为促进南沙半导体与集成电路产业高质量发展，近期，广州南沙工信局印发了《广州市南沙区半导体与集成电路产业发展规划（2024-2028）》（以下简称《规划》）。

《规划》提出，到2028年，南沙区半导体与集成电路产业总产值规模突破300亿元；6英寸SiC衬底良率达到国内领先水平，8英寸SiC晶圆制造工艺实现规模量产；半导体与集成电路产业相关从业人员超过15000人；突破2项以上重点环节“卡脖子”技术。

《规划》明确了广州南沙未来半导体与集成电路的发展重点与方向，分别为晶圆制造、封装测试、特色发展芯片设计、关键设备供给和专用材料布局，并提出了具体的发展路径及方向、发展目标。

晶圆制造产线具有规模性、平台性、带动性三大特色，有着良好的生态促进作用，较大规模的晶圆制造产线可以在较短时间内推动当地形成半导体与集成电路产业生态。未来广州南沙将围绕硅基及第三代半导体全面布局，坚持晶圆代工和IDM模式协同发展。

第三代半导体制造方面，重点发展6-8英寸碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、氮化镓射频器件晶圆制造技术研发及产线建设，突破SiC MOSFET制造工艺、GaN HEMT等关键技术。

硅基晶圆制造方面，积极引进1-2条12寸硅基晶圆制造产线，大力推动项目投产。重点建设MCU、手机基带电路、FPGA芯片、物联网逻辑电路等逻辑芯片制造能力，推动提升功率器件、模拟器件、显示驱动器件、射频器件和MEMS传感器等产品晶圆制造产能，重点突破28nm逻辑芯片工艺和FDSOI工艺等关键技术。

《规划》提出，到2028年，晶圆制造环节产值规模超过150亿元，培育年主营收入超过30亿元的企业1家，全区建成2条以上不同尺寸、不同材料的晶圆制造产线，折合6英寸年产能超过60万片。

广州南沙将加强对接国内龙头企业，积极争取建设规模较大的先进封装测试产线；推动周期短、见效快的分立器件封装测试及传统封装生产线项目的建设与投产。封装测试环节将以传统封装、先进封装、模组封装为重点发展方向。

未来，将重点发展硅基MOSFET/IGBT器件、射频芯片、MEMS传感器等特色工艺芯片封装，提升TO、SOP、SOT、QFN、QFP等传统封装形式产品产能；同时重点发展图像传感器、存储器、处理器等数字芯片封装及测试，大力提升硅通孔、球栅阵列、凸点、晶圆级封装、系统级封装等封装形式产能，布局三维封装、面板极封装等先进封装技术；此外，南沙还将重点发展功率器件、存储器、传感器等模组封装，大力提升IGBT模组、SiC器件模组设计制造能力，布局SSD模组、传感器模组制造，快速扩大产业规模，形成产业集聚。

《规划》提出，到2028年，封测环节产值规模超过45亿元，引进培育主营收入超过5亿元的企业1家，器件封装及模组制造年产能突破10亿只，建设成为广东省重要的封装测试基地。

南沙区拥有千亿级汽车产业和人工智能产业这两个吸引力较强的芯片应用场景和需求市场，依托汽车和人工智能产业比较优势，吸引领先汽车和人工智能芯片企业落地，是南沙区半导体与集成电路产业实现突破发展、提升汽车产业供应链安全稳定、推动人工智能产业提升能级的重要举措。

未来，南沙芯片设计环节发展重点主要聚焦功率器件与功率集成、数模混合芯片、EDA/IP、数据传输芯片、人工智能芯片、控制类芯片、MEMS传感器以及现场可编程门阵列。包括打造有影响力的汽车芯片产业集群；支持人工智能企业在南沙布局人工智能芯片业务；聚焦高端芯片、操作系统等领域关键核心技术，加强通用处理器、云计算系统和软件关键技术一体化研发等。

到2028年，芯片设计环节总体销售额突破15亿元，其中汽车领域销售额超过5亿元。引进、培育1家以上销售额超2亿元的集成电路设计企业落地南沙，推动形成3款以上研发在南沙的芯片产品。

设备环节以晶圆制造设备、封装测试设备、设备领域见微发展重点。具体包括积极发展镀膜沉积设备、磁控溅射设备、离子蚀刻设备、量测设备、清洗设备等产品领域；重点发展封装切割设备、高精度半导体固晶机、晶圆级封装设备等产品领域；重点发展高端光源、探测器、探针卡、镜头、精密运动设备等产品，提升电子产品关键模块技术，支持零部件企业联合应用厂商，加大自主研发攻关。布局二手设备翻新、半导体设备零部件、半导体设备贸易等领域。

到2028年，广州南沙半导体设备环节总体产值规模超过30亿元，引进或培育1家以上年销售额超过3亿元的细分领域龙头企业，2家以上年销售额过亿元的骨干企业。在半导体封装切割设备、高精度半导体固晶机、晶圆级封装设备等领域实现技术突破和规模供应，加快国产设备技术创新。

《规划》提出，要将广州南沙将第三代半导体材料和封装基板发展成为南沙区半导体与集成电路材料产业的拳头产品，支持国内外领先企业在南沙布局第三代半导体衬底、外延材料制造和技术研发，支持南砂晶圆在建项目尽快建成投产。

同时，面向半导体与集成电路材料应用需求，支持龙头企业牵头建设应用示范线，重点突破半导体与集成电路材料的质量控制、批量化稳定生产、低成本工艺应用，推动关键环节半导体与集成电路专用材料研发与产业化。

在材料环节，广州南沙将第三代半导体材料、封装测试材料、晶圆制造材料以及电子特气作为主要发展方向。

未来南沙将重点发展SiC、GaN衬底、外延材料等第三代半导体材料；突破积层法多层板等新型封装基板技术；金属靶材、合金靶材等高纯度靶材，形成规模供应能力，突破陶瓷靶材、8N纯度以上靶材生产工艺等技术；抛光垫、抛光液、光刻胶、清洗剂等晶圆制造材料、以及外延用气体、刻蚀用气体等用量较大的气体产品。

《规划》提出，到2028年，材料环节总体产值规模超过60亿元，在6英寸碳化硅衬底及外延片、干法ArF光刻胶、电子特气等重点领域招引、培育一批优质企业，建成全球领先的第三代半导体材料研发制造基地、国内领先的封装基板制造基地，重点晶圆制造、封测项目材料供应基本实现就近配套，建成电子化学品专区。

此外，《规划》还从开展精准招商，促进产业延链强链；强化创新驱动，增强产业源头供给；加强园区建设，提高产业承载能力；加速人才聚集，夯实产业发展基础；注重生态打造，构建产业发展体系等方面提出了重点任务。