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约6亿元博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工;据国家级嘉兴经济技术开发区消息，3月6日，博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工仪式在嘉兴经开区城南街道工业园区举行。项目......
去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元，电信基础设施占比过半; 【导读】yole group近期发布了关于射频氮化镓器件市场的调查研究。报告显示，2022年射频氮化镓器件市场价值13亿美......
建GaN项目，年产能为3000片 3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，该项目占地面积46667平方米，其中一期用地约33200......
芯片的产能提升。 博康建GaN项目，年产能为3000片 3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，该项目占地面积46667平方米，其中......
广泛应用于手机/WiFi 等消费品电子领域，其射频性能虽略逊于氮化镓射频器件，但成本和良率方面存在相对优势，完全可以满足民用需求； GaN PA 具有最高的功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度低于砷化镓......
光电实现销售收入 15.22 亿元，同比增长 4.14%;因碳化硅产能的持续释放，成本降低，毛利率有所提高，加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进， 集成电路整体毛利率增加 7.75 个百分点。 　　(1)、射频......
晶圆制造能力。 此外，5G通讯的革命性转变重塑了射频技术产业，也为我国氮化镓器件带来重大的市场机遇。5G通讯基站是氮化镓市场主要驱动因素之一，氮化镓射频......
/PI/英诺赛科将占据2021年GaN功率市场前三名。与此同时，全球GaN功率市场规模预计将从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元，CAGR达94%。 从氮化镓射频......
微在海宁基地有36万片/年的射频芯片产品（其中包括砷化镓射频芯片18万片/月、碳化硅基氮化镓芯片6万片/月、VCSEL芯片12万片/月）的规划布局，目前已经相关部门审批，将进入开工建设阶段。 封面......
电路 　　业绩表现：实现销售收入 15.22 亿元，同比增长 4.14%;因碳 化硅产能的持续释放，成本降低，毛利率有所提高，加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进， 集成电路整体毛利率增加 7.75......
技术产业，也为我国氮化镓器件带来重大的市场机遇。5G通讯基站是氮化镓市场主要驱动因素之一，氮化镓射频器件主要应用于无线通讯，占比到达49%。氮化镓材料耐高温、高压及承受更大电流的优势使得射频......
氮化镓射频器件市场规模2028年有望增至27亿美元; 【导读】据研究机构Yole Intelligence统计，2022年全球GaN射频器件市场规模达到了13亿美元，预计到2028年将......
国一直是产业的先行者，曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频......
中国电科十三所等股东持有的博威公司和国联万众的部分股权或全部股权。 图片来源：中瓷电子公告截图 公开资料显示，中国电科十三所氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为氮化镓射频芯片，频率......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。 能讯半导体自主开发了氮化镓......
前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片制造的标准提出了更高的要求。三安......
前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频......
前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频......
外延片（EPI）、碳化硅氮化镓外延片（EPI）、氮化镓功率场效应管（HEMT）、氮化镓射频场效应管、GaN快充电源模块设计等，贯穿半导体制造全流程。 8、Porotech完成2000......
角国创中心已在长三角区域累计组织实施了57项颠覆性技术创新项目，其中国创中心累计支持6.45亿元，带动地方投入支持8.77亿元。已有11个项目达成研发目标并实现A轮融资，部分项目进入B轮，其中氮化镓射频技术、碳化硅外延设备等5个项......
新扩充产能已进入量产阶段，有效产能将在第三季度逐步释放，产能不足问题得到缓解。随着产能逐步释放，加上产品交付能力的大幅提升，营收规模将会持续扩大。 砷化镓射频上半年扩产设备已逐步到位，产能达到8000片/月，出货......
先进披露了旗下第三代半导体产线技改项目环评表。 根据公告，长飞先进第三代半导体产线技改项目位于安徽芜湖市弋江区，拟采购产线瓶颈设备，提升现有第三代半导体产线产能至年产6英寸碳化硅功率产品6万片/年、年产4、6英寸氮化镓射频......
