资讯
CGD 首席技术官 Florin Udrea 入选著名的 Ispsd 名人堂(2023-06-26 15:42)
还从 HVMS（剑桥大学高压微电子和传感器研究组）的研究成果中受益良多，这个团队目前也由 Florin 所领导。CGD 的基础支柱之一是创新，而 Florin 正是一位真正的创新者。”Udrea 教授在期刊......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-06)
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统;拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品
Cambridge GaN......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-07 09:33)
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统;
拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品Cambridge......
PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia ，推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列(2023-08-04 10:47)
PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia ，推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列;PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM......
PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia ，推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列;PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM......
CGD为电机控制带来GaN优势(2024-06-07 14:00)
CGD为电机控制带来GaN优势;评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能Cambridge GaN......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-12 10:24)
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率;采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能，支持具有挑战性的高功率应用，坚固......
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”(2023-10-09 09:53)
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”;Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率......
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”(2023-10-09)
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”;Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-14)
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率;
【导读】无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发......
CGD和Qorvo将共同革新电机控制解决方案(2024-11-15 09:42)
CGD和Qorvo将共同革新电机控制解决方案;
双方合作将Qorvo的高性能BLDC/PMSM电机控制器/驱动器与CGD易于使用的ICeGaN IC结合于新的评估套件（EVK）中。
英商......
Cambridge GaN Devices推出新的ICeGaN系列产品(2024-02-29)
Cambridge GaN Devices推出新的ICeGaN系列产品;近日，专注于GaN功率器件设计和开发的半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）正在......
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”(2023-10-09)
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”;
2023 年 10 月 9 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一......
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”(2023-10-09)
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”;2023 年 10 月 9 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一......
CGD的ICeGaN HEMT荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”(2023-10-09)
CGD的ICeGaN HEMT荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”;Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力......
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性(2023-09-25)
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性;
【导读】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一......
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，具有出色的稳健性、易用性和高效率;
【导读】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-07)
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统;
2023 年 11 月 6 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一......
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率(2023-05-15 15:28)
Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2......
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录(2024-05-30)
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录;
2024 年 5 月 30 日
英国剑桥 - Cambridge Devices (CGD) 是一......
CGD 与 SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL (SCI) 签署亚太地区分销协议(2023-08-08 15:14)
CGD 与 SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL (SCI) 签署亚太地区分销协议;易用可靠的 ICeGaN™ HEMT IC 现已......
CGD 与 SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL (SCI) 签署亚太地区分销协议;易用可靠的 ICeGaN™ HEMT IC 现已在亚太地区提供
2023 年 8 月......
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性(2023-09-25 11:36)
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性;CGD 率先推出独立的 GaN 芯片二维条形码，可通过商用读码器读取以识别晶圆上的 IC 制造......
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性(2023-09-25 11:36)
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性;CGD 率先推出独立的 GaN 芯片二维条形码，可通过商用读码器读取以识别晶圆上的 IC 制造......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统(2023-11-06)
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统;拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品
2023 年 11 月......
Devices Ltd.（以下简称 CGD）结束神隐，宣布即将推出其首组产品组合，可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN™ 650 V H1 系列首次亮相 APEC（应用功率电子会议），该系......
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装(2024-06-06)
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装;
【导读】无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率;
2024 年 6 月 11日
英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge......
CGD为电机控制带来GaN优势(2024-06-07)
CGD为电机控制带来GaN优势;评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
2024 年 6 月 7 日......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率;采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能，支持具有挑战性的高功率应用，坚固可靠
2024 年 6 月......
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装(2024-06-05 09:52)
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装;新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN......
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录(2024-05-30)
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录;为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器
2024 年 5 月......
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs(2023-05-15)
性和高效率
稳健、高效，可像 MOSFET 一样驱动
2023 年 5 月 15 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发......
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性(2023-09-25)
Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码，提高工艺稳健性和可靠性;CGD 率先推出独立的 GaN 芯片二维条形码，可通过商用读码器读取以识别晶圆上的 IC 制造位置
2023......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
统方法可能会提高外部栅极电阻值。因为这些器件的CGD（CRSS）相对较高，所以外部RG值可以放缓dV/dt而不会过度延迟时间。对于图腾柱PFC等快速开关应用而言，这种方法非常好，在这种情况下，较快的dV/dt会带......
CGD为电机控制带来GaN优势(2024-06-07)
CGD为电机控制带来GaN优势;Cambridge Devices () 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 正在......
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装(2024-06-04)
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装;新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性
2024 年 6 月 4 日
英国剑桥 - 无晶......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
是维持米勒平台的电压。
从t2结束驱动的电流ig为Cgd充电（从另一个方向来说，可以叫放电），然后Vds就开始下降了。由于超级结在开通伊始的纵向扩散，比较小的GD电容，所以Vds一开......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
升到最大电流时，Id不再变化，Cgs也不再变化。
这时输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电，然后MOS管完全导通。
MOS管完全导通之后，输入电压不再经过米勒电容，又继续给Cgs充电......
