【导读】目前三星、英特尔、台积电等均在研发芯片背面供电技术,可显著提高芯片能效并提高密度,有助于使现有高性能芯片进一步突破。据韩国业内人士2月28日透露,三星电子证实,该公司正在研发的“背面电源(BSPDN)”技术指标超出预期。
目前三星、英特尔、台积电等均在研发芯片背面供电技术,可显著提高芯片能效并提高密度,有助于使现有高性能芯片进一步突破。据韩国业内人士2月28日透露,三星电子证实,该公司正在研发的“背面电源(BSPDN)”技术指标超出预期。
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