英特尔首席执行官Pat Gelsinger对其18A工艺表示信心，声称它在性能上与台积电的2纳米节点竞争激烈，而且发布时间也更早。

英特尔18A工艺节点采用背面供电和增强硅利用率，据称在性能和交付方面领先于台积电的2纳米

英特尔首席执行官Pat Gelsinger在团队蓝色最近的AI Everywhere活动上与巴伦报对话，该活动中公司发布了其最新的Meteor Lake处理器。在与该出版物交谈时，首席执行官Gelsinger就英特尔的18A工艺提供了最新消息，声称在采用先进的供电方法后，它有望超越台积电的N2（2纳米）节点。

我们宣布了18A的两项重大创新：新的晶体管和背面供电。我认为每个人都在看台积电的N2晶体管与我们的18A的比较。目前尚不清楚哪一个明显优于另一个。我们将看到谁更胜一筹。

但是背面供电，每个人都说英特尔做到了。你领先竞争对手几年。这是强大的。这是有意义的。它为硅提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本。它提供了更好的电源传递，这意味着更高的性能。所以，我有一个好的晶体管。我有出色的电源传递。我认为我在时间上略领先于N2，即台积电的下一代工艺技术。

帕特·盖尔辛格（英特尔首席执行官）通过巴伦报

英特尔的18A工艺节点将使用RibbonFET晶体管以及一种新的“PowerVia”传递方法，预计将带来显著的性能提升。据透露，与20A相比，我们可能会看到18A的代际改进达到10％。有报道称，ARM可能是英特尔该工艺的第一位客户，希望将其用于移动SOC，但这目前仅是谣言。

最新的英特尔路线图显示，18A将在2024年下半年准备进行风险生产，这超前于计划。

英特尔铸造服务在半导体技术方面并没有在近期取得太多成功，然而，事态似乎正在改变，尤其是在团队蓝色的发展速度方面。不久前，我们报道了英特尔20A工艺的状态，以及它计划在2024年首次亮相。英特尔20A将为Arrow Lake客户CPU提供动力，而18A据说将为未来的客户、数据中心和铸造芯片提供广泛的解决方案。

此外，在向日本媒体展示的演示中，英特尔列出了18A之后的几个节点，我们还看到了从14纳米时代回归的“+”。至少有三个在18A之后的未来节点被提及，“英特尔Next+”明确提到了使用HiNa EUV光刻技术。预计该节点的生产不会在2025-2026+时间框架之前进行。

即将到来的半导体市场将比以前更加动态，三星铸造和英特尔等公司将争夺王位。