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基本半导体完成B轮融资，将加强碳化硅器件研发(2021-01-05)
快新一代的驱动控制技术升级，特别是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。
封面图片来源：拍信网......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
结合硅基IGBT和碳化硅器件的优点，混合模块可以在高频开关应用中实现更低的开关损耗，同时在低频应用中保持较高的导通效率。成本效益：相比于全碳化硅模块，混合模块在保持较高性能的同时，显著降低了成本，这对......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
端车型上使用硅基IGBT；在高性价比的中端车型上，搭载IGBT和碳化硅的混合器件，达到既高效又低成本的要求；而高端车型上，则沿用碳化硅功率模块来实现最佳的性能。
与此同时，混合器件的方案还可以兼容400V......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大功率器件的热耗散和高密度......
5亿！浙江碳化硅企业完成B轮融资(2024-10-29)
吉利孵化的功率半导体公司，晶能微电子聚焦于硅IGBT和碳化硅MOSFET的研制与创新，业务涵盖新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等领域。
产能方面，据“温岭品质新城”官微消息，晶能......
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？(2023-04-05)
能源车中的核心地位开始被动摇。
据Qorvo高级现场支持工程师周虎介绍，碳化硅之所以在新能源汽车中更被看好，源于其独有的技术特性。碳化硅器件导通后的特性类似于电阻，且导通阻抗相比硅基IGBT更低，其损......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大的热耗散和高密度集成，高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件；高的临界位移能使碳化硅器件的抗辐射性能优于Si器件。
主要......
功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”(2023-05-16)
产品进展顺利，去年碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，待交订单超过1000万元，投片量逐月稳步增加。车规级碳化硅MOS和碳化硅模块研发工作进展顺利，已完成多款碳化硅MOS模块产品出样。华润......
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计(2024-02-26)
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计;长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
其中，在汽车高密度......
碳化硅功率器件在新能源汽车领域有哪些应用呢？(2023-08-03)
可以应用于车载充电器中，实现高效率、高密度、小型化的设计，提高充电效率和充电速度，降低充电成本。
功率控制单元：碳化硅器件可以应用于新能源汽车的功率控制单元中，实现高效率、高可靠性、低损......
第三代半导体的技术价值、产业发展和技术趋势(2021-08-25)
以下的中低功率领域。
除高速之外，碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。
功率密度是器件......
这才是第三代半导体的最佳应用场景(2020-12-14)
速开关带来的电磁干扰问题同样突出，因此宽频域电磁干扰预测及高密度电磁干扰滤波是今后的行业研究重点之一。
“碳化硅器件的价格目前还很高。”上海电驱动股份有限公司副总经理张舟云表示，“但随着碳化硅产品在特斯拉Model3和比......
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
模块
值得注意的是，东芝也展出了其SiC混合模块，该混合模块是介于硅和碳化硅之间的产品，可称之为混合型的IGBT。该器件采用PMI封装方式，内部的IGBT（IEGT芯片）采用硅材料，但是二极管部分采用碳化硅......
平创半导体与CISSOID共建高功率密度和高温应用中心(2022-10-18)
表示，“我们与平创半导体的紧密合作将致力于开发出新型封装设计，使碳化硅功率器件与耐高温SOI驱动电路更加紧密结合，尽可能减小寄生电感，以求将碳化硅器件的性能发挥到极致，并使整体方案更加精巧，便于高密度......
中国车用碳化硅功率模块的成长之路(2023-08-08)
MOS替换硅基IGBT后，会获得电机控制器的效率的提升，NEDC工况下，对电池续航的贡献提升在3%-8%之间，所以电控应用对碳化硅器件的需求最为迫切。同时，在国......
平创半导体与CISSOID共建高功率密度和高温应用中心(2022-10-17)
与耐高温SOI驱动电路更加紧密结合，尽可能减小寄生电感，以求将碳化硅器件的性能发挥到极致，并使整体方案更加精巧，便于高密度紧凑安装，为各个电力电子领域提供高温和高功率密度应用产品和解决方案。”
图......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！(2023-09-21)
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！;碳化硅器件（SiC）在新能源汽车领域对传统硅基（Si-）IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有......
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速(2023-10-27)
逆变器是光伏系统的核心部件，可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电系统或供离网的电网使用。IGBT是光伏逆变器的核心器件之一。随着碳化硅在光伏领域应用逐渐成熟，碳化硅器件......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和碳化硅（SiC）功率器件是两种主流的解决方案，它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。
一、硅基IGBT在新......
SIC功率器件在新能源领域所发挥的作用都有哪些(2023-08-15)
相比硅基功率 器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现 功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至原来的 1/10，导通......