/K，极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制，还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。 （a）1英寸金刚石基阵列化氧化镓......
省科技厅官网截图 消息显示，三大平台分别为：一是搭建生产代工平台。建设第三代半导体工程中心，覆盖碳化硅功率器件、氮化镓射频器件、功率模块封测、微波毫米波组件封测等产线，实现从材料、芯片......
贸易战持续叠加疫情影响，料砷化镓射频厂商今年整体衰退3.8%;集邦咨询旗下拓墣产业研究院表示，在中美贸易战和新冠肺炎疫情的双重夹击下，相关射频前端器件IDM大厂与制造代工厂营收受到影响，且2020......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。 在......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？; 来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。 氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
功率半导体生产企业开发大功率碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、高速高功率氮化镓射频器件等产品。开展碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体材料研究。 3、扩大先进封测产能 引进专业化龙头封测企业，提升......
更名为Soitec Belgium N.V.。EpiGaN是Soitec一年前收购的氮化镓（GaN）外延硅片材料供应商。加入Soitec后，EpiGaN 成为旗下氮化镓业务部门，进一步加强了公司针对射频......
电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。 消息显示，晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育的第三代半导体氮化镓......
材料被广泛应用于功率元件、微波射频元件、光电子元件，氮化镓功率元件于消费电子市场率先放量。 近日召开的2022亚洲充电展上，小米、OPPO、联想、安克创新等品牌的多款氮化镓功率芯片充电器集中展示，超20家氮化镓......
产线正式通线！ 据“华通芯电”介绍，华通芯电封装产线专注于氮化镓射频功率器件模组和硅基射频功率器件模组的封装与测试。自今年7月正式通线以来，已成功开发出300W和700W的微波射频器件模组，并计......
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
域的竞争似乎也日趋白热化。而在背后还隐藏着一哥射频大玩家——Qorvo。 作为射频领域的专家，Qorvo 预测， 8GHz 以下砷化镓仍是主流， 8GHz 以上氮化镓替代趋势明显。砷化 镓作......
基础设施的优势。 Transphorm在氮化镓外延片的设计、开发以及各种突破性高压氮化镓平台的生产方面拥有超过十年的经验。作为一家半导体先驱企业，上述专长让Transphorm进入了功率和射频氮化镓......
购Nitronex，进入氮化镓（GaN）领域。当然，更重要的，Nitronex是一个拥有大量硅基氮化镓专利的公司。后面我们收购了基于封装技术的公司，主要服务于高可靠性的微波和射频应用，比如军工、航天，而它......
（GaN）通信基站射频芯片与器件等产品，产能规划为600万只/年。 中瓷电子表示，博威公司主营业务为氮化镓通信射频集成电路产品的设计、封装、测试和销售，主要产品包括氮化镓通信基站射频......
基于第三代半导体射频微系统芯片研究项目启动;据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频......
中瓷电子资产重组将落地，第三代半导体业务加速发展;11月17日，中瓷电子发布并购重组修订公告称，公司拟向中国电科十三所发行股份购买其持有的博威公司73%股权、氮化镓通信基站射频......
公司”)，注册资本为5亿元人民币，专项负责推进、实施所投资项目。 据介绍，微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币，其中设备投资36.05亿。建成后，年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓微波射频......
投资25.24亿元，射频厂商扩建氮化镓晶圆厂;1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货; 【导读】瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频......
其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景，英飞凌认为，未来GaN的全......
其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景，英飞凌认为，未来GaN的全......
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。” 格芯......
。 格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。 格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频......
州工业园区发布此前消息，晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延材料领军企业，申请专利近400项，授权近百项。2014年晶......
投资3.45亿美元，MACOM扩建氮化镓晶圆厂;1月14日，美国射频厂商MACOM宣布拟投资3.45亿美元（折合人民币约25.28亿元），对其......

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度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过