资讯
消息称三星背面供电芯片测试结果良好，有望提前导入(2024-02-28)
右的 1.7nm（IT之家注：此处存疑，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化，但由于目前超额完成了开发目标，预计将修改路线图，最早在明年推出的 2nm 中应用。
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电......
曝苹果将首发台积电2nm工艺(2024-01-26)
FinFET转为GAA，相较于N3E工艺，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%。
同时，还开发了具有背面供电方案的2nm，用来帮助客户实现性能、成本......
苹果将首发台积电2nm工艺！iPhone 17 Pro的A19 Pro先用(2024-01-25)
将更换晶体管架构，从FinFET转为GAA，相较于N3E工艺，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%。
同时，台积电还开发了具有背面供电方案的2nm，用来......
晶圆代工巨头走向背面供电，会是芯片未来大势所趋吗？(2023-04-03)
技术则会在更高版本的N2节点中实现。
虽然台积电方面并没有过多地说明不将背面供电应用在其初始 N2 节点的具体原因，但是其也曾透露，由于背面供电技术最终将增加额外的工艺步骤，在首......
台积电2nm晶圆代工报价或达2.5万美元(2023-10-23)
%。
另外，作为2nm制程技术平台的一部分，台积电也在研发背面供电（backside power rail）解决方案，该设计最适于高性能计算相关应用。而根据台积电的规划，目标......
英特尔首席执行官将18A工艺节点定位在台积电的2纳米性能和发布时间之前(2023-12-25)
工艺表示信心，声称它在性能上与台积电的2纳米节点竞争激烈，而且发布时间也更早。
18A工艺节点采用背面供电和增强硅利用率，据称在性能和交付方面领先于台积电的2纳米
英特尔首席执行官Pat......
英特尔首席执行官将18A工艺节点定位在台积电的2纳米性能和发布时间之前(2023-12-26 15:13)
发布时间也更早。英特尔18A工艺节点采用背面供电和增强硅利用率，据称在性能和交付方面领先于台积电的2纳米英特尔首席执行官Pat Gelsinger在团队蓝色最近的AI Everywhere活动上与巴伦报对话，该活......
先进制程现状：近闻“涨声”，远听“炮声”(2024-06-19)
走向2纳米。
另一方面，根据台积电2024年Q1财报，其3nm、5nm和7nm工艺的出货量分别占总收入的9%、37%和19%，三者相加达到了销售金额的65%，低于上一季度的67%，主要是3nm工艺......
Intel拿下爱立信：“1.8nm”代工5G芯片(2023-07-27)
设施创造高度差异化的领先产品。
这个先进工艺就是18A，是20A工艺的改进版，等效友商的1.8nm工艺，2024年下半年量产，还会有PowerVia背面供电、RibbonFET全环绕栅极两大全黑科技。
根据......
三星电子宣布其首个背面供电工艺节点 SF2Z 将于 2027 年量产(2024-06-13)
下一步演进的关键技术：
英特尔将于今年率先在其 Intel 20A 制程开始应用其背面供电解决方案 PowerVia；
台积电则称搭载其 Super PowerRail 背面......
三星电子宣布其首个背面供电工艺节点 SF2Z 将于 2027 年推出(2024-06-13)
下一步演进的关键技术：
英特尔将于今年率先在其 Intel 20A 制程开始应用其背面供电解决方案 PowerVia；
台积电则称搭载其 Super PowerRail 背面......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
创新的重要发展方向之一，也成为先进工艺比拼的新“竞技场”。
有分析称，台积电的背面供电尽管比英特尔推出晚了一两年，但其新型超级电源轨BSPDN技术将背面电源网络直接连接到每个晶体管的源极和漏极，比英......
Intel：突破 2nm 以下制程工艺，预计明年量产(2023-03-08)
有规格、材料、要求和性能目标。Intel 20A
(2nm)制造工艺将依赖于全门控环绕RibbonFET晶体管，并采用背面供电。
据悉，同时缩小金属间距、引入全新的晶体管结构和背面供电是具有较高风险的方案......
台积电抢攻背面供电技术：目标2026年量产(2024-07-05)
台积电抢攻背面供电技术：目标2026年量产;
7月4日消息，据媒体报道，提出完善的背面供电网络(BSPDN)解决方案，不过实施起来复杂且成本较高，预计2026年量产。
当前，台积电......
