资讯
国产刻蚀设备凭什么后发赶超？（附厂商盘点）(2020-08-18)
1）。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造的高精准、高集成度的需求，因此在小尺寸的先进工艺中，基本采用干法刻蚀工艺。这使得干法刻蚀机在刻蚀市场中占据主流地位。
而按照被刻蚀......
中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展(2024-11-08 14:06:34)
原子解吸附和扩散的模拟算法，建立了基于蒙特卡洛方法的连续两步干法刻蚀工艺轮廓仿真模型，实现了针对Si/SiGe六叠层结构的横向选择性刻蚀工艺轮廓仿真，并完......
中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展(2023-03-08)
工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组开发了一种基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀“停MgO”工艺（SOMP-MTJ），该工......
中微半导体诉美国半导体厂商侵犯刻蚀机商业秘密案，终审胜诉！(2023-07-11)
导体制造中最常用的工艺之一。
中微公司专注于研发干法刻蚀（等离子体刻蚀）设备，用于在晶圆上加工微观结构。干法刻蚀通过等离子释放带正电的离子来撞击晶圆以去除（刻蚀）材料。根据所要去除材料和加工器件结构的不同，可分为电介质刻蚀......
中微半导体诉讼美国泛林公司非法获取商业机密获胜(2023-07-12)
步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。中微公司专注于研发干法刻蚀(等离子体刻蚀)设备，用于在晶圆上加工微观结构。干法刻蚀通过等离子释放带正电的离子来撞击晶圆以去除(刻蚀)材料。根据......
今日起，日本半导体出口管制正式生效！(2023-07-24)
显影机/掩膜及制造设备
2、刻蚀（3项）：包含湿法/干法/各向异性的高端刻蚀
3、薄膜（11项）：包含金属膜/硅&碳膜/硬掩模的高端薄膜设备
4、热处理（1项）：不超......
传日本更可能实施对光刻/薄膜沉积设备的出口管制(2023-08-28)
涂层和开发相关的设备，以及用于EUV设备的空白或预曝光掩膜的检查设备。
值得注意的是，在刻蚀设备方面，Eric Chen指出，日本对硅锗（SiGe）的湿法刻蚀和干法刻蚀设备都有限制。相比之下，对于......
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产(2023-09-19 11:30)
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产;北方华创在投资者互动平台表示，公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息，目前已在客户端实现量产，其优......
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产(2023-09-18)
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产;9月17日，北方华创在投资者互动平台表示，公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息，目前......
日本宣布限制23种半导体设备出口：7月23日正式生效！(2023-05-24)
性能半导体制造设备出口管制：
1、光刻/曝光（4项）：先进制程的光刻机/涂胶显影机/掩膜及制造设备
2、刻蚀（3项）：包含湿法/干法/各向异性的高端刻蚀
3、薄膜（11项......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
停止层。
SPARC沉积的SiCO薄膜的综合特性也非常适合环栅结构逻辑器件这种情况。除其电学特性外，SiCO高度的各向异性和出色的刻蚀选择性还能帮助改善生产线。
在这......
日本将对半导体量子相关4品类等实施出口管制(2024-04-29)
光刻/曝光领域的有 4 项，即先进制程的光刻机/涂胶显影机/掩膜及制造设备；涉及刻蚀领域的有 3 项，分别是湿法/干法/各向异性的高端刻蚀；涉及清洗领域的有 3 项：即铜氧化膜、干燥......
通潮精密半导体核心零部件项目签约(2024-09-19)
于泛半导体产业关键设备部件的研发及生产，产品主要应用于泛半导体薄膜工艺、刻蚀工艺等关键工艺环节，也是国内首家将面板领域CVD设备、干法刻蚀设备电极部件国产化的企业。
此外，据统计，2023年合......
半导体设备，烽烟四起(2024-11-29)
等前道设备为主，刻蚀设备产品涵盖了等离子体刻蚀机、干法刻蚀机等，同时目前该公司的TSV设备可以使用在先进封装领域，并已布局其他应用于先进封装的设备产品，将根据客户需求情况逐步导入市场。
华海......
