技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服江宁区人民政府信息显示，总投资30亿元的五十五所射频集成电路产业化项目正在紧张施工，目前部分厂房已主体封顶，预计今年年底正式投产。
射频集成电路产业化项目效果图（来源：创新江宁）
据江宁融媒体中心此前报道，该项目于2017年6月签约，2018年开始建设，由南京国博电子有限公司依托母公司五十五所在国内射频集成电路领域的先进技术以及新产品的研发能力，进行建设和运营。
该项目布局射频集成电路设计、制造、封测全产业链关键环节，实施包括6英寸工艺氮化镓（GaN）射频功率器件制造，设计年产能6万片，配套提升射频集成电路研发设计和封装测试能力，形成年产5亿只射频集成电路、1000万只射频模块的设计、生产制造能力。
同时，围绕5G宏/微基站用GaN功率管、移动终端用毫米波器件、组件及天线阵列等产品开发，覆盖毫米波频段，相关产品将达到国际先进水平，预计项目达产后年产值可超30亿元。
近年来，江宁开发区集成电路产业布局中，第三代半导体领域以龙头企业中国电子科技集团第五十五研究所为引领，主要从事射频电子、功率电子两大板块产品的研发和生产；高端设计领域集聚了台积电设计服务中心、钜泉光电总部及MCU研发中心、航天龙梦总部及国产芯片研发中心等重点项目；在重点科研平台方面拥有毫米波及射频电子国家重点实验室、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、砷化镓微波毫米波单片集成电路和多芯片模块国家级重点实验室等。
封面图片来源：创新江宁
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。