2023 年 10 月 9 日

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT (SoC) 在 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。

CGD 的 ICeGaN 已使用台积电的 GaN 工艺技术为全球客户进行大批量生产，将典型外部驱动电路的复杂性引入单片集成的 GaN HEMT 中。这一概念减少了 PCB 级的元件数量，并显著提高和整个系统的稳健性和可靠性，同时使用户能够将其与所选的栅极驱动器耦合。这一概念可以轻松扩展到更高的功率和电压，这也是 CGD 正在积极追求的目标。ICeGaN 作为行业首创，可以像 Si MOSFET 一样驱动 GaN eMode HEMT。正是因为 ICeGaN 给市场带来的差异化特性，创新区参观者将其评选为“最佳演示”。创新区是台积电在欧洲最大的年度活动中为初创客户展示尖端产品的地方。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官

“CGD 认可台积电在高压 GaN 领域的领导地位，我们相信他们拥有业界最成熟、最可靠的工艺，所以我们选择由台积电生产我们的专有 ICeGaN 技术 SoC。因此，我们也很高兴获得台积电久负盛名的创新奖。

这对我们来说具有重要意义，因为创新是 CGD 的关键价值观之一，我们的目标是凭借技术取得领先地位。该奖项也真实地展示了我们两家公司在将颠覆行业的创新 GaN 技术推向市场方面所取得的成功。”

Paul de Bot | 台积电欧洲区总经理

“我们对 CGD 表示最热烈的祝贺，其创新技术能够获得此奖项，的确实至名归。台积电很高兴与 CGD 合作，向全球开发各种应用的公司大批量供应易于使用的 650V ICeGaN GaN 晶体管。我们期待与他们在 GaN 功率半导体技术领域的密切合作。”

近期刚刚上市的 ICeGaN H2 单芯片 eMode GaN HEMT 是我们的第二代 650V GaN IC，在空载到轻载工作中表现出创纪录的低损耗特性，这对于许多消费和工业应用至关重要。CGD 与 H1 产品组合一起，在这次著名的欧洲活动和全球多个知名会议上展示了 65W 至 3kW 整个范围内的最高效率和可靠性。CGD 力争在不久的将来扩展其产品组合。

ICeGaN 在芯片内包含单片集成 GaN 接口电路。这简化了它们的使用方法，使它们能够像硅 MOSFET 一样驱动，而不需要特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路、负电压电源或外部钳位元件。这种创新设计使器件极其坚固可靠，同时实现了现有 eMode GaN 技术中的最高性能。