半导体设备厂商屹唐半导体拟闯关科创板(2021-05-19)
于1988 年，总部位于美国加州费力蒙特，是世界著名半导体制造设备供应商之一。
据介绍，屹唐半导体主要为全球半导体芯片制造厂商提供干法去胶、干法刻蚀、快速热处理、毫秒......
CINOGY光束质量分析仪：应用于大角度发散角的激光光束测量(2023-03-21)
的路径导致较强的吸收，因此相机(滤光片和传感器)的响应较低。与过滤器相关的效果是各向同性的。但是，如果滤光器相对于传感器倾斜(取决于相机型号)，则会在滤光器倾斜的方向上产生各向异性。
入射角αin的线......
推广应用这些重大技术装备！工信部发布(2024-09-19)
, 这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。
除了光刻机，其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀......
3.7亿元屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目封顶(2022-06-01)
屹唐半导体科技股份有限公司（简称“屹唐半导体”）是全球化运营的半导体设备公司，主要从事集成电路制造中半导体晶圆处理设备的研发、生产和销售。该公司主要为全球半导体芯片制造厂商提供干法去胶、干法刻蚀、快速......
屹唐半导体北京工厂交付首台设备，何时挑战10亿美元营收？(2022-12-29)
去胶（Dry Strip）、干法刻蚀（Dry Etch）、快速热处理（RTP）、毫秒级快速热处理（MSA）等设备及应用方案，拥有完整的知识产权，拥有美国和中国专利约450项。干法......
尹志尧：打造全方位高质量的，有国际竞争力的半导体设备公司(2021-09-02)
年上半年刻蚀设备收入为8.58亿元，较去年同期增长约83.79%，毛利率达到44.29%。
【编辑注：根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP......
上海交大无锡光子芯片研究院光子芯片中试线5月将全线贯通(2024-01-09)
迈入全新发展阶段。
2023年10月项目主体结构正式封顶，仅仅三个月时间便再度迎来首批设备正式入场的重大节点。本次入场的22台设备是薄膜泥酸理光子芯片中试线的关键组成部分，主要用于光刻干法刻蚀、薄膜沉积、湿法......
半导体设备高光时刻来临，景气度有望拉满第三年(2022-10-08)
企业从离子注入设备延展到其嘉芯半导体子公司，覆盖除光刻机之外的几乎全部前道大类；盛美上海从清洗，电镀等业务逐步覆盖，炉管，沉积及其他前道品类；屹唐半导体从干法去胶设备向快速热处理设备、干法刻蚀设备其他工艺段设备发展等等。
四
观招......
北京工业大学理学部王晓蕾副教授团队在磁-电多态存储器研究领域取得重要进展(2023-02-23)
揭示了范德华多铁CuCrP2S6材料面内的电学各向异性，以及极化电压、通电时间和极化方向调制的忆阻行为；二、观察到温度和磁场调控的自旋翻转和反铁磁相变，获得了不同晶轴方向上的磁各向异性参数；三、首次......
为刻蚀终点探测进行原位测量 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测(2024-01-18)
流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-22)
，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-18)
刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们......
国际首次，中国芯片再突破！(2024-04-19)
增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。
报道称，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国......
世界首个！我国团队研制出氮化镓量子光源芯片(2024-04-19)
朝着单片集成发展。
研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。
据电......
晶洲装备二期洁净车间项目竣工，即将投产(2024-05-07)
方米，月产泛半导体装备可达百台以上，进一步提升了晶洲泛半导体装备的研发及制造能力。
据晶洲装备表示，以显示制程的湿法刻蚀机为例，晶洲曾获江苏省首台(套)重大装备认证的G6湿法刻蚀机宽4米、高4.5米......
国际首次 中国成功研制出氮化镓量子光源芯片(2024-04-19)
灯泡」，让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。
研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将材料运用于芯片。
目前，量子......
基础知识之薄膜压电MEMS(2024-04-02)
中间层键合是借助粘合剂等使晶圆互相粘合的键合方法。
蚀刻
各向同性蚀刻与各向异性蚀刻
通过在低真空中放电使等离子体产生离子等粒子，利用该粒子进行蚀刻的技术称为反应离子蚀刻。 等离......
