新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性

2024 年 6 月 4 日

英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。

DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，在设计上具有灵活性。在顶部尤其是双侧冷却配置中，性能优于常用的TOLT封装。DHDFN-9-1封装采用双极引脚设计，有助于优化PCB布局和简单并联，使客户能够轻松处理高达6千瓦的应用。

BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10x10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。

Nare Gabrielyan | CGD 产品市场经理

“新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN™ 产品系列的这些固有特性。” 

提高热阻性能有以下好处：第一，在相同的RDS(on)下可以实现更多的功率输出。设备在相同功率下也能以较低的温度运行，因此需要较少的散热，从而降低了系统成本。第二，更低的工作温度也会带来更高的可靠性和更长的寿命。最后，如果应用需要更低的成本，设计者可以使用具有较高RDS(on)的低成本产品来实现所需的功率输出。

采用新型封装的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。