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研发客服近日，专注于GaN功率器件设计和开发的半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）正在利用其独特的ICeGaN技术，针对更高功率的工业应用问题提出解决方案。
CGD的首席商务官Andrea Bricconi表示：“我们敏锐地意识到工业应用不断增长的电力需求以及对高效率的渴求。例如，随着人工智能的广泛应用，数据中心所需的电力几乎呈指数级增长。此外，太阳能逆变器、放大器、运输和智能移动、过程控制和制造等领域也对GaN技术表现出浓厚的兴趣。我们收到的反馈显示，他们非常欣赏我们‘像MOSFET一样驱动’的方法的简单性。”
为了满足这些需求，CGD推出了一系列基于其ICeGaN技术的产品。其中，一款350 W PFC/LLC参考设计以其23 W/in3的高功率密度和平均93%的效率引起了广泛关注。这款采用CGD的650 V、55 mΩ、H2系列ICeGaN技术实现的CrM图腾柱PFC + 半桥LLC PSU，提供了20 V / 17.5 A的输出，展示了CGD在电力转换效率方面的卓越实力。
此外，CGD还与Newways Electronics合作，成功开发出使用3 kW光伏逆变器的解决方案，将直流太阳能电压提升至稳定的直流母线电压。由于采用了零电流开关，该解决方案的最高效率高达99.22%，充分展示了CGD的GaN HEMT结构如何易于工程师使用，并与Analog Devices Inc.的标准硅控制器实现完美兼容。
同时，ICeGaN技术也被AGD Productions应用于其紧凑型AGD DUET放大器中。这是该公司首次在功率级和放大器中使用100% GaN功率晶体管设计，额定功率为300W 4Ω。这一创新举措进一步证明了CGD的ICeGaN技术在高功率应用中的可靠性和性能优势。
最后，值得一提的是，由13个合作伙伴组成的跨国联盟GaNext项目成功交付了紧凑型1 kW智能功率模块。该模块采用了CGD的ICeGaN技术，并集成了驱动、电压控制和保护电路，为未来的高功率工业应用提供了全新的解决方案。
CGD凭借其领先的创新技术和愿景，正不断推动GaN功率器件在各个领域的应用和发展。通过提供节能、易于使用的能源解决方案，CGD正致力于打造功率电子元件的未来，并满足不断增长的工业应用需求。
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