资讯
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
组成部分
根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
功耗额定值范围内，同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看，栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。因此，当设计人员选择 IGBT 或......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，其电压不可超过UGE。
3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许......
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-22)
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
美国伊利诺伊州芝加哥，2024年5......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
可提供量身定制的导通和关断时序，将开......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
的动态性能对比
同样马达驱动的应用中对开关损耗尤为关注，我们选取了在市场上广泛应用的不同厂商 ABCD 产品作为对照，对比Nexperia IGBT 产品 NP100T12P2T3 在不同电流下的开通损耗和关断......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
七、功率MOSFET的开通和关断过程原理
(1)开通和关断......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
少器件之间的寄生电容，避免产生耦合噪声。
由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。虽然我们尽量考虑去降低该影响（提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等）。但是为了防止关断......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
别注意避免感测VDS的延迟，因为延迟会掩盖这种现象。因此，DESAT是栅极驱动电路的一个重要的辅助性保护。
五 动态开关
SiC MOSFET的导通和关断状态有四个不同的阶段。所示的动态开关波形呈现的是理想工作条件......
测试系统数字稳压电源的实现(2023-01-11)
的输入阻抗很高，其导通和关断就相当于输入电容充放电过程。根据所选器件的参数，计算出满足的条件，保证驱动电路提供足够大的过充电流，实现MOSFET 快速、可靠的开关。
3 软件设计
采用......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29)
到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高(2023-08-29)
值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%[4]。这些......
主要讨论PWM比较器的Simulink模型(2024-08-23)
的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较器输出“1”控制IGBT......
永磁同步电机控制系统仿真—PWM比较器的Simulink模型(2024-08-30)
相两电平逆变器的波形。
输入的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
在自举电路中，增加 RVS
RVS不仅用作自举电阻，还用作导通电阻和关断电阻，如图17。自举电阻，导通电阻和关断电阻通过下面的等式计算：
图17 导通和关断的电流路径
VS箝压......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
。如果米勒电容引起的门极电压抬升是7V，叠加在-5V的关断电压条件下，门极实际电压为2V，小于阈值电压，不会发生寄生导通。而如果0V关断的话，可想而知门极实际电压就是7V，寄生导通将无法避免。一般......
详解电机控制中的电压重构(2024-07-26)
空比发生变化；
2、IGBT导通和关断延迟影响：
IGBT硬件本身的开通延迟和关断延迟造成了PWM波占空比发生变化；
3、管压降影响：
IGBT导通管压降和续流二极管管压降造成了PWM波幅......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
(EXT)可以降低dv/dt，但要计算增加RG(EXT)后dv/dt的减少值，电压峰值增加值，这将导致在电桥应用中，选择合适的电阻变得困难。
有四种缓解方案可以建议，第一种是单独导通和关断......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
表示，等效电路图如下。
母线电压Vs，电容C1与C3分压，在Q1与Q2 IGBT单个导通的时候，另外一个IGBT的稳态电压Vce为Vs，当Q1与Q2同时关断时，Vce电压为1/2Vs。
对半......
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29 15:34)
产品。MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3......
两相双极步进电机驱动中电流再生时的电流衰减(2023-05-23)
个线圈。这里省略了不在H桥四个开关的内部电流路径中的开关。
在Slow Decay（a）中，Q1和Q4处于导通状态。在（b）和（c）中，Q4导通，Q2导通和关断。尽管开关的状态不同，但由于再生电流也会经由寄生二极管流向关断的......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
结构对IGBT来说是个不希望存在的结构，因为寄生晶闸管在一定的条件下会发生闩锁，让IGBT失去栅控能力，这样IGBT将无法自行关断，从而导致IGBT的损坏。
IGBT和......
如何手动计算IGBT的损耗(2023-02-07)
损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。
开关损耗-开通部分
我们先来看一下理想的IGBT开通波形：
我们......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
的是，去饱和还可表示栅极-发射极电压过低，且IGBT未完全驱动至饱和区。进行去饱和检测部署时需仔细，以防误触发。这尤其可能发生在IGBT尚未完全进入饱和状态时，从IGBT关断状态转换到IGBT导通......
Vishay推出负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器(2024-10-23)
薄型SOP-4封装，典型导通和关断时间达到业内出色的0.1 ms，工作温度可达+125 °C。
车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块(2023-08-29)
东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断......
