总结

• P0：无内置上拉电阻漏极开路双向I/O口，可作为高阻抗输入端使用。P0口做普通 I/O
  时，需外接10KΩ上拉电阻。作低8位地址/数据总线时，不用外接上拉电阻。

• P1 ~ P3：内置上拉电阻的双向I/O口，各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。

• P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。

• P0 ~ P3均可位操作。

下面的图个乐，没基础的看这玩意就是挥刀自宫

1. P0

1个输出锁存器（D型触发器）
2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）
1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）
1个输出控制端（1个与门、1个反相器、1个转换开关MUX组成）

1.1 做输入口

P0口的输入信号既送到下面的三态缓冲器，又送到V2的漏极。如果锁存器之前锁存为0，即Q=0，Q’=1，则V2导通，通过P0端口的外接上拉电阻，P0口被钳在0电平上，1无法送入P0口。所以在数据输入P0口前，必须先通过内部总线向锁存器写1，即Q=1，V2截止，P0口输入的1就可以送到三态门的输入端。此时再给三态门的读引脚送一个读控制信号（高电平），1就可以通过三态门送到内部总线。

1.2 做输出口

此时单片机内部的CPU会发出一个0到与门的控制端。控制端的0一方面关闭与门，使地址/数据总线送来的信号无法通过与门；另一方面控制电子开关，让电子开关与锁存器的 Q’ 端接通，此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器，并从Q和 Q’ 端输出，如果D端输入1，则 Q’ 端输出0，该0使场效应管V2截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。

2. P1

1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路

2.1 输入功能

此时Q=0，非Q=1，场效应管导通，通过P1口的内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可以送到输入三态缓冲器的输入端，此时再给三态门的读引脚送一个读控制信号，1就可以通过三态缓冲器送到内部总线。

2.2 输出功能

先给锁存器的CP端送写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器并从Q和非Q端输出，如果DUAN输入1，则非Q=0，0送到场效应管的栅极，场效应管截止，从P1输出1。

3. P2

1个输出锁存器
1个转换开关MUX
2个三态输入缓冲器
1个反相器
输出驱动电路

3.3 输入功能

同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2引脚输入的1才能送到三态门的输入端。此时，再给读引脚送一个读控制信号，1就可以通过三态门送到内部总线。

3.2 输出功能

此时给锁存器的CP端送写脉冲信号，内部总线上的数据就被锁存进锁存器并从Q端输出，再通过MUX开关、非门和场效应管从P2口输出。

4. P3

1个输出锁存器
3个输入缓冲器
输出驱动电路（包括1个与非门、1个场效应管T、上拉电阻R）

4.1 输入输出

用法与 P1、P2类似。

4.2 复用功能

此时该端口可输入外部设备送到的中断请求信号。