【导读】Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

IX4352NE低侧栅极驱动器 

IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。该驱动器的工作电压范围（VDD - VSS）高达35V，具有出色的灵活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配备内部负电荷泵调节器，无需外部辅助电源设备或DC/DC转换器。该功能对于关断SiC MOSFET尤其实用，可以节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平兼容，进一步增强了节省空间的能力。

IX4352NE非常适合在各类工业应用中驱动SiC MOSFET，例如：

• 车载和非车载充电器

• 功率因数校正（PFC）

• DC/DC转换器

• 电机控制器，和

• 工业电源逆变器

卓越的性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居和楼宇自动化市场中要求苛刻的电力电子应用的理想选择。

凭借其全面的功能，IX4352NE简化了电路设计并提供了更高的集成度。内置保护功能，如带软关断灌电流驱动器的去饱和检测（DESAT）、欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD）等，可确保功率器件和栅极驱动器得到保护。集成的开漏FAULT输出向微控制器发出故障信号，增强了安全性和可靠性。此外，IX4352NE还能节省宝贵的PCB空间并提高电路密度，有助于提高整体系统效率。

对现有IX4351NE的显著改进包括：

• 由DESAT启动的安全软关断

• 高阈值精度热关断

• 电荷泵在热关断期间的工作能力

新款IX4352NE与引脚兼容，可无缝替换指定使用现有Littelfuse IX4351NE的设计，该设计于2020年发布。

“IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。”Littelfuse集成电路部（SBU）产品经理June Zhang表示，“其各种内置保护功能和集成电荷泵提供了可调的负栅极驱动电压，能提高dV/dt抗扰度和关断速度。因此，该产品可以用来驱动任何SiC MOSFET或功率IGBT，无论是Littelfuse器件还是市场上任何其他类似器件。”

供货情况

IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器以每管50只的管装形式供货，也可以卷带封装形式供货，起订量2000只。可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。

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