资讯
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
作区域）。
表1.寄生电容值。
身体效应
我们之前讨论过晶体管的体端和源端通常如何连接到相同的电势，但没有解释为什么是这样。为了理解原因，让我们更深入地研究物理晶体管，当VGS的值从0增加到大于阈值电压（Vth......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
在上管米勒电容上，产生位移电流。位移电流经过门极电阻回到地，引起门极电压抬升。如果门极电压高于阈值电压Vth，则上管的IGBT会再次导通，并流过电流，增加系统损耗。
怎么判断是否发生了寄生导通呢？
一个......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
一下沟道电阻的公式，可以看到有几个简单粗暴的办法：提高栅极电压Vgs，或者降低栅极氧化层厚度，或者降低阈值电压Vth。前两个办法，都会提高栅极氧化层中的电场强度，但太高的电场强度不利于器件的长期可靠性(栅氧化层的击穿电压......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2024-07-11)
，VTH（阈值电压）是MOSFET导通或截止的阈值。栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系直接决定了MOSFET的导通与截止状态。要实现 MOSFET的开关功能，需要......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2023-12-21)
卡在高位或低位的情况。
Figure 1. DRV8705内部设计示意框图
2.1 VGS监控机制
VGS（栅源电压）是栅极相对于源极的电压，VTH（阈值电压）是MOSFET导通或截止的阈值......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
反相器工作基本原理示意
在CMOS逻辑IC中，通过组合p沟道和n沟道MOSFET可以实现各种逻辑功能，从而根据不同的输入得到想要的输出结果。当MOSFET的栅极-源极电压超过某个电压（阈值电压......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
要考虑到其独特的栅极驱动要求。
SiC MOSFET 特性
1、跨导
开关电源中使用的硅 MOSFET 在两种工作模式或区域之间尽可能快地开关。当栅极-源极电压 VGS 小于栅阈值电压 VTH 时，晶体......
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析(2024-06-11)
电阻与温度的关系将会补偿通态电阻的分布范围。事实上，芯片升温将会减轻漏源通态电阻自然分布范围引起的热失衡现象。
本文将重点讨论另一个关键参数：阈值电压 (Vth)，它对开关的导通和关断性能影响很大，从而......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
散电感的影响，叠加一些电压毛刺，因此Vgs有必要留一定的裕量。
图5：不同Vgs下的I-V曲线
2. 低阈值电压Vth的问题
SiC MOSEFT（尤其......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
MOSEFT开关过程中，Vgs也会受到高dV/dt和杂散电感的影响，叠加一些电压毛刺，因此Vgs有必要留一定的裕量。
图5：不同Vgs下的I-V曲线
2. 低阈值电压Vth的问题
SiC......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
可以满足绝大部分电机的需要。
★2.栅源阈值电压/开启电压（Vth）：该电压即MOS管打开所需的最小电压，也将决定后续半桥驱动芯片的选择和设计（即芯片栅极控制脚的输出电压）。LR7843的最大栅源阈值电压......
北京大学研究团队在忆阻器电路领域取得重要进展(2024-09-14)
非线性激活函数为双向回滞型，不同于常见的非线性函数，外部施加的电压定义了一个反对称权重矩阵，器件之间的相互作用实现网络的递归。这样的概念还可以扩展到其它器件种类，如单极性或阈值阻变器件，从而......
直流电动机调速之H桥驱动简介(2024-07-22)
中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。
该块代表H桥电机驱动器。该模块可由 PWM或平均电压驱动 。
在PWM模式下 ，如果PWM端口电压高于使能阈值电压......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
保持在VDD，直到 VIN接近阈值电压（VTH）为止。
此时M1开始导通电流。这导致负载电阻（RL）两端的小电压降，这又导致VOUT略微减小。
当 VIN达到VTH时，M1导通，由于VOUT大于......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
接近阈值电压（VTH）为止。
此时M1开始导通电流。这导致负载电阻（RL）两端的小电压降，这又导致VOUT略微减小。
当 VIN达到VTH时，M1导通，由于VOUT大于（ VIN–VTH），M1处于......
欠压锁定（UVLO）保护的是什么？工作原理是什么？(2024-05-13)
保护半导体设备和电子系统免受潜在危险操作。
当提到电源或电压驱动要求时，我们经常使用简化，例如“这是一个 3.3 V 微控制器”或“该 FET 的阈值电压为 4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内运行3.3 V 微控......