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装(2024-06-04)
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装;无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge Devices () 开发了一系列高能效 功率器件，致力......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
【干货】拓尔微按摩椅专题期刊发布！(2023-06-28)
【干货】拓尔微按摩椅专题期刊发布！;
在按摩椅领域中，是按摩椅的大脑，高性能芯片可以更快捷地给出科学的按摩指令，指挥机芯，机械手等零部件更精准地完成上述指令，芯片......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
+ CGD = 1000 pF（估计值）的情况下在 Δt < 10 ns 内完成，根据公式 (5)，这将产生所需的峰值电流 IG(SRC)=3......
MOSFET共源放大器的频率响应(2024-03-04)
率之间有一个相对平坦的区域。这个零是由于CGD在高频下在放大器的输入和输出之间产生短路。
CS放大器的频率响应如图2所示。
•图5。图2中CS放大器的频率响应（RL=10 kΩ，RS=100Ω）。
密勒效应可以为我们提供CS......
知网涉嫌垄断被罚8760万 回应公布15项整改措施(2022-12-29)
滥用支配地位实施垄断行为。
· 通过连续大幅提高服务价格、拆分数据库变相涨价等方式，实施了以不公平的高价销售其数据库服务的行为。
· 通过签订独家合作协议等方式，限定学术期刊出版单位、高校不得向任何第三方授权使用学术期刊......
同济大学研究人员开创更安全自动驾驶的进化决策(2023-09-26)
Driving Based on Safe and Rational Exploration and Exploitation）》已发表于期刊《Engineering》。
图片来源：期刊......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
了一个功率MOSFET的组件级和电路级电容之间的关系。对BJT和IGBT器件也可以进行类似的电容测量。
关系如下：
● CISS=CGS+CGD=输入电容
● COSS=CDS+CGS=输出......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
、25°C、VGS-5V→15V的情况下，开通时测量，利用VDS（红色）波形提取QGD
这其实是在对测得的小信号电容CGD进行积分。
上述方法可得45mΩ器件QGD为13nC。从图3中还......
“AI 模拟芯片”登上《自然》杂志：效能可达传统芯片14倍(2023-08-29)
“AI 模拟芯片”登上《自然》杂志：效能可达传统芯片14倍;《自然》期刊杂志近期刊登了IBM研究实验室的最新研究成果：一种能效为传统数字计算机芯片14倍的AI模拟芯片。
据称，该芯......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
的研究和的持续小型化都揭示了行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。
寄生电容
由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容：
CGS：栅源电容。
CGD：栅极......
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;考试杂志编辑部;;国家级教育期刊《考试》杂志征稿。论文发表，杂志。 另我刊还代理其他各大期刊发表文章，发表范围省级，国家级，核心期刊
;《电子技术应用》编辑部;;《电子技术应用》作为一家创刊于1975年,由工信部 电子第六研究所主办,在国内电子行业、IT领域颇具影响的技术类期刊。《电子技术应用》始终坚持电子与技术、产品与研发、产业
等论文） ◆论文推荐公开刊物发表（省级/国家级/核心/CN/ISSN/ISBN）。我处提供的期刊杂志均是经国家新闻出版署批准；同时具有CN刊号和ISSN刊号公开出版的期刊,均可以在官方渠道查询。所有刊物都可以通过数字化期刊
;Niuba;;过刊;批发;杂志;报刊;过期刊;过版;旧刊;旧杂志;旧报;废刊;废报;过期品;过刊批发;无效刊;批发之家;过刊之家;期刊、报纸;其他书籍;库存图书;电子读物;其他音像制品;其他未分类
统一刊号：CN51－1071/F 国际标准刊号：ISSN1003－6067 杂志是全国公开发行，邮局订阅,是省级刊物、省优秀期刊。可供全国的各大专院校、科研单位、各企事业员工评定、中级职称、高级
了色光增视理论和利用对光反射诱发调节反射防治近视学说。 《国际眼科杂志》已被荷兰《医学文摘》、美国《化学文摘》、俄罗斯《文摘杂志》和国家科技部中国科技论文统计源（中国科技核心期刊）等国内外权威性检索系统收录，并被评为陕西省优秀科技期刊
;厦门鑫磊鑫工贸有限公司;;包装盒、化妆盒、光盘盒、彩页、期刊、杂志、招贴海报、手提袋、产品说明书、不干胶彩印、激光防伪、企业宣传册、台历挂历、各种黑白单据、无碳复写单据等。
;财富金店杭州店（cnki卡1折起专卖）;;中国知网cnki充值卡1折起卖，可以检索中文期刊全文数据库并下载，无时间限制，按下载篇数收费， 并有维普充值卡、万方充值卡、各种软件、电子书。
;论文发表代理;;全程论文发表中介服务，可以代发各类职称论文,均发表在核心期刊目录，可以发表论文包括教育论文、 经济论文、计算机论文、会计论文、毕业论文、金融论文及医学论文等.
;成都市灵翼设计印务有限公司;;成都灵翼设计印务有限公司专业平面设计,摄影和高品质印刷服务.企业VI设计,品牌推广,画册设计.期刊,DM宣传单,海报,标书样本,不干胶,包装,手提袋,挂历台历,信封