Vishay推出通过AEC－Q102认证，负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器(2024-10-22 13:16)
Vishay推出通过AEC－Q102认证，负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器;车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1 ms，达到......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
Module中的FS820R08A6P2B的Datasheet为例，理解IGBT（MOSFET类似）的哪些特性是可以实时仿真的，哪些是很难实时模拟的。
客户经常会问，我希望仿真器件开通和关断......
SVPWM原理推导与Mathcad建模控制实现(2024-08-05)
矢量作用时间。
通过矢量作用时间的求解，可以发现这些结果可进一步简化计算结果：
定义X,Y,Z
3.输出开关控制信号：
要实现对开关导通与关断的有效控制，仅仅得到矢量作用时间是不够的，还需要根据矢量作用时间计算出每个开关导通和关断的......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
）。
图5. 内部节点与外部节点
在极高速开关中，栅极是硬开关和软开关中最关键的信号。掌握MOSFET何时真正导通和关断非常有必要。例如，它可......
安森美引领行业的 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具的技术优势(2023-06-21)
Eon 损耗几乎翻倍。
图 6.开关电感寄生电容对导通和关断损耗的影响
在“降压”型电路上也会有一样的结果或效应。考虑到输入和输出端有一个大的去耦电容器，电容（CIN、COUT 和......
专为新一代SiC MOSFET供电的DC／DC转换器(2017-08-16)
满足这些严苛的要求，RECOM最近推出了专为最新一代SiC MOSFET供电的新型2W DC／DC转换器系列。SiC MOSFET跟IGBT或MOSFET使用的电压不同，需要特殊的导通和关断......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
的各种特性，其中有些参数是互相矛盾的。例如：降低导通损耗、降低开通和关断损耗、优化器件开关的特性、提高电流密度、提升耐压等级、减少半导体材料（同等电压和电流能力下，减少芯片厚度和面积）、提升......
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战(2024-09-25)
）。电子行业对此存在一些担忧。我如何才能让我的设计经得起未来考验，以便能够轻松适应未来几代或替代源晶体管供应商提供的不同最佳导通和关断电压？
图 3：不同 IGBT、SiC 和 GaN 器件......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
IGBT;原因在于具有宽禁带、耐高温、耐高压和低损耗的优点，根据行业统计数据，SiC 模块的关断损耗比Si IGBT减小88%，开通损害降低34%，单位面积的导通阻抗更小( 硅IGBT 的1/3~1/5......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
Bias Safe Operating Area）。
1 正向偏置安全工作区
正向偏置安全工作区定义了IGBT导通期间的可用电流和电压条件。
图2. RGS30TSX2DHR 的正......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
门极电压超过功率器件的开启电压，将会使已关闭的功率器件出现误开通现象，从而造成直流母线短路。为减少误开通的风险，传统的硅MOSFET和硅IGBT通常在驱动电路中采取构建负电压关断的方法，负压绝对值越高，抑制......
用DS39xx CCFL控制器实现模拟调光(2023-07-11)
用DS39xx CCFL控制器实现模拟调光;CCFL调光方式
CCFL调光的常用方法有两种：一种是脉冲调光，也称PWM调光或数字调光；另一种方式是模拟调光。本文讨论了这两种方法的优缺点。脉冲调光可在特定频率下导通和关断......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
器件输入电容
图 7：功率器件栅极电荷图
对于驱动电源开关而言，分离输出为何比 单个输出更好？
栅极驱动器在电源开关器件的栅极上拉取和灌入电 流，以使其导通和关断。开关电源器件的速度取决于驱 动电流。要计......
LTC3388数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:21)
以下时停用转换器并保持一种低静态电流状态。在调节状态中，LTC3388-1 / LTC3388-3 将进入睡眠模式，在该模式中，输入和输出静态电流均非常小。降压型转换器根据需要接通和关断，以保......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
选择栅极驱动器？
电流驱动能力：开关的导通和关断实际上是输入输出电容器的充放电过程。更高的灌电流和拉电流能力意味着更快的导通和关断速度，最终带来更小的开关损耗。
故障检测：栅极驱动器不仅用于驱动开关，还能......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
：典型RET处于关断状态
● Vi < Vi(off)typ：典型RET处于导通状态
● VI > VI(on)min：所有RET器件均保证处于导通状态
表 1 显示了导通和关断......
