关......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行,暌违三年有余,作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行,暌违三年有余,作为......
在 LDMOS 工艺正在被氮化镓( GaN )工艺取代。这是给半导体产业带来的第一个挑战,也是机遇。 目前,射频器件中的功率放大器主要采用基于硅的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术......
IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议;• 以 IQE 强大的氮化镓创新技术为基础• 行业龙头企业结成伙伴关系,以亚洲市场增长为重点IQE plc(AIM 股票代码:IQE,以下......
开发大功率碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、高速高功率氮化镓射频器件等产品。开展碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体材料研究。 3、扩大先进封测产能 引进专业化龙头封测企业,提升龙头企业......
约6亿元博康(嘉兴)半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工;据国家级嘉兴经济技术开发区消息,3月6日,博康(嘉兴)半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工仪式在嘉兴经开区城南街道工业园区举行。项目......
铁建工集团公众号消息,1月10日,中铁建工集团旗下“中国电科射频集成电路产业化项目”已经建成完工,该项目总投资超过30亿元。 项目建成后将形成年均5亿只射频集成电路,6万片4~6英寸氮化镓射频功率器件......
集成电路产业化项目”已经建成完工,该项目总投资超过30亿元。 项目建成后将形成年均5亿只射频集成电路,6万片4~6英寸氮化镓射频功率器件,1000万只射频模块的设计、生产、测试能力。 格晶......
为全球领先的第三代半导体GaN(氮化镓器件设计公司,申请布局了D3GaN技术的关键专利,在此基础上成功开发了硅基氮化镓大功率晶体管和模块,正在将其推向EV电动汽车市场,产品可广泛使用于电能转换、快速充电、射频和功率器件......
光电实现销售收入 15.22 亿元,同比增长 4.14%;因碳化硅产能的持续释放,成本降低,毛利率有所提高,加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进, 集成电路整体毛利率增加 7.75 个百分点。   (1)、射频......
资本担任独家财务顾问。本轮融资将用于建设能华微电子在长三角地区的第二家FAB(制造车间)。 据介绍,能华微电子成立于2010年6月,是目前国内唯一一家能够自主研发氮化镓外延片、功率器件和射频器件的半导体企业。公司产品包括硅基氮化镓......
光电产业园、晋城光机电产业园等半导体产业集聚区,培育了一批骨干企业,在砷化镓、碳化硅等化合物半导体材料,碳化硅单晶生长炉等半导体装备,短波红外探测器、深紫外LED、LED照明及显示模组等半导体器件......
/K,极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制,还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。 (a)1英寸金刚石基阵列化氧化镓......
产线正式通线! 据“华通芯电”介绍,华通芯电封装产线专注于氮化镓射频功率器件模组和硅基射频功率器件模组的封装与测试。自今年7月正式通线以来,已成功开发出300W和700W的微波射频器件模组,并计......
及制造全产业链发展,支持龙头企业发展IDM(垂直整合)模式。布局4-6英寸碳化硅衬底片、外延片生产线,加速8英寸项目研发及产业化,建设6-8英寸及以上碳化硅芯片生产线,支持建设硅基/碳化硅基氮化镓功率/射频器件......
国一直是产业的先行者,曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品,并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发,2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件......
微在海宁基地有36万片/年的射频芯片产品(其中包括砷化镓射频芯片18万片/月、碳化硅基氮化镓芯片6万片/月、VCSEL芯片12万片/月)的规划布局,目前已经相关部门审批,将进入开工建设阶段。 封面......
射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景,英飞凌认为,未来GaN的全......
射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景,英飞凌认为,未来GaN的全......
年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品,并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发,2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。 能讯半导体自主开发了氮化镓......
集成电路领域的先进技术以及新产品的研发能力,进行建设和运营。 该项目布局射频集成电路设计、制造、封测全产业链关键环节,实施包括6英寸工艺氮化镓(GaN)射频功率器件制造,设计年产能6万片,配套提升射频......
GaN芯片龙头英诺赛科登陆港股,募资约14亿港元;国际电子商情2日讯 12月30日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下称英诺赛科)正式挂牌港股。此次上市标志着英诺赛科作为氮化镓功率半导体领域的龙头企业......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,可以用在高功率、高速的光电元件中。 在......
、OPPO、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS等国内外厂商开展深入合作,进行功率器件和射频器件的应用开发。 三安光电旗下湖南三安半导体有限责任公司主要从事碳化硅、硅基氮化镓等研发及产业化,包括长晶—衬底......