示波器基本测量的范例(2023-03-17)
时间相似，即下阈值上的时间减去您正在测量的边缘的上限阈值上的时间。
脉宽：脉宽是从第一个上升沿的中间阈值到下一个下降沿的中间阈值的时间。
幅度和其它电压测量：这是波形显示幅度的测量。通常您也可测量峰峰值电压......
ADL5904数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:10)
进行比较。当包络检波器电压超过用户定义阈值电压时，内部比较器捕获事件并将其锁定在设置/复位(SR)触发器中。超过用户编程阈值的RF输入信号至输出锁存的响应时间为12 ns。锁存......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
-GaN层，导致动态阈值电压Vth问题
在处理杂讯环境或高功率水平时，1.6V阈值电压可能是不够的，往往需要使用大约 -3V 的负电压栅极驱动，从而增加电路复杂性和额外的死区时间损耗。事实上，在 -3V......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
就不再赘述了。DIBL效应造成的明显的现象是——随着漏极-源极电压VDS的增加，栅-源极阈值电压VGS（th）会随之降低，见图1。
Fig.1:不同制造商1200V SiC MOSFET的VGS(th)曲线......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
镓功率器件的结构
氮化镓功率器件的外延结构可分为D-mode（Depletion-mode/耗尽型）和E-mode（Enhance-mode/增强型）。因为材料的极化特性，耗尽型是GaN功率器件的自然状态，增强型只能通过特殊工艺将其阈值电压......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
出现一个小的尖峰。根据厂家和沟道技术的不同，SiC MOSFET的阈值电压一般为2V至5V。如果在这一过程中串扰造成的电压抬升幅度超过了SiC MOSFET开通的阈值电压，可能会造成下桥臂的误开通，从而......
ADALM2000实验：可调外部触发电路(2023-05-25)
以用CD4069六通道反相器代替，或者使用CD4007晶体管阵列构建两个反相器（参见附录）。
AD8561的带宽非常高，会对输入信号中可能存在的任何高频噪声作出响应。如果输入信号接近阈值电压(VTH......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
的导数。
跨导在线性区域可以定义为：
方程式2
对于饱和区域，为：
方程式3
其中：
ID是漏极电流
VGS是栅源电压
VDS是漏极到源极电压
Vth是阈值电压
μ是晶......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
为单位面积栅氧化层电容，W/L为氧化层宽长比，Vgs为驱动正电压，Vth为门极阈值电压。从式中可以看出，门极正电压越大，电流会明显上升。
比如IGBT在门极电压15V下有10μs的短......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
Trench 技术，可以实现具有极高阈值电压 (Vth) 和低米勒电容的 MOSFET器件。相比其他 SiC MOSFET ，它们对于不良的寄生导通效应更具弹性。除了 1200 V 和 1700 V......
I2C上拉电阻如何取值？(2024-03-11)
通过上拉电阻对线上负载电容CL充电，这需要一定的上升时间。
电容充电一般公式：
整理可得：
I2C规范将低于VIL或0.3VDD的电压定义为逻辑低电平，同样将高于VIH或0.7VDD的电压定义......
一文详解音频信号压缩电路(2023-01-30)
部分电路用于检测输出信号的幅度。由于信号是一个快速变化信号，不能够直接使用信号的瞬态幅值代表信号的变化范围。 电路第三部分是对比输出信号幅值与给定阈值电压，给出信号超出阈值的大小。 最后......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
MOSFET 导通，栅源电压必须高于阈值电压 (VGS > VTH)。鉴于源极连接到 VBAT，故栅极电压需要比 VBAT 高至少 VT。因此，使用一个专用驱动器来驱动 N 沟道 MOSFET......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-09-01 15:07)
VDSS（V）
栅源电压VGSS（V）
漏极电流（DC）ID（A）
漏源导通电阻RDS(ON)（mΩ）
栅极阈值电压Vth（V）
总栅极电荷Qg（nC）
栅漏......
ADM6339数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:15)
弱内部上拉电流，以便拉至受监控的IN2电源电压。在所有电压均超过选定的阈值电平之后，复位信号将在复位超时周期（典型值为200 ms）内保持低电平。
只要IN 1 或IN 2 超过1 V......
你用示波器测量过哪些参数？(2023-03-07)
的时间。
幅度和其它电压测量：这是波形显示幅度的测量。通常您也可测量峰峰值电压、最大电压、最低电压以及平均电压。
周期/ 频率：周期定义为中间阈值两次连续交叉点电压......
