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相应波长的紫外线，这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。 在制备技术方面，氮化铝镓已经具备了一定的积累。 “氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD（金属有机物化学气相沉积），在工艺、设备......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶;奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图......
MPa，-40~150 ℃ 热循环达到1 500 次，能耐1200 A/3.3 kV 功率循环测试，满足高压、大电流、高频IGBT 模块封装对覆铜板的可靠性要求。采用氮化铝基板进行功率负载的制备......
或尺寸等方面相对于宽禁带半导体碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势。 此外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化......
、氮化铝、氧化锌、氮化硼等无机粉体，然而这些粉体与硅油的相容性差，部分产品还存在易水解，难以高填充等问题，无法制备性能优异的高导热界面材料。 电动汽车热管理中，导热凝胶、 导热硅脂、导热......
正在高速发展；与碳化硅相比，氧化镓的性能和成本更具潜力，市场玩家数量正在激增，虽然短期研究结果相继发布，但它依然是后来者，并且在掺杂和制备上具有一定问题；氮化铝受深紫外LED、照明影响获得稳固需求提升；金刚......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键;泛林集团如何助力触觉技术的实现 在掺钪氮化铝......
a-Physical，1996） PZT替代物 掺钪氮化铝 (ScAlN) 是很有前景的PZT替代物，而且不需要引入铅的使用。由于掺钪氮化铝具有较高的击穿电压，因此......
鼎龙股份：目前已在28nm节点HKMG制程的铝制程抛光液产品上取得了突破;近日，鼎龙股份在接受机构调研时表示，公司 CMP 抛光垫产品已经深度渗透国内各家主流晶圆厂的供应链，成为......
粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。 据悉，无锡海古德是一家集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。其核心产品高性能氮化铝......
备先进陶瓷前道制造、硬脆难加工材料加工和新品表面处理等全工艺流程技术。 目前，珂玛科技拥有由氧化铝、氧化锆、氮化铝和碳化硅 4 大类材料组成的先进陶瓷基础材料体系，主要类型材料的耐腐蚀、电绝缘、高导热、强机......
的使用寿命。 发布的设备的轴向引线和低矮外形为设计人员提供了更大的设计灵活性，而其高温性能和较长的使用寿命增加了在苛刻环境中苛刻应用中的可靠性。作为具有非固体电解质的极化铝电解电容器，这些器件适用于汽车，工业......
种白色的晶体粉末，具有两性。氧化镓，禁带宽度为 4.9eV，远高于碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV），仅次于金刚石（5.5eV）和氮化铝（6.2eV）。氧化......
距离检测和手势识别等功能。 茂丞超声SC801与其它方案的对比 茂丞超声致力于第三代半导体材料-氮化铝，实现......
我国科学家开发出新型芯片绝缘材料“人造蓝宝石”; 8月8日消息， 作为组成的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝......
鼎龙股份：氧化铝抛光液产品已通过客户端验证，并开启计划采购;3月10日，湖北鼎龙控股股份有限公司（以下简称“鼎龙股份”）发布《关于公司抛光液产品通过客户端验证并开启计划采购的公告》。 公告......
贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝......
通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 “氮化铝（凭借其具有大面积的焊接端子）可为TT Electronics公司的HPDC系列产品提供迄今为止最高的功率密度。借助这款产品，我们......
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，专注于碳化硅、金刚石、氮化铝等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。 目前，晶驰......
‘晶格传质-界面生长’范式的更多潜力，推动其在新材料制备、新应用领域的广泛应用。 Part.3 破局第三篇：第三代半导体 第三代半导体材料主要以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代......
石类热沉、氮化铝热沉、氮化硅热沉等，主要应用于射频、光电等半导体功率模块重点领域。中国科学院院士孙军教授和西安交通大学教授、博士生导师宋忠孝作为本公司首席科学家领衔公司技术研发。 封面图片来源：拍信网......
镓自支撑衬底生产制造厂家。 从制备工艺上看，氮化镓自支撑衬底的制备通常是在蓝宝石衬底上异质外延氮化镓膜，然后采用激光剥离技术(laserlift-offtechnique)使得氮化镓膜与蓝宝石分离，从而得到自支撑氮化......
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。 封面图片来源：拍信网......
%。该机构指出，陶瓷部件市场受到半导体设备需求的有力拉动，氧化铝、氮化铝、氧化钇等材料的精密陶瓷部件目前被应用于热处理、蚀刻、外延......