曝Intel1.8nm工艺于2024年下半年量产(2023-06-25)
部的晶圆制造业务拆分独立运营，还开放对外代工，其中18A工艺节点是重中之重。
Intel
18A工艺是20A工艺的改进版，等效友商的1.8nm工艺，2024年下半年量产，还会有PowerVia背面供电......
传三星芯片背面供电技术研发超预期，有望于明年量产(2024-02-29)
传三星芯片背面供电技术研发超预期，有望于明年量产;
【导读】目前三星、英特尔、台积电等均在研发芯片背面供电技术，可显著提高芯片能效并提高密度，有助于使现有高性能芯片进一步突破。据韩......
又一芯片巨头宣布背面供电技术突破(2023-08-15)
家制造巨头也已经开始了布局。在 2023 年 VLSI 研讨会上，英特尔展示了制造和测试其背面供电解决方案 PowerVia 的过程，并取得了良好的性能测试结果。英特尔正在大胆下注，在台积电......
晶圆代工大厂角逐先进制程迎新进展！(2023-10-17)
这款设备将于今年晚时推出原型，明年正式供货。
台积电2025年2nm进入量产
今年以来，台积电先后在美国加利福尼亚州圣克拉拉市、中国台湾等地介绍了其最新的先进半导体制造工艺路线图，涵盖3nm和2nm制程节点的各种工艺......
台积电2nm制程预计2025年Q4量产(2023-10-13)
新竹宝山的工厂预计于2024年第2季度开始安装设备，预计2025年第4季度量产，初期月产量约3万片晶圆。本文引用地址：此外，台积电的高雄工厂预估将会在N2工艺登场1年后，采用背面供电技术，量产 N2P（ 加强版）工艺。
......
三星电子介绍 BSPDN 背面供电技术收益：可减少 17% 尺寸，提升 15% 能效(2024-08-23)
团队的高级副总裁 Lee Sun-Jae 昨日在西门子 EDA 论坛 2024 首尔场上介绍了 BSPDN 背面供电网络技术的收益情况。
Lee Sun-Jae 表示，相较于采用传统 FSPDN 供电方......
晶圆代工大厂角逐先进制程迎新进展！(2023-10-17)
年2nm进入量产
今年以来，台积电先后在美国加利福尼亚州圣克拉拉市、中国台湾等地介绍了其最新的先进半导体制造工艺路线图，涵盖3nm和2nm制程节点的各种工艺。
台积电目前规划的3nm"家族......
英特尔“四年五制程节点”即将按时到站：Intel 18A芯片现已上电运行(2024-08-07)
Forest，提供了未来CPU和AI芯片的设计蓝图，结合了RibbonFET全环绕栅极晶体管、PowerVia背面供电和Foveros Direct 3D先进封装技术的高性能解决方案，以实......
英特尔“四年五制程节点”即将按时到站：Intel 18A芯片现已上电运行(2024-08-07 13:00)
了未来CPU和AI芯片的设计蓝图，结合了RibbonFET全环绕栅极晶体管、PowerVia背面供电和Foveros Direct 3D先进封装技术的高性能解决方案，以实......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
密度和能源效率上领先业界。N2背面电轨解决方案将在2025年下半年推出，并于2026年量产，主要应用于HPC领域。
并且，由于目前全球所有AI创新客户对2nm制程的需求高于3nm，几乎所有的AI创新者都与台积电......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
2023年四季度业绩说明会上，台积电表示2nm制程（N2）采用纳米片(Nanosheet)晶体管结构，预计在2025年量产，将在密度和能源效率上领先业界。N2背面电轨解决方案将在2025年下半年推出，并于......
传台积电下周试产2nm芯片，苹果独占产能(2024-07-11)
产良率达到一定标准时，便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA（全环绕栅极）纳米片晶体管结构，这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电（BSPR）技术，进一......
(2023.12.25)半导体周要闻－莫大康(2023-12-26)
尔的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位，基辛格相信这将在两年内实现。
基辛格表示，英特尔18A制程及台积电N2制程没有哪家具备显著优势，但多数人都说英特尔的背面供电技术更加优秀，这让硅晶片拥有更好的面积效率、意味......
晶圆代工大厂，1万亿美元市值闪现！(2024-07-09)
（2nm 级）制程技术，表示该工艺引入了 RibbonFET GAA 晶体管和 PowerVia 背面供电技术，将于2025年初投入生产。未来，英特尔还将发力18A（1.8nm级）工艺......
