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研发客服Cambridge Devices () 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 在应用中的参考设计和评估套件（EVK）。 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 器和驱动器设计的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN™ （IC 增强型 GaN）技术。
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Giorgia longobardi | CGD 首席执行官“与其他同行提供的 GaN 性能不同，我们提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口电路，没有集成控制器；因此通过与高度集成的器和驱动 IC 进行简单的结合，ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。我们很高兴与 Qorvo 合作，使其电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。” |
“GaN 和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因凭借其更高的功率密度和效率优势而被积极用于各种电机控制应用中。CGD的 ICeGaN 产品提供了易用性和可靠性，这些是电机控制和驱动设计师关心的两个关键因素。我们很高兴看到设计工程师将 CGD 的 ICeGaN 与我们高度集成的 PAC5556A 600V 无刷直流电机控制解决方案相结合时的反应。”
GaN 带来的多种益处包括：更低的损耗，从而带来更高的效率，进而增加了功率可用性和产生更少的热量。这减少了对复杂、庞大和昂贵的热管理解决方案的需求，从而产生更小、更强大、寿命更长的系统。GaN 还可以在低速时提供更高的扭矩，因此可以实现更精确的控制。此外，GaN 可实现高速开关，这可以减少可听噪声，这对于吊扇、热泵和冰箱等家电尤其重要。
除了易用性之外，与其他 GaN 器件相比，ICeGaN 还提供了以下几个显著的优点。ICeGaN 的栅极驱动电压与 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 内集成了米勒箝位，所以不需要负关断电压，并且可以使用低成本的电流驱动器。最后，ICeGaN 内嵌电流感测功能，简化了电路设计并减少了物料清单（BOM）。
参考设计现已上市，EVK RD5556GaN 将在今年第3季度上市。该产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。Qorvo展位号为7-406。