，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路材料产业基地的，便是第三代半导体的代表性材料——高品级氮化铝粉末及复杂形状氮化铝陶瓷精密器件项目。 露笑科技碳化硅项目开始设备安装调试 5月......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC，工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益，+44.5 dBm饱和......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器，工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益，+39 dBm饱和......
硼光学晶体原创理论与材料”。 据介绍，北京大学团队经过多年攻关，创造性提出新的光学晶体理论，并应用轻元素材料氮化硼首次制备出一种“薄如蝉翼”的光学晶体“转角菱方氮化硼”。 这是世界上已知最薄的光学晶体，能效......
从晶种到基板的大规模生产。 信越化学公司正在努力利用内部开发的方法制造更大的基板，在氮化铝而不是氮化镓制成的基板上生长氮化镓晶体。 一些人认为，氮化......
实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。双方的合作将进一步提高研发效率，缩短研发周期，推动先进材料领域的技术创新。 封面图片来源：拍信网......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项;据江南大学消息，近日，江苏省重点研发计划“产业前瞻与关键核心技术”专项2023年度项目立项名单公示结束，“氮化......
物晶格匹配的过渡金属硫化物为缓冲层，构筑人工生长界面，实现了非晶玻璃晶圆上的单晶薄膜制备，并实现了紫外发光器件的制备。该项工作以非晶衬底这一极端情况，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。 刃位错是氮化......
底（Substrate）是产业链的源头。从制备难度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是异质衬底，蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。相对于常规半导体材料，GaN单晶......
%；期末存货净值较期初减少 1.86 亿元。 　　据了解，三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝......
发展将催生大量合作，助力开拓出更多的新兴市场。  附：2024年度中国第三代半导体技术十大进展（排名不分先后） （一）6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破 西安......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
器研发、微功耗芯片研发、纳米材料（半导体阻焊墨水）研发、芯片封装测试、风光储新能源安全监测等。目前，和林格尔新区正在积极布局半导体产业链，已落地海特华材碳化硅材料、盛和芯材氮化铝材料、百环单晶硅籽晶材料、西安......
都是电机制造者所不希望出现的。因此，耐电晕绝缘材料制备和应用成为电机绝缘领域研究的热点。本文在分析变频电机绝缘材料破坏机理的基础上，评述了国内外在变频电机耐电晕绝缘材料方面的研究成果及存在的问题，提出......
在实验室中取得越来越多研发进展，其量产、商业化脚步也在不断推进。日本分析机构矢野研究所发布宽禁带半导体全球市场研究结果，氧化镓比碳化硅器件具有更高的成本和性能潜力，参与者的数量正在增加。或许不久之后，氧化镓就会加入与碳化硅和氮化......
美国、日本和欧洲在氮化镓体单晶材料研究方面都取得了一定的成果，都出现了可以生产氮化镓体单晶材料的公司，其中以美国、日本的研究水平最高。 美国有很多大学、研究机构和公司都开展了氮化镓体单晶制备......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
工艺优化、产品研发和设备升级，加速市场拓展和团队扩建。 资料显示，博志金钻成立于2020年，是一家专门从事半导体封装材料研发生产的公司。公司产品包括氮化铝热沉、单晶碳化硅热沉、金刚......
得到的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝缘衬底参数，使用乙烯制备的其中一个半绝缘氮化镓样品达到了目前报道的最高GaN体电......
前瞻性应用基础研究拟立项项目及关键核心技术研发拟立项项目两大类，其中有不少关于半导体领域的项目。 在前瞻性应用基础研究拟立项项目名单中，涉及第三代半导体领域的项目包括用于MOCVD外延的氮化铝陶瓷复合衬底制备工艺的研发、基于......
镓半导体激光器芯片量产产线在柳州市北部生态新区正式投产，实现了该类芯片的进口替代和自主可控。 2020年9月，北部生态新区管委会与飓芯科技签约。目前，企业已攻克氮化镓高端光电子芯片制备技术中的八大核心工艺，拥有全球领先的半导体量产设备100余台......
得到稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀的氧化铝薄膜晶圆。 狄增峰介绍，团队成功以单晶氧化铝为栅介质材料制备出低功耗的晶体管阵列，晶体管阵列具有良好的性能一致性。晶体管的击穿场强、栅漏电流、界面......
性提出的一种新的光学晶体理论，并应用轻元素材料氮化硼首次制备出的一种“薄如蝉翼”的光学晶体“转角菱方氮化硼”。这是世界