台积电法说会：TSMC 2.0与英特尔IDM 2.0(2024-07-23)
种创新的、一流的背面供电解决方案，业界未来将采用背面供电方案，以保持栅极密度和器件的灵活性。与 N2P 相比，A16 在相同功率下进一步提高了 8% 至 10% 的速度，或在相同速度下提高了 15% 至 20......
消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术(2024-07-29)
出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。
▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机
台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN......
背面供电选项：下一代逻辑的游戏规则改变者(2023-09-04)
有望实现 3D 片上系统，例如通过晶圆对晶圆键合获得的逻辑存储器。
2019 年， 率先提出了背面供电的概念，并与 Arm 合作量化了系统层面的优势。与此同时， 已作为 2nm 及以上技术节点的上下文感知互连解决方案......
2nm被传延期量产 台积电回应(2022-12-30)
2nm被传延期量产 台积电回应;
今天上午正式宣布3nm工艺量产，这是当前全球最先进的半导体工艺，明年开始贡献营收。
3nm好事将近的时候，也传来了了2nm工艺的坏消息，那就......
台积电开始准备为苹果及NVIDIA试产2nm芯片(2023-06-20)
引领半导体制程技术。在在当地时间 6 月 1 日的线上活动中，英特尔还公布了其芯片背面电源解决方案 PowerVia 的技术发展、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。相比之下，虽然目前台积电也在开发背面供电......
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展(2023-09-08)
信号传输建成后道工序后，在器件晶圆的背面创建硅通孔，连通埋入式导轨。为了供电也可以在背面进行进一步的互连。
图2：参考资料[2]，使用埋入式电源轨进行背面供电（不按比例）
至少出于性能原因，器件晶圆背面......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
器示范，描述 60 纳米闸极间距利用 CFET 功能逆变器测试电路。采垂直分层双电源漏外延和双金属闸极堆叠，结合 PowerVia 背后供电。
为了不被对手超越，台积电也会展示如何达成 CFET。此为......
Intel 18A/20A工艺流片，多家潜在客户将测试(2023-03-07)
四年五个节点，还开放IFS代工服务，竞争台积电、三星等。
据悉，按照Intel相关人士的说法，其埃米级工艺节点20A(2nm)和18A(1.8nm)已经流片，也就是设计定案，即规格、材料、性能......
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展 探讨晶圆背面的半导体新机遇(2023-10-13)
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展 探讨晶圆背面的半导体新机遇;在我从事半导体设备的职业生涯之初，背面是个麻烦问题。当时发生了一件令我记忆深刻的事：在传送的过程中，几片从机器人刀片上飞了出来。收拾......
英特尔首批20A和18A测试芯片已经流片(2023-03-08)
将依赖于全门控环绕RibbonFET晶体管，并采用背面供电。同时缩小金属间距、引入全新的晶体管结构和背面供电是一项高风险的举措，但预计20A将使英特尔超越台积电......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。为什么是背面供电背面供电（BSP/BS-PDN），就是将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的背面......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。
为什么是背面供电
背面供电（BSP/BS-PDN），就是将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的背面......
未来3年全球半导体设备销售将创纪录：中国是最大买家(2024-09-27)
尖端节点的投资以及对成熟节点的持续支出。对2nm逻辑工艺的投资以及2nm关键技术的开发，例如全栅(GAA)晶体管结构和背面供电技术，对于满足未来高性能和节能计算需求至关重要，尤其是对于人工智能应用而言。由于......
反超台积电重回工艺世界第一！Intel最先进18A芯片即将落地(2024-09-18)
)”路线图的巅峰之作。该工艺是在20A的基础上打造，后者第一次将环栅 (GAA) 晶体管技术RibbonFET与背面供电技术PowerVia相结合。
此前，Intel官方宣布，基于18A工艺的......
台积电“三巨头”首次来大陆拜访客户(2023-06-21)
也关注市况变化；值得注意的是，在北美场，台积电披露了有关其即将在 2025 年至 2026 年及以后推出的 N2 2nm 生产节点计划的更多详细信息。台积电的N2系列制造技术将扩展其他变化，包括具有背面供电......
台积电公布A16 1.6nm工艺：对比2nm性能提高10%、功耗降低20%(2024-04-26)
三维集成电路（3D IC）技术，凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。
据了解，台积电在此次的北美技术论坛中，首度公开了台积电A16（1.6nm）技术，结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电......
英特尔 CEO：我把整个公司都押注在了 18A 制程上(2024-02-29)
则将在 2025 年推出。
18A 制程如此重要，部分原因在其引入了先进的“背面供电”技术，也被英特尔称为 PowerVia。简而言之，这项技术能够从芯片的背面而不是正面为晶体管供电。
Gelsinger......
