资讯
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址：其结......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流从控制电路......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
管5551关断，高边NPN三极管5551被上拉电阻拉高，三极管导通，场效应管门级变为高电平，场效应管导通;在每一个PWM周期中，重复以上过程。
2）实时电压检测电路
针对煤矿产品的特点，镍氢电池充放电......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
作朝上的进水的漏斗）。
35、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd)，VSS是接地点；在场效应管(或COMS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
你真的了解功放电路吗？这两个最经典的功放电路让你秒懂什么是功放电路(2024-09-06)
你真的了解功放电路吗？这两个最经典的功放电路让你秒懂什么是功放电路; STK6153射频输出功放电路图
STK6153的内部前级采用了恒压源偏置，这样做可以较好地稳定输出级的工作状态，但......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
一文看懂音响电路图及工作原理(2024-09-12)
但不一定就三个。技术的的发展历史可以分为电子管、晶体管、集成电路、场效应管四个阶段。
音响组成部分
音响设备大概包括功放、周边设备（包括压限器、效果器、均衡器、激励器等）、扬声器（音箱、喇叭......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”指令时，锁存器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构1个数据输出锁存器。2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。1个场效应管（FET）和1个片内上拉电阻组成。
P1口工作原理——只用......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管防反接电路......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
。
04
N沟道增强型场效应管防接反电路......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct
backside contact)，可以缩微至60nm。
它可......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
功率放大器的基本知识(2023-06-26)
。
图2是互补对称推挽功放电路原理图。这里用了两只放大性能相同，而导电极性相反的三极管（称为互补管）。图中BG1是NPN管。放大器输入交流信号的正半周时，对BG1管来说，基极电压为正极性，发射......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
这种技术可以实现了晶圆级异质 CFET 技术。相比于硅材料，二维......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。
据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3：内置上拉电阻的双向I/O口，各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
在技术方面，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
V2截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
2.1 构成
1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路
2.2 做输入端口
此时Q=0，非Q=1，场效应管......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
电工应学字母含义、符号，接线图(2024-10-12 00:23:50)
电流以及电线的载流量来选择合适的电线。
通常可以参考电线载流量表来选择电线规格。
8、电子元器件功能作用-电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管......
日立高新技术公司部宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统(2023-12-13)
在尖端半导体器件工艺开发的研究阶段和批量生产中改进工具到工具匹配的需求正在进一步增加。
*3.（Gate All Around）：全环绕栅极晶体管。
*4. 垂直堆叠互补场效应晶体管技术（）：堆叠互补晶体管，其中n-型和p-型器件被堆叠。
关键技术
1.用于......
hifi音响组成部分 hifi音响能做家庭影院音响吗？(2024-04-22)
hifi音响组成部分 hifi音响能做家庭影院音响吗？;hifi音响组成部分
HiFi音响通常由以下几个组成部分构成：
1. 功放（Amplifier）：功放是将音频信号放大并驱动扬声器的设备。它负......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应......
运动传感器风扇电路图分享(2023-10-12)
容电压超过此2.1v标记时，比较器提供高输出。
场效应管驱动器：
当比较器输出变为高电平时，它将激活MOSFET IRFZ14，同样激活直流风扇。LM193
的输出电流非常低，无法激活直流风扇。因此，必须......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
基于LM12CLK的100W音频放大器电路图(2024-04-19)
值必须是准确的。而输出电阻(与线圈并联)必须至少有2W的功率。电解电容应为50V或63V。
100W音频放大器电源
100W功放电路需要电压对称+/-24V DC，电流5A。
100 W 音频......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
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成立深圳市汇嘉埔电子有限公司，为更加便利的服务于大陆客户。致力于电源管理IC.进口晶圆及成品销售，经营产品为运算放大电路.稳压电路.电流转换电路.功放电路.时基电路.PWM控制器.光电耦合器.MOSFET场效应管.三极
;深圳市凯泰电子有限公司;;深圳凯泰电子有限公司是一家专业提供电子元器件代理商 目前以有十年的历史了，现代理韩国“KEC”二、三极管,场效应管（MOSFET）,BYD 场效应管（MOSFET
发射、可控硅、达林顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控
;结型场效应管 深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行;;深圳市阔晶（盈）电子商行， 位于广东 深圳市福田区，主要经营MOS场效应管，可控硅，二三极管，升降压IC,LED电源驱动IC及音响功放
顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控硅、达林顿、红外
;结型场效应管 深圳市古东科技有限公司;;深圳市古东科技有限公司（销售部）位于中国全国，深圳市古东科技有限公司（销售部）是一家IR/VISHAY、FCS、ST、INF的场效应管、音响功放IC、UPS
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
;深圳市东河口电子商行;;专营：功放IC、电源管理IC、高频管、肖特基、内存IC、稳压管、二三极管.MOSFET场效应管、功率管、桥式整流器等
;新华微电子商行;;本公司生产及代理各种集成电路、三极管、三端稳压、场效应管、肖特基/快恢复、大小功率整流系列（直插，贴片）、IGBT、快速、整流、肖特基、可控硅、达林顿、功放IC、温度
;哈尔滨创业电子;;本公司经营集成电路\二三极管\场效应管