PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia ，推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
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研发客服PRESS RELEASE CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia，这是中国享誉行业的专业展会，专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。在活动期间，CGD 将在中国首推其第二个易用可靠的 ICeGaN™ GaN HEMT 产品系列。此外，CGD 将在展台中进行完整的产品演示，还将进行一场主题演讲和两场技术应用展示。
Cambridge GaN Devices 首席技术官 Florin Udrea 教授将于 8 月 29 日（星期二）上午 10:00 发表开幕主题演讲，演讲标题为：“新一代氮化镓功率器件；突破易用性和可靠性的极限”。
8 月 29 日（星期二）上午 11:25，CGD 高级首席应用工程师 Martin Cheung 将发表“降低高性能充电器拓扑中的稳态损耗”演讲；8 月 30 日（星期三）上午 10:55，他还将发表“调整 GaN 的开关性能和改进并联运行表现”演讲。
ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官
“CGD 非常重视中国和亚洲市场，我们不断扩大产品组合，并希望向全球市场推出创新、易用、坚固且可靠的新型 GaN 解决方案。PCIM Asia 将见证 CGD H2 系列 ICeGaN™ HEMT 解决方案在中国的初次亮相。这是我们第一次参与这一亚洲领先的电力盛会，我们非常高兴将与现有客户和潜在新客户深入交流，了解其应用需求，以便提供更能满足其要求的解决方案。”