碳化硅在电动汽车中主要应用(2024-01-24)
优势使它们在各种应用领域中受到广泛关注，从而推动了半导体行业的不断创新和进步。
碳化硅(SIC)是什么
定义：SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件......
电动汽车推动光储充市场发展再提速，看安森美高性能产品解决之道(2023-10-17)
而言是非常大的市场，采用碳化硅器件则是提高系统功率密度与转换效率的一种非常有效的方式。
事实上，SiC产品作为安森美重点产品线，安森美现已实现了SiC产业链的垂直整合，是世......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
，碳化硅肖特基无反向恢复电流，被广泛应用于光伏逆变器中的MPPT电路中，可显著减小损耗，优化散热，降低成本。
本文将重点介绍碳化硅材料和碳化硅功率器件在光伏逆变器中的应用优势。
01 碳化硅......
蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列实现量产(2022-06-23)
符合客户应用需求的高性能，高可靠性的产品，而不仅是推出没有明确目标与应用场景的通用型产品。让产品的性能数据说话，让产品的稳定质量与稳定供货说话，让蓉矽成为一家值得客户信赖的国产碳化硅器件......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
华以新能源汽车举例介绍，碳化硅功率器件本身相比硅器件具备省电优势，可提升续航能力约 5%；应用沟槽结构后，可实现更低电阻的设计。
在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本。
......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
，因此碳化硅器件的漂移区厚度可以大大降低。对于1200V及以下的碳化硅器件来说，沟道电阻的成为总电阻中占比最大的部分。因此，减少沟道电阻是优化总电阻的关键所在。
再来看沟道电阻的公式。
式中......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线;中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品......
富乐徳半导体产业、碳化硅器件和模块的研发、封装等项目落地浙江丽水(2023-02-17)
总投资15亿元，主要建设碳化硅器件生产线和碳化硅功率模块生产线。建成达产后，项目年产值预计12亿元。
封面图片来源：拍信网......
800V架构下电机面临的两大要求(2023-03-21)
工作频率进行开关动作，从而降低了对电容和磁性元件的性能要求，可以用重量更轻、成本更低的电容和电感来实现相应模块，这对电动汽车减轻重量、延长续航时间很有意义
通过将硅基IGBT替换成碳化硅器件，不仅可以改善器件......
芯联集成2024H1业绩稳健增长，PCIM Asia展现背后技术创新实力(2024-09-11)
有多款塑封和灌胶模组产品已量产，沟槽栅SiC MOSFET平台预计将于2025年推出。
当然，对于碳化硅应用而言，其面临的一大难题是“如何将碳化硅器件成本做到能与硅基器件相匹配的水平”。芯联集成方面表示，将碳化硅单器件或单位电流密度的成本降低到硅基器件......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
盟强执行钛金效率要求，甚至有些客户需要电源效率高达98%。
目前，服务器电源的功率等级已从800W提升到1.3kW，甚至4kW，因此对功率密度以及效率提出了非常高的要求。氮化镓的开通与关断损耗与碳化硅、硅器件......
浅谈新能源汽车电驱系统的核心技术(2023-06-26)
机、DC-DC转换器上，将有更大的用武之地，能给整车能效和充电体验带来进一步提升！
△ 碳化硅器件在新能源车中的应用
这里要特别表扬下国产品牌比亚迪，BYD是全球唯一实现碳化硅器件自研自产的车企！
3......
深度解析电动汽车电驱动系统的核心技术(2024-03-04)
基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比IGBT模块方案，可以实现从电池到电机路径，约5%的效率提升，也就......
碳化硅功率半导体：进入放量窗口期，降本提质是关键(2023-04-12)
场中第三代半导体概念公司已经超过80家，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等都是其中的代表性材料。有机构预测，去年全球碳化硅器件市场规模43亿美元，2026年有望成长至89亿美元。
相较......
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源(2024-11-08)
接近的竞品相比，该电源的氮化镓和碳化硅器件数量要少25%，进而降低了整体成本。该电源的输入电压范围为180至264 Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保持时间为10ms......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对......
瑞萨电子与 Wolfspeed 签署 10 年碳化硅晶圆供应协议(2023-07-06)
求急剧增加。 瑞萨电子正在迅速采取行动，通过扩大其内部制造能力来满足功率半导体不断增长的需求。 该公司最近宣布在甲府工厂扩产 IGBT，并在高崎工厂建立碳化硅生产线。
与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件......
中电科二所研制出山西省首片碳化硅芯片(2022-02-28)
整线工艺调试，并成功产出碳化硅芯片。
根据报道，中电科二所有关负责人表示，下一步，研究所将推进实验室二期碳化硅芯片中试线和碳化硅器件智能封装线的建设。
封面图片来源：拍信网......