取代CMP工艺，牛津仪器开发SiC衬底加工新方法(2022-08-26)
本身是不稳定的。相比之下，等离子干法刻蚀（PPDE）是一个稳定、无接触的工艺，可缩减处理损失，能够处理更薄的晶圆，而且每个晶锭可以生产出更多的晶圆。同时，该工艺能够轻易地集成于现有的工艺制程中，可以直接取代CMP工艺......
应用材料公司携精彩主题演讲和成果展示亮相SEMICON China 2023(2023-06-25)
材料公司还将在当天在“CMP和CMP后清洗(CMP
and Post CMP Cleaning)”及“干法、湿法刻蚀和清洗(Dry & Wet Etch and
Cleaning)”等分......
屹唐半导体、概伦电子、赛微微......多家半导体企业科创板IPO获受理(2021-06-28)
热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。
据招股书介绍，屹唐半导体主要设备相关技术达到国际领先水平，产品已应用在多家国际知名集成电路制造商生产线上并实现大规模装机。该公司干法......
使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展(2023-04-19)
SEMulator3D的可视性刻蚀功能进行了工艺建模。我们在虚拟实验中修改的是等离子体入射角度分布(BTA)和过刻蚀因子(Fact)这两个输入参数。完成虚拟通孔刻蚀后，使用......
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术(2024-08-15)
功能模拟PVD和IBE工艺。借助SEMulator3D，我们使用30°分散角的可视性沉积工艺再现PVD，该流程准确模拟出轰击中喷射出的铜原子与氩离子的随机状态。同时，我们使用2°分散角与60°倾斜角的可视性刻蚀......
下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动(2024-02-21)
工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组开发了一种基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀“停MgO”工艺（SOMP-MTJ），该工......
应用材料公司携精彩主题演讲和成果展示亮相SEMICON China 2023(2023-06-25)
、湿法刻蚀和清洗（Dry & Wet Etch and Cleaning）”等分论坛展示相关主题的学术海报。
6月30日 功率及化合物半导体产业国际论坛——应用材料公司ICAPS产品......
我国科研人员突破磁存储材料新技术 可提升信息存储速度和密度(2023-01-28)
能力更加稳定。反铁磁材料便是一类新型磁存储材料，作为数据存储介质，相邻数据位可以密排列以提升存储密度，并且可使数据写入速度大幅提升。
据了解，此前已有的反铁磁存储器件的电信号输出，主要依赖面内电子输运的各向异性......
英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构(2023-12-22)
栅极间距版性能下降，但研究员认为藉制造优化，应可解决问题。
三星成功处是解决电气隔离堆叠的 n 和 p 两种 MOS 元件漏电，关键是使用以化学品新型刻蚀取代湿法刻蚀。与英特尔单个晶体管使用三个纳米片不同，三星......
5.8亿，上海新阳光刻胶项目启动，国产替代进程加速(2023-02-15)
/湿法光刻胶；年产10000吨光刻胶稀释剂；年产5000吨高选择比氮化钛刻蚀液系列产品；年产15000吨干法蚀刻清洗液系列产品。
项目拟于2023年取得施工许可证，2025年底前竣工，2026年......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
对准图形化中使用半大马士革方法
使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。间隔层去除方案需要选择性刻蚀工艺。区域选择性沉积 (ASD) 是填充LE2间隙的最佳沉积选择。图1 (a) 展示......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
，我们还使用新掩膜版模拟和测试了用于提升电阻电容性能和改进制造的额外工艺。
在自对准图形化中使用方法
使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。
间隔层去除方案需要选择性刻蚀......
国产设备生产12寸晶圆突破千万片次(2016-12-15)
国际北京厂国产化生产设备进入晶圆产品量产阶段，新增国产设备主机台及附属机台数百台，包括干法刻蚀机、物理气相淀积设备、单片退火炉设备、单片清洗机、中束流离子注入机、化学气相淀积设备、分片机设备等等。这些......
全球首片 8 寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线(2024-03-04)
山实验室工艺中心基于 8 寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外（DUV）光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款 8 寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带......
