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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-05)
上管驱动采用擅长的隔离技术进行设计,传输延时典型值仅30ns,并且上下管驱动的传输延时匹配在10ns以内,能够实现对GaN开关管设置几十纳秒以内的死区时间。同时,NSD2621内置20ns~100ns......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-03)
满足GaN 应用的需求。NSD2621上管驱动采用纳芯微擅长的隔离技术进行设计,传输延时典型值仅30ns,并且上下管驱动的传输延时匹配在10ns以内,能够实现对GaN开关管......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-02-06 09:46)
采用纳芯微擅长的隔离技术进行设计,传输延时典型值仅30ns,并且上下管驱动的传输延时匹配在10ns以内,能够实现对GaN开关管设置几十纳秒以内的死区时间。同时,NSD2621内置20ns~100ns可调......
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纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K(2023-01-29)
,并且上下管驱动的传输延时匹配在10ns以内,能够实现对GaN开关管设置几十纳秒以内的死区时间。同时,NSD2621内置20ns~100ns可调的硬件死区时间,可以......
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谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
显得尤其重要了。
二、MOS管驱动要求
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管......
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MOS管驱动电路有几种,看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管......
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电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
进行功率放大,以驱动功率开关器件的开断。优良的驱动电路能够提高数字电源的可靠性,减少器件的开关损耗,提高能量转换效率并降低EMI/EMC。
2、驱动电路的分类
驱动电路按照功率器的件接地类型分为直接接地驱动和浮动接地驱动......
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MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
MOS管驱动电路设计;因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个,其的就很关键。下面分享几种常用的。本文引用地址:电源IC直接
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该......
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电动汽车dcdc转换器的功能 dcdc变换器电路(2023-08-04)
以后,再经由Cf和Rl滤波处理,得到直流电,提供给输出端。
驱动模块
对于控制芯片输出的四路 PWM 驱动信号来说,并不能直接驱动四个功率开关管。所以,一般来说,开关电源是需要配套一个驱动电路来驱动功率开关管......
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纳芯微新品,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
纳芯微新品,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管的半桥芯片NSD26;前言
现阶段的大多数 电源系统都是由多个芯片组成。 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感,从而......