市场一片火热，第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？(2021-07-29)
计划今年发布的纯电轿车也将搭载采用SiC模块的第二代电驱平台。预计未来将有越来越多的新能源车型采用碳化硅器件以全面替代硅基IGBT，为碳化硅器件带来巨大的市场需求。
图3：特斯拉Model 3采用......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
的百分之一，而用碳化硅制成的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件可将导通阻抗降低到常规硅器件的十分之一. 由于碳化硅技术可以有效降低二极管的反向恢复电流，因此功率器件......
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产(2021-06-24)
绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
项目建成达产后预计可实现年产值120亿元，可直......
20亿美元保证金！瑞萨电子和Wolfspeed达成10年晶圆供应协议(2023-07-06)
裸晶圆和外延片。
与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。在能源意识日益增强的世界中，碳化硅在电动汽车、可再生能源和存储、充电基础设施、工业电源、牵引......
陕西半导体先导技术中心举办中试线通电仪式，将开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试(2021-11-19)
陕西半导体先导技术中心举办中试线通电仪式，将开展氮化镓和碳化硅器件研发与中试;11月18日上午，陕西半导体先导技术中心有限公司（以下简称“陕西半导体先导技术中心”）宣布......
宽禁带半导体的“左右互搏”(2023-03-27)
有行业人士表示，如果特斯拉通过电机革新、提高芯片功率密度、创新封装技术、 提高母线电压、改进电驱系统等措施，来降低全碳化硅动力总成的成本，这对SiC产业不是利空而是利好，为SiC在更大范围内取代硅基IGBT创造......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
些改进很快就会被设备固有的开关损耗所抵消。此外，逆变器的工作频率有一个限制，超过该限制，由于设备的开关周期较长，则无法进行操作。
氮化镓和碳化硅技术相辅相成，并将继续使用。氮化镓器件在数十伏至数百伏的应用中表现良好，而碳化硅......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
只能工作在20kHz以下的频率。由于材料的限制，高压和高频硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适用于600V至10kV的宽电压范围，而且具有单极器件的优良开关性能。与硅IGBT相比，当开关电路中没有电流拖尾时，碳化硅......
清华大学苏州汽车研究院联合至信微电子共建“碳化硅联合研发中心”(2023-03-28)
成果转化平台、碳化硅创新企业孵化平台、碳化硅技术服务平台和碳化硅专业人才培养平台。
“碳化硅器件的优异性能在提高电力利用效率的各解决方案中能够起到关键作用。越来越多车企开始在电驱系统中导入碳化硅SiC技术......
电动汽车电驱动系统核心技术是什么(2024-03-26)
用在主逆变器上，还可以应用到高压充电桩、高压电池Pack、OBC充电机、DC-DC转换器上，将有更大的用武之地，能给整车能效和充电体验带来进一步提升！
△ 碳化硅器件在新能源车中的应用
这里......
浅谈电驱系统的演进路线及最核心技术(2023-01-12)
小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比IGBT模块方案，可以......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
机功率相同的情况下可以通过提升电压来降低电流强度，从而使得束线轻量化，节省安装空间。
图源：天风证
虽然当前碳化硅器件单车价格高于Si-IGBT，但上述优势可降低整车系统成本。2018年特斯拉在Model3中首次将Si IGBT替换为SiC......
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品广泛应用于半导体发光二极管（LED）、高功率高频电子器件等。公司同时建设了配套的蓝宝石和碳化硅单晶衬底加工线，采用自有的衬底加工技术，可以向客户提供开盒即用的蓝宝石和碳化硅单晶衬底。是国
德国工艺制造的高温真空反应烧结炉和完备的产品检测设备，并 结合自身技术优势，精选高纯碳化硅为原料，生产具有高导热、高密度、高强度、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、耐急冷急热、 导热好、热效率高、使用寿命长等一系列优良特征的碳化硅
硅管）,规格有:2寸,3寸,4寸,5寸,6寸碳化硅管;碳化硅舟,规格有:2寸,3寸,4寸,5寸,6寸;型号有:棒型舟（或叫四方舟）,半圆型舟,平板舟.桶型舟等;悬臂梁.和碳化硅浆（可以替代进口）可以
;协立通商（上海）贸易有限公司;;日立变频器、日立高压IC集成芯片、日立空压机（压缩机） 日立空调、日立喷码机、日立功率二极管、碳刷、高密度碳化硅陶瓷、玻璃状炭素、铝陶瓷、碳素滑动零部件、 阴极
余人，高中级技术人员20余人，总资产1000万元以上。 本公司专业生产各种高低压电瓷和碳化硅窑具产品。主要有盘形悬式瓷绝缘子、针式瓷绝缘子、棒形支柱瓷绝缘子、穿墙瓷套管、变压器瓷套和碳化硅棚板、碳化硅
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