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设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。 铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应......
材料与生俱来的吗？ 老师：铁电材料的极化状态通常需要电场的作用才能翻转，而在铁电场效应晶体管（FeFET）中，这一现象尤为显著。FeFET的大部分电场实际上并不是直接作用于铁电层，而是集中在铁电层与沟道之间的1至2纳米......
的作用才能翻转，而在铁电场效应晶体管（FeFET）中，这一现象尤为显著。FeFET的大部分电场实际上并不是直接作用于铁电层，而是集中在铁电层与沟道之间的1至2纳米的界面上。通过......
的作用才能翻转，而在铁电场效应晶体管（FeFET）中，这一现象尤为显著。FeFET的大部分电场实际上并不是直接作用于铁电层，而是集中在铁电层与沟道之间的1至2纳米的界面上。通过......
的作用才能翻转，而在铁电场效应晶体管（FeFET）中，这一现象尤为显著。FeFET的大部分电场实际上并不是直接作用于铁电层，而是集中在铁电层与沟道之间的1至2纳米的界面上。通过电荷连续性方程的计算，我们......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
研究新结构氧化物半导体器件、铁电场效应晶体存储器和三维集成技术等。 封面图片来源：拍信网......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其免受高电场的影响？ 图2：罗姆的第3代碳化硅金氧半场效晶体管（来源......
局将栅极密度增加了约1.3倍。 然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其免受高电场......
的六边形布局，该布局将栅极密度增加了约1.3倍。 然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
  北京大学彭海琳教授研究团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管。该工......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
状态之间切换，为利用锗烯设计出拓扑型场效应晶体管铺平了道路。这些晶体管可以取代电子设备中的传统晶体管，使电子设备不再发热。 ......
提高栅极氧化物的性能，但这种效果不能在任何材料中达成。所以，创造负电容效应需要仔细操纵一种叫做铁电性的材料特性，当一种材料表现出自发的电场时就会出现这种情况。以前，这种效果只在过氧化物的铁电材料中实现，但过氧化物的晶体......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。 MOSFET......
结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。 如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
个方向迈出了一大步。 新型热晶体管具有场效应（通过施加外部电场来调制材料的热导率）和全固态（无移动部件）的优点，展现出高性能并与半导体集成电路制造工艺兼容。该团队的设计结合了原子界面上电荷动力学的场效应......
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。 据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。” 研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管......
，从而导致电子运动产生更多热量，从而影响芯片性能。传统的散热器被动地将热量从热点处吸走，但寻找更动态的控制来主动调节热量仍然是一个挑战。 新型热晶体管具有场效应（通过施加外部电场......
管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。 （1）氧化镓基肖特基二极管 对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
算和存储单元的分离导致了数据处理过程中的速度和能效瓶颈。为了克服这一问题，模仿生物神经元同时进行计算和存储的神经形态设备研究应运而生。 在这项研究中，权赫俊教授的团队利用具有强电性能的铪氧化物和薄层二硫化锡材料，成功开发出突触场效应晶体管......
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......

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