资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
候电流并不会衰减地很快，电流循环在Q2、M、Q4之间流动，通过MOS-FET的内阻将电能消耗掉。补充-另外一种H桥电路 上文中是包含4个N型MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
电工必懂电路图，值得一看！(2024-11-09 18:49:55)
围、双字范围）
45.液位继电器接线方法
46.N沟道和P沟道MOS管区别......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
栅极型推挽电路为什么不用上P下N(2024-12-21 16:16:49)
人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。”但是实际中，从来也没有人正面地回答我，为什么不适用上P下N......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
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推挽输出
推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。
当输出高电平时候，P-MOS导通，N......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
趟发烧音响材料行一定可以看到一大堆。
MOSFET晶体管通道
而MOS就非常小家子气了，在早期或者是大功率的JFET，是由2个N型半导体夹住P型半导体，（或者2个P型夹住N型），但是......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存(2020-08-31)
于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
置为复用功能，但是没有开启它支持任何外设的时钟，它的输出是不确定的。
复用推挽输出和通用推挽输出在输出时都用到了N-MOS和P-MOS，其输出电路是相同的，区别在于控制输出的信号来源：普通推挽输出控制MOS管的......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
驱动要么电机不转，要么导致芯片烧坏，必须要加大功率及隔离电路驱动。
2. P-MOS 管和N-MOS 管
GPIO 引脚线路经过两个保护二极管后，向上流向“输入模式”结构，向下流向“输出模式”结构。先看......
三星超越Intel登半导体榜首，时势造英雄而已(2017-05-04)
NEC从20世纪50年代开始研究晶体管、60年代开始研发集成电路，并在1968年开发出144bit的高速的N型MOS管的IC Memory。
在那时，全球主流的MOS Memory都是P型的，很多......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
更改电路，如下图：
脉宽调制H桥
P沟道MOS管仍然由X1和X2处的信号直接开关，而
N沟道MOS管分别由X1和脉......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
出控制电路输出0时：P-MOS管截止N-MOS管导通，被下拉到低电平，IO口输出为低电平0同时IO口输出的电平可以通过输入电路读取8，GPIO输出工作模式4-复用推挽输出模式
与推挽输出模式唯一的区别......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
有默认状态。STM32的内部上拉时“弱上拉”，即通过上拉输出的电流时很弱的，如要求大电流还是需要外部上拉，通过“上拉/下拉寄存器GPIOx_PUPDR”控制引脚的上、下拉及浮空模式。
2、P-MOS管和N-MOS管......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
刚刚，N型硅片跌3.96%！(2024-04-29 09:52)
刚刚，N型硅片跌3.96%！;4月25日，硅业分会公布本周单晶硅片最新价格。本周硅片价格呈分化趋势，有头部企业积极挺价，也有二三线企业低价甩货，低价成交量很小因此不纳入统计范围内。P型M10单晶......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管;
防反接电路的用处很容易理解，实现也相对简单，但是防倒灌电路则可能到用到的时候才会发现有点复杂。比方说，一个东西既支持用PD 供电......
最高涨幅6.67%！硅片价格全线上涨(2023-08-25 14:43)
体硅片供应量维持原有预期58-60GW。值得关注的是，近期由于N型电池产能集中释放，拉晶企业提升N型硅片出货比例。简单来说，P型和N型工艺上的区别体现在拉晶环节掺杂元素不同，因此在短期产能切换过程中，容易造成P......
STM32CUBEMX开发GD32F303（4）----GPIO输出模式(2023-07-26)
/download/qq_24312945/85250172
推挽输出
推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。
当输......
C51中的INTRINS.H(2024-07-31)
，_lror_原 型： unsigned char _cror_(unsigned char val,unsigned char n);unsigned int _iror_(unsigned int val......
节后硅片、电池环节走势或有分化，组件环节仍待曙光(2024-02-13)
片节后累库压力陡峭，若厂商下修N型产出，月末不排除N型用料因需求走弱而承压缓降。
硅片
本周硅片价格持稳；P型M10硅片主流成交价格为2.05元/片；P型G12主流成交价格为3.00元/片......
1100亿！100GW！近20家光伏企业持续押注TOPcon(2024-04-25 09:19)
大唐集团有限公司2024-2025年度光伏组件集中采购开标，共有60家企业参与。从招标公告看，本次集采各标段预估采购容量分别为n型TOPCon组件13GW、p型PERC组件2GW、n型异质结组件1GW......
N型单晶硅片价格下跌2.91%！(2024-01-19 09:32)
/130μm）成交均价降至2.00元/片，周环比跌幅2.91%；G12单晶硅片（210mm/150μm）成交均价维持在2.89元/片，周环比持平。
供应方面，N型产能切换速度超预期，P型M10逐步......
嘉悦新能源停产，PERC将死，TOPCon当立！(2024-04-08 09:13)
-370GW左右，2024年可能100GW的PERC电池都生产不了，大量的产能将闲置、淘汰。
据InfoLink预测，2024年N型TOPCon电池技术的市占率将达到65%，成为市场主流；P......
一文看懂stm32的引脚的两种用途：GPIO和AFIO(2024-01-05)
电路在放大中通常被用作输出级，在STM32中，推挽配置就是这种，如图：
在相应位置1时，P-MOS导，通N-MOS截止，输出电压为VDD；在相应位置0时，N-MOS导通，P-MOS截止，输出......
天合“加速度”(2023-08-28 14:28)
能投资角度，今年已是N型取代P型，不过从产品产出，今年仍将是P型主导，但明年N型将全面取代P型。因此，明年N型优势产能将成为企业竞赛的核心所在。
而决战N型，天合光能从一体化全面冲刺。2022年6月18......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
N、P型硅片首度同价，其余环节价格暂稳运行(2024-01-26 11:25)
便N型硅片有垒库迹象后，仍不减采购力度。预计节后硅料价格仍具备一定上涨弹性，具体走势幅度视拉晶端采购力度与上游供给节奏而定。
硅片
本周硅片价格分化，P型M10硅片主流成交价格为2.00元......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
;鑫阳贸易有限公司;;单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/45元/片 单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/40元/片 单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤 单晶硅圆棒/P型
型 污水泵， PN型、PNL 型泥浆泵， LXL 型、ZBJ 型纸浆泵， WGL 型、 NWL 立 杆污水泵， PH 型灰渣泵， PS 型砂泵， N 型冷凝泵及各种规格型号的配件
;镇江市江南电器厂（驻京办事处）;;镇江江南电器厂成立于1985年,位于镇江市谏壁科技园区,是专业设计和生产射频电缆连接器的企业.主要产品有BNC型、Q9型、N型、L16型、TNC型、L12型、L9
;成功贸易有限公司;;成功贸易有限公司: 供应/单晶硅棒/单晶硅废料/单晶硅片/裸片/抛光片 我司现有太阳能级 和 IC级 各种单晶硅 [以下部份产品报价] 单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上
-R、SJ-N系列 HC型 HA型 HF型 SJ-N型 SJ-PF型 伺服电机等 5. 数控系统（三菱） M60系统 E60系统 E68系统 FCA64S 控制器 电源单元 通讯线材等 6. 低压
规格的产品,主要品种有P型、YD型、CX型、X型、Y2M型、XS型、DF型圆形插头座，AZ型、CA型矩形插头座，通用接口连接器等。
稳定且不断扩大的客户群，具有良好的商业信誉。并跟欧美、非洲、中东、东南亚等国家的广大经销商建立长期、良好的商贸关系。 专业代理美国BOURNS公司（无铅）精密微调玻璃釉电位器3296W X P型，3362P
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情