资讯
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做吸收电路。
一般Si MOS的Vgs电压工作范围为正负20V，超过这个电压，栅极容易被击穿，所以在米勒振荡严重的场合，需要加限压的稳压二极管。但更......
EMI总不过？老师傅给了90种整改方法，轻轻松松！(2024-10-16 23:32:18)
干扰有较大的衰减作用；
2、可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔要闭环。
3、处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
4、在变......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
钳位
尽管RCD钳位与RCD吸收电路可以完全相同，但元件参数和工况完全不同。RCD吸收RC时间常数远小于PWM周期，而RCD钳位......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流，可由下面吸收电路计算得到。
考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高，所以选择1500V的MOS管，其损耗为
式中，
Co.Q——MOS管输......
带你快速搞定积分放大器(2024-11-21 14:19:56)
带你快速搞定积分放大器;
今天给大家分享的是积分放大器。
主要是以下几个方面：1、积分放大电路，2、积分放大电路如何分析？3、积分放大电路原理，4、积分放大电路公式推导，5、积分放大电路......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
管功耗也越大。
低功耗
低功耗主要反应在ESR（等效电阻）要小，MOS管就能满足要求，因为一般MOS管的Rdson（等效导通电阻）都是毫欧级别。
2.MOS管的简化等效电路......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
开关。
有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
从MOS管特性描述来看，欧姆模式最适合抑制浪涌电流。至于R1、R2、C1的计算，可以用下面的公式：
在相同的R1下，C1越大，MOS管工......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路......
加湿器工作原理与电路图(2023-01-13)
驱动，在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路，升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。
(2)雾化片一端接MOS管S端，S端串接采样电阻采样电流Icur，另一端通过滤波电路检测电压FB来追频，以......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
不加以限制，MOS 管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施，把这个尖峰吸收掉。
反激变换器设计中，常用图 9（a）所示的电路作为反激变换器的钳位吸收电路（RCD钳位吸收）。
RClamp 由下......
设计一个缓冲电路抑制浪涌(2024-11-23 18:23:13)
的设计
放电型RCD缓冲电路的设计与RC缓冲电路的设计基本相同，但由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述：
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
，为了RC 缓冲电路充分吸收电压尖峰，RSNB 和CSNB 的谐振频率ωSNB 必须比电压尖峰的谐振频率ωSURGE 低很多，需要结合算式(5)所示的RC 缓冲电路的谐振频率ωSNB 来确认。
（5......
DC-DC开关电源学习：Buck芯片、提高效率、电感选型、消除Buck转换器EMI(2025-01-12 11:32:09)
效率的方法：
1、使用
小的MOS管，将两个MOS管并联可以进一步减小MOS管的
；
2、使用DCR小的电感，开关频率越高，使用的电感越小
3、输出......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
级踩在较高的电压上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
二极管的缓慢反向恢复
诸如特斯拉线圈之类的高 Q 谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。
在某些调谐条件下，当一个 mos 管 关闭......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
拉电阻。
由曲线性RC电阻实现的开启延迟
两个线性RC电路（每个电路由47KΩ电阻和1nF电容组成）延迟MOS管的......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
，接下来就要讲讲它的放电电路了。充电是从外界吸收电能，放电是向外界（负载）提供电能，这就是电池的使命。
锂电池的放电过程，其实就是等效于电容的放电过程。电容两端连接电阻负载，形成......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
对小信号的检测。
为了消除偏置电路引入的噪声和漂移，同时还能提供足够的电流用来驱动MOS 管，比较器的公共端（接地端）悬空连接到电源电压（
V B A T T V_{BATT......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极......
一种基于铝基板的加热台设计与实现(2023-03-10)
上。
2.2.4 加热驱动电路
加热驱动电路选用的是下桥驱动，选用N 沟道的MOS，MOS管打开即可开始加热，因为本文设计功率为24 V200 W，所以需要选用合理的MOS 管，以防止炸管，为考......
BUCK/BOOST电路原理分析，总结的太到位了！(2024-10-28 19:03:53)
调整率等性能也较差，特别是对模拟电路供电时，将产生较大的影响。
因开关电源工作效率高，一般可达到80％以上，故在其输出电流的选择上，应准确测量或计算用电设备的最大吸收电......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
软开关可以利用结电容或者并电容，然后串电感实现串联ZVS，例如准谐振反激，有源箝位吸收电路，移向全桥的软开关。
也有LC并联ZCS，不过用的很少，因为MOS管ZVS的损耗小于ZCS。
LLC属于......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
-MOS管
ODR输出1：
N-MOS截止，IO端口电平不会由ODR输出决定，而由外部上拉/下拉决定 在输出状态下，输出的电平可以被读取，数据存入输入数据寄存器，由CPU读取，实现CPU读取输出电平 所以......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大电压范围。
d. **VDSS（漏源间可承受的最大电压差值）**：该值一般我们看最小电压值，在实际设计中mos管DS端的电压差值也应远小于该值，并留有较大余量。（例如该mos管为75V，那么......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
以加一个光耦
2、对于感性负载
比如电动机，因为它的内部有线圈，100W的电动机在启动的时候可能达到1000W，因此这类电器电路就要加多一个阻容吸收电路，必要时候同时加一个压敏电阻，可以使10471，根据......
变频器主电路设计和计算(2023-08-25)
模块耐压的瞬时过电压很容易导致模块电压击穿损坏。 对母线瞬时过电压一般在母线上并高频吸收电容保护模块。 如主回路电路图中的电容C。 其他的吸收形式如RC吸收、RCD吸收在变频器中都不常用。
慎重选择吸收电路的形式并仔细选择吸收电容的型号、容量、耐压......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
在发生短路负载情况时将升压转换器与电源断开。
该开关可以实现为
MOS管、负载开关、具有内置保护开关的升压转换器集成电路或者保险丝。
三、使用MOS......
浅谈可穿戴物联网设备的一些电源设计挑战(2024-06-20)
) 吸收电路
虽然我们已经尽一切努力减少寄生电阻和电感，但这是尺寸受限的可穿戴式设计。接地平面和电源平面无法达到应有的大小。此布局中的配置应允许放置 RC 吸收电路。虽然这些元器件最初不需要填充，但是......
STM32端口输入输出模式配置(2022-12-19)
-MOS导通，引脚联通GND。**该方式既提高电路的负载能力，又提高开关速度。 **
开漏输出：无法直接输出高电平，要在外部连接上拉电阻才行，输出的电压由上拉电阻连接的电源决定。适合做电流型的驱动，其吸收电......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
之后芯片内置MOS管可能会容易损坏，因此，一般都要增加吸收电路。
如下图是反激式开关电源局部电路，看看改变电阻R1阻值，Uds波形参数会有什么变化，取R1分别等于360K、180K、106K，市电......
这些电气符号、字母含义你认识多少(2024-12-29 09:04:32)
符号图标大全及实物对比
6、三极管、MoS管、IGBT的区别在哪里
7、电气......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用？;
MOS管在电路中作为开关，NMOS和PMOS开关连接方式不同，开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端，正极......
反相输入放大器与生俱来的坑(2024-04-22)
生俱来的有个小缺陷，反相输入放大器的输入阻抗不是很高，而我们在电路设计中一般希望放大器的输入阻抗要高，这样放大器才不会从信号源吸收电流，才不会影响待放大信号以及对电路的放大结果产生影响。
为什么这么说呢？请看......
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析(2024-11-17 11:29:59)
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析;
开关电源开关管(MOS管)，有几种驱动电路？你都知道哪一种？
......
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