国际顶级功率器件研讨会中宣布此项荣誉，表彰其在功率半导体领域的突出成就以及对 ISPSD 的卓越贡献

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。该公司很高兴宣布，其首席技术官兼联合创始人 Florin Udrea 教授于近期入选 IEEE ISPSD（功率半导体器件和集成电路国际会议）名人堂。ISPSD 名人堂旨在表彰在推动功率半导体技术以及在维持 ISPSD 成功发展方面做出巨大贡献的个人。在对 Udrea 的表彰中这样说道：“Florin Udrea 对功率半导体领域的杰出贡献以及对 ISPSD 的多方助益，激励着一代又一代工程师在功率半导体领域去追求卓越。”除了在第 23 届 ISPSD（于中国香港举办）入选名人堂外，Udrea 教授还因其对第 22 届 ISPSD（于加拿大举办）的卓越贡献而荣获“最佳论文奖”和“最佳海报奖”，这是 ISPSD 举办 35 年以来首次将这两个奖项授予同一个人。

Florin Udrea  CGD 首席技术官

“很荣幸能够入选 ISPSD 名人堂，这一群体是如此的庄严卓越，其中更是不乏开拓进取的优秀同仁，能够成为其中的一员让我感到无比自豪。并且能在当今这样一个‘功率’主题变得越来越重要的时代中保持活跃，我感到非常荣幸和幸运。通过使用 GaN 等新型 WBG 材料，我们不仅可以提高效率，还可以减少碳足迹。”

Giorgia Longobardi | CGD 首席执行官

“祝贺 Florin 荣获此殊荣，他当之无愧。很幸运 CGD 能拥有这样一位在硅、碳化硅、金刚石以及氮化镓等众多不同类型的功率材料方面有着丰富经验的人才担任首席技术官。我们还从 HVMS（剑桥大学高压微电子和传感器研究组）的研究成果中受益良多，这个团队目前也由 Florin 所领导。CGD 的基础支柱之一是创新，而 Florin 正是一位真正的创新者。”

Udrea 教授在期刊和国际会议上已发表了超过 600 篇论文，并且在功率半导体器件和传感器领域拥有 200 项专利。2015 年，他入选为英国皇家工程院院士。Udrea 在最近的 ISPSD 会议上获得“最佳海报奖”，其获奖演示文稿主题为“可提高易用性和栅极可靠性的具有感应和保护功能的智能 ICeGaN™ 平台”。CGD 的 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列具备业界领先的稳健性、易用性，可实现最高效率。ICeGaN 可作为平台技术应用于多种领域，包括从商业领域的电源到工业领域的转换器和逆变器等多种应用。Udrea 教授因在剑桥大学与日本 Misrise Technologies 和日本京都大学针对垂直 SiC FinFET 器件合作开展的研究而荣获“最佳论文奖”。

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD)专注于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能源效率和高密度层面的根本性变革，确保产品适合投入大量生产。我们的使命是透过提供节能易于使用的 GaN 解决方案，将创新带入日常生活。 CGD 的 ICeGaN™ 技术已被证明适用于大批量生产，并且透过制造和客户合作伙伴关系迅速扩大规模。 CGD是一家由英国剑桥大学衍生而立的无晶圆厂半导体公司，其创始人 CEO Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍然与剑桥大学世界知名的高压微电子和传感器集团 (HVMS) 保持着密切联系。 CGD致力于创新科技的发展，使得其 ICeGaN HEMT 技术受到强大且不断增长的知识产权组合的保护。 CGD 团队的技术和商业专长，加上在电力电子市场的广泛业绩，是市场接受其专有技术的基础。