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
于降低单位芯片的成本。 从碳化硅衬底尺寸上看,4英寸衬底主要用于制造氮化镓射频器件等;6英寸衬底是目前导电型碳化硅市场的主流产品规格;8英寸衬底方面,Wolfspeed、英飞凌等行业龙头公司已成功研发并建设8......
集成电路产品的设计、封装、测试和销售,产品主要用于5G通信基站; 国联万众主营业务之一为氮化镓通信基站射频芯片的设计及销售; 氮化镓通信基站射频芯片主要客户为安谱隆等射频器件厂商,应用于5G通信......
角国创中心已在长三角区域累计组织实施了57项颠覆性技术创新项目,其中国创中心累计支持6.45亿元,带动地方投入支持8.77亿元。已有11个项目达成研发目标并实现A轮融资,部分项目进入B轮,其中氮化镓射频技术、碳化硅外延设备等5个项......
新扩充产能已进入量产阶段,有效产能将在第三季度逐步释放,产能不足问题得到缓解。随着产能逐步释放,加上产品交付能力的大幅提升,营收规模将会持续扩大。 砷化镓射频上半年扩产设备已逐步到位,产能达到8000片/月,出货......
半导体项目,是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设,项目总投资35亿元,计划分两期实施。一期工程计划投资15亿元,建设4/6英寸砷化镓生产线,主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL......
达系统中发挥重要作用,而SiC在射频领域的应用主要涉及碳化硅基氮化镓射频器件,随着技术的升级该类器件有望开启广泛应用。 在市场表现方面,整体上SiC的商用进程要稍快于GaN。今年7月,Yole Group化合......
现有的昆明物理所、蓝晶科技、北方夜视、京东方等骨干企业,引进武汉长飞、武汉烽火、深圳欧菲光科技等行业龙头企业,重点发展材料深加工和光电子元器件、OLED微型显示器、半导体照明器件、光纤......
前端芯片制造,细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年,网络连接的数字化、智能化进一步深入发展,对射频前端芯片制造的标准提出了更高的要求。三安......
前端整合解决方案的公司,主营业务为射频前端芯片制造,细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年,网络连接的数字化、智能化进一步深入发展,对射频......
前端整合解决方案的公司,主营业务为射频前端芯片制造,细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年,网络连接的数字化、智能化进一步深入发展,对射频......
中微公司:MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证;8月22日,中微公司在互动平台上表示,公司制造硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证;此外,制造MicroLED应用......
尽型绝缘层上硅)核心技术攻关,支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化,重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件,发展光刻机、缺陷......
,市占率打入全球前三 英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。 2017年11月,英诺科技在珠海率先建立了8英寸硅基氮化镓器件......
英飞凌完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems),成为领先的氮化镓龙头企业;英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家......
英飞凌完成收购氮化镓系统公司 (GaN Systems),成为领先的氮化镓龙头企业;【2023 年 10 月 25 日,德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓......

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;吉华高新技术;;吉华高新技术有限公司是国家高新技术企业之一,国内新型电子元器件龙头企业的广东风华高新科技股份有限公司(股票名称:风华高科000636)的控股子公司,总资产1200万元。 本公
电子——你可信赖的国内外品牌电子元器件独立分销代理商! 公司成立已有20多年历史,一直以成为国内电子元器件龙头企业为目标,作为中国民营企业,我们公司致力于开拓各种存储器和消费类电子和工业应用IC市场,经营
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
;Eastman;;龙头企业
;广东风华高科吉华高新技术有限公司;;吉华高新技术有限公司是世界十大电子元器件制造商之一,国家高新技术企业之一,国内新型电子元器件龙头企业的广东风华高新科技股份有限公司(股票名称:风华
同守信用单位”、“铜标准件龙头企业”、“省技术明星企业”等荣誉称号。并在同行业中率先通过ISO9001:2000国际质量管理体系认证。从原材料-铜材-铜标准件,一条龙生产各种规格,型号的(国标;英标;美标;德标
;广东风华吉华高新技术有限公司;;吉华高新技术有限公司是世界十大电子元器件制造商之一,国家高新技术企业之一,国内新型电子元器件龙头企业的广东风华高新科技股份有限公司(股票名称:风华高科000636
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作,为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营:微波、毫米波(砷化镓场效应管、砷化镓
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