英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺(2023-12-22 11:03)
工艺不相上下。不过基辛格表示，在背面供电（backside power delivery）方面，英特尔更胜一筹，也得到了客户的广泛认可。
基辛格表示英特尔在背面供电技术方面，提供......
英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺(2023-12-21)
工艺和台积电的 N2 工艺不相上下。
不过基辛格表示，在背面供电（backside power delivery）方面，英特尔更胜一筹，也得到了客户的广泛认可。
基辛格表示英特尔在背面供电......
台积电为2纳米节点增加两个变体，英特尔能赶上吗？(2023-05-29)
符合汽车标准的N3AE制程将在2025年量产。
台积电在2023年北美技术论坛上并提供了2nm芯片制程(N2)细节，N2有望在2025年投产。台积电并将在2026年为其N2技术增加两个变化版本：具有背面供电......
外媒：三星将BSPDN技术用于2nm芯片 开发晶圆背面(2022-10-14)
外媒：三星将BSPDN技术用于2nm芯片 开发晶圆背面;据外媒《TheElec》报道，三星正计划使用背面供电网络（BSPDN）的技术来开发2纳米芯片，该技术是上周由公司技术研究员ParkByung......
这2座12英寸晶圆厂即将动工！(2024-07-29)
可以看到三星更多聚焦先进制程芯片的研发。首先是三星推出的2nm高性能计算（HPC）芯片先进工艺采用背面供电技术，即将电源轨置于硅片背面。该公司表示，与第一代2nm工艺相比，该技术提高了功率和性能，减小了面积，同时......
相关企业
客户排除产品由设计至最终上市的种种困难，提供给客户最完整的产品解决方案，与客户建立长期深厚的伙伴关系。 l 台积电是全球半导体业者最大且最值得信赖的晶圆制造服务伙伴，也是在中国和全世界得到最优质晶圆制造服务的最佳管道。 l
的核心业务包括：通用系列电池、电池周边特色产品及为全球整机生产厂商提供供电方案三大模块。公司以全球市场的发展战略定位，以领先的技术方案和先进的生产工艺，为人们提供便利、低碳、环保的优质产品。
LUMILEDS LUXEON系列；首尔半导体LED 5630 5050,三星LED 5630,台湾隆达LED 5630 3014，以及台积电3535 TS系列大功率TS1 TS3，台湾
;深圳市富瑞科电子有限公司;;深圳富瑞科电子有限公司主营移动电源方案，智能充电方案，无线充电方案，多节保护板，动力保护板设计和生产的高科技企业。 公司拥有强大的研发实力，持续进行充电、无线充电、保护
LED驱动芯片、液晶屏驱动、耳机降噪芯片、模拟与数字转器IC、电容屏驱动、触摸IC等，公司多年积累2000多家客户，涉及智能家居、家用电器、LED市政灯饰、LED广告屏、数码产品、医疗技术等领域，目前与全球最大代工厂台湾台积电
家专门经营台湾艾笛森EDISON,美国科锐CREE，台湾琉明斯以及（台积电）彩钰等品牌大功率LED灯珠的专业光电子器件通路商！公司严格执行“系统管理，以人为本，诚实守信，交货快捷，优质服务”的宗旨。真诚
;深圳锡安科技有限公司销售部;;深圳锡安科技有限公司，本公司专业代理OSRAM欧司朗、CREE科锐、Philips飞利浦、Sharp夏普、TSMC台积电等海内外大品牌LED灯珠、光源、发光
;深圳锡安科技有限公司-销售部;;深圳锡安科技有限公司，本公司专业代理OSRAM欧司朗、CREE科锐、Philips飞利浦、Sharp夏普、TSMC台积电等海内外大品牌LED灯珠、光源、发光
专注的项目包括高能锂电电源的设计与生产、IT芯片的设计与制作等。具体包括： 1、高能锂电池供电方案的设计与技术支持； 2、提供规格齐全和卓越性价比的锂电池产品； 3、提供特型高能电池技术与产品； 4、提供电源及IT控制级芯片技术与产品；
;富瑞科电子有限公司;;深圳富瑞科电子有限公司是一家专业从事智能充电方案，无线充电方案，移动电源方案，多节保护板，动力保护板设计和生产的高科技企业。 公司拥有强大的研发实力，持续进行充电、无线