掌握基础电路，嵌入式开发深入浅出(2024-10-11 11:28:58)
出的是逻辑电平。逻辑电平0表示输出电压低于阈值电压，逻辑1表示输出电压高于阈值电压。负载则是被驱动的电路或元件，负载大小则指负载的电阻大小。
......
MAX6379数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:11)
MAX6379数据手册和产品信息;MAX6375-MAX6380是用于监控电池、电源和稳压系统电压的超低功耗电路。每个检测器都包含一个精密带隙基准电压源、比较器和用于设置指定跳变阈值电压......
MAX6380数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:10)
MAX6380数据手册和产品信息;MAX6375-MAX6380是用于监控电池、电源和稳压系统电压的超低功耗电路。每个检测器都包含一个精密带隙基准电压源、比较器和用于设置指定跳变阈值电压......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
MOSFET结构不受重复雪崩HCI效应的影响。
受重复雪崩HCI效应影响的MOSFET直流参数包括BVdss（雪崩电压）、Idss（断态漏极-源极漏电流）、Vth（栅极-源极阈值电压）和Rds......
ADM6710数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:08)
典型值为10 μA的较弱内部上拉电流，以便拉至受监控的IN2电源电压（对于ADM6710Q则拉至VCC）。一旦所有电压升至选定的阈值电平以上，复位信号将在复位超时周期（典型值为200 ms）内保......
ABI-6500电路板故障检测仪的功能、特征和参数规格介绍(2023-06-13)
曲线模拟通道测试（可测模拟器件）
强大的元器件和整板仿真测试功能
阈值电平零界点扫描测试
短路追踪测试（低电阻测试）
实时显示输出逻辑电平值
存储器功能测试
数字时序编辑功能
未知器件型号查询
程控......
中科院微电子所低功耗集成电路设计研究获进展(2021-06-25)
泛应用于低功耗智能计算芯片。
功耗已成为制约集成电路发展的瓶颈。近/亚阈值技术通过将芯片工作电压降低到晶体管的阈值电压附近或阈值电压以下，可大幅降低数字系统的功耗。近/亚阈值......
电压监控器如何解决电源噪声和毛刺问题(2023-12-26)
超时周期可抑制系统误复位，防止出现振荡和潜在故障，从而有助于提高系统的可靠性。
图3.复位超时周期(tRP)有助于在电源电压稳定时使系统保持复位模式。
阈值迟滞(VTH+)
阈值迟滞主要有两个好处。首先，它可以确保监控电压在解除复位之前具有足够的余量超过阈值电......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
管的长度和宽度。图片由Robert Keim提供
对于这个，我选择了90纳米的长度和360纳米的宽度。
绘制漏极电流和栅极电压
我们可以使用图4的示意图对该电路进行快速检查，并确定其近似阈值电压。请注意：
栅极......
电压监控器如何解决电源噪声和毛刺问题(2023-12-26)
有助于提高系统的可靠性。
图3.复位超时周期(tRP)有助于在电源电压稳定时使系统保持复位模式。
阈值迟滞(VTH+)
阈值迟滞主要有两个好处。首先，它可以确保监控电压在解除复位之前具有足够的余量超过阈值电......
MAX6359数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:08)
/MAX6360提供以V CC 2为基准的低电平有效推挽复位输出。
所有这些器件均提供各种电压阈值电平，如电压阈值电平表中所示。它们采用5引脚和6引脚SOT23封装，可在-40°C至+85°C的扩......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
差为-29%，QH2（最高阈值 MOSFET）的误差为-59%。
我们现在还可以使用图13和图14分析导通和关断细节。
图13. 导通序列局部放大
导通时，如图13所示，在阈值电压最低的SiC......
还不会设计晶体管施密特触发器？不要错过(2024-06-21)
可以用来设计施密特触发器，但是不能选择阈值电压，只能在有限的电源电压范围内工作，例如：4HC14 在 +5v 下运行，阈值通常为 2.4v 和 1.8v。
或者你也可以使用比较器芯片，通过额外的分立电阻定义阈值......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25)
冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度，只需更小的电压变化即可切换状态，进一步降低功耗。
然而，低温也带来了新的挑战：阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压，它会随着温度下降而升高，使得器件开关更加困难。传统工艺难以降低阈值电压......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25 16:02)
变化即可切换状态，进一步降低功耗。然而，低温也带来了新的挑战：阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压，它会随着温度下降而升高，使得器件开关更加困难。传统工艺难以降低阈值电压，因此 IBM......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
的正极
漏极-电池的正极
电源-被供电的正极
栅极-电池负极或者接地
2）栅源阈值电压......
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