工业大盘点的风吹到了半导体设备(2024-02-06)
3D闪存芯片；其干法刻蚀设备主要可用于65nm到5nm逻辑芯片、10nm系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造。2019年屹唐半导体的营收落在中微公司之后，作为国内干法去胶的龙头企业，加之在干法刻蚀......
适用于电子皮肤的柔性磁场传感器的测量原理(2024-05-15)
感器被设计为悬臂梁结构，可容纳柔性永磁复合材料和非晶磁线，使其对低磁场具有敏感性。为了检测高磁场，研究人员探索了非晶磁线的巨磁阻抗（GMI）效应对磁场方向的各向异性。受益......
泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率(2023-07-04)
的塌边会影响晶圆键合的质量。
3D NAND 制造中的长时间湿法刻蚀工艺可能会导致边缘处衬底的严重损坏。
当这些缺陷不能被刻蚀掉时，Coronus DX 会在......
ADA4570数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:33)
ADA4570数据手册和产品信息;ADA4570 是一款各向异性磁阻 (AMR) 传感器，具有集成信号调理放大器和模数转换器 (ADC) 驱动器。ADA4570 产生两个差分模拟输出对，指示......
相关企业
;亿源科大磁性材料有限责任公司;;亿源科大磁性材料有限责任公司，成立于2005年，是北京科技大学与黄冈源昌石政石材有限公司共同参股成立的，以生产HDDR各向异性粘结NdFeB磁粉
;盈拓电子有限公司;;本公司主要代理日本信越斑马纸(HSC)，台湾华日斑马纸以及韩国TELEPHUS各向异性导电膜(ACF),产品质量优越，服务周到，请有相关业务的客户尽快与我们联系。
清洗机、晶圆清洗机、硅片显影机、腐蚀台、LED晶片清洗机、硅料切片后清洗设备、划片后清洗设备、硅片清洗腐蚀台、晶圆湿法刻蚀机、湿台、台面腐蚀机、显影机、晶片清洗机、炉前清洗机、硅片腐蚀机、全自
清洗腐蚀台、晶圆湿法刻蚀机、湿台、台面腐蚀机、显影机、晶片清洗机、炉前清洗机、硅片腐蚀机、全自动动清洗台、兆声波清洗机、片盒清洗设备、理片机、装片机、工作台、单晶圆通风柜、倒片器、导片机,硅片边缘腐蚀机、硅片
平米,透过率>85％,140元一平米。刻蚀方法需用红、紫外线激光机，一次成型，最小线宽可刻蚀到50ｕ，绿色环保。应用于电阻屏、太阳能电池板等。欢迎来电来函索取样品。杭州聚成光电科技有限公司―张女
星型CD/DVD激光刻录机，激光系统等 2、微结构电铸系统：包括各类清洗设备、精密电铸设备、DI水系统 3、真空镀膜机：EVA真空镀膜机、MRC943系列真空溅射镀膜机、超高真空设备 4、等离子刻蚀
/DVD激光刻录机，激光系统等 2、微结构电铸系统：包括各类清洗设备、精密电铸设备、DI水系统 3、真空镀膜机：EVA真空镀膜机、MRC943系列真空溅射镀膜机、超高真空设备 4、等离子刻蚀设备：等离子刻蚀
星型CD/DVD激光刻录机，激光系统等 2、微结构电铸系统：包括各类清洗设备、精密电铸设备、DI水系统 3、真空镀膜机：EVA真空镀膜机、MRC943系列真空溅射镀膜机、超高真空设备 4、等离子刻蚀
;深圳市宝安区沙井亿品精密电子厂;;光学模版：LED、CCFL导光板、导光膜；光学模具咬花及 全尺寸背光板STAMPER刻蚀！光学设计：LED、CCFL导光板、导光膜光学网点设计！精密
于激光微细加工技术及设备的研发和制造。
公司专注于高品质精密激光切割、激光刻蚀、激光打孔、激光打标等产品研发与制造，公司现拥有紫外纳秒、绿光纳秒、红外纳秒、绿光皮秒等多种光源，拥有准直聚焦系统、振镜聚焦系统等多种光学平台，可配