DC/DC 转换器的快速瞬态性能和恒定频率(2024-08-20)
时间 (20ns–60ns) 下，功率 MOSFET 自身的开关延迟会限制可实现的最小导通时间。必须适当注意选择导通和关断延迟较低的功率MOSFET，更重要的是，它们的导通和关断延迟之间几乎没有不平衡。例如......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
下测得。所使用的RG值是根据上述VCE,peak和dv/dtmax限值推导得出。
图3.当VDC=750V和Inom=400A时，IGBT（左侧）和二极管（右侧）的开关损耗。对于T7，开通和关断......
合适的电源可以简化汽车ECU设计(2023-04-26)
的数据手册值。
表 1.测得的压差与输出电流的关系
下一个限制可能来自稳压器可以管理的最小和最大占空比。在数据手册中，我们找到了最小导通和关断时间的百分比值，而不是占空比限制。这对于具有如此宽频率范围（从......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-06-06)
纳，半桥，全桥
■ 低热阻
■ 内置 NTC 热敏电阻
■ 在更高电压下改善了 RDS(ON)
■ 更高效、更高功率密度
■ 灵活的高可靠性热接口解决方案
如何选择栅极驱动器
电流驱动能力：开关的导通和关断......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-07-09)
选择栅极驱动器
电流驱动能力：开关的导通和关断实际上是输入输出电容器的充放电过程。更高的灌电流和拉电流能力意味着更快的导通和关断速度，最终带来更小的开关损耗。
故障检测：栅极驱动器不仅用于驱动开关，还能......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
出了Infineon 62mm模块的双脉冲测试结果。
图4 62mm IGBT模块内部寄生电感测试方法
图5 62mm IGBT模块的开通和关断测试波形
在开通瞬态和关断瞬态，上都会产生电压降，那么究竟是选择开通还是关断......
相关企业
GTR模块双管驱电路 大功率可控模块 . 日本（东芝）IPM模块 东芝模块IPM 6管带驱动保护功能 IPM带控制控关断角. 日本（三菱）IGBT-IPM 三菱PIM模块 功率模块含驱动电路保护 IPM
在动态和静态状态下, dv/dt的特性都得以提高,从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作,因此,它适合在各种感性负载作为开关器件。
;华跃国际（香港）有限公司;;IKW40N120T2 单管IGBT原装特价,可用于焊机 、变频器 厂家：Infineon 封装：TO-247 包装:30pcs/管,240pcs/盒,2400PCS
;广州市越秀区森洋电子经营部;;广州市森洋电子是一家较早从事于销售LED产品的商家，在LED的行业我们已有多年的销售经验，在我们努力的条件下已经成群各厂商的优势产品，产品向往于科技发展的需求，我们不断的
;北京市盛华远电器设备有限公司;;公司具有生产QZBSGBJMBGLB等多型号，多规格的变压器，并具备生产特种变压器的条件。专业研制触发器照明用产品，公司在2004年通过了GB/T19001
;洛阳星利达A;;液压关断门安装在渣井下部，其主要功能是在炉底除渣设备出现故障时，关闭关断门，通过渣井的有效储渣容积来临时储存炉底渣，避免因炉底设备故障出现不得不停机的事故。在有限时间内，对除渣设备进行临时抢修。
;博罗县石湾镇辰达塑胶加工厂;;辰达塑胶加工厂现有注塑机50余台，自成立以来积累各方面注塑及生产经验。至善服务，为顾客提供满意的耳机塑胶配件。公司承诺提供给客户高品质的产品，交期准时，为客户生产提供良好的条件。
;萍乡环宇电瓷厂;;我厂创建与1961年，周围地下瓷土、和煤炭，具有电瓷生产的得天独厚的条件，整个厂区面积3万多平方米，现有职工600余人。其中各种专职管理人员50余人。实有固定资产820余万
，优越的地理位置，为企业与外界联系 建立了坚实的基础，更为企业的发展创造了良好的条件。
;深圳市姆泰克电子有限公司;;深圳市姆泰克电子有限公司成立于2010年10月，前身为姆泰克（香港）电子有限公司，后因多方面原因，公司决定在深在成立子公司，深圳市姆泰克电子便应运而生了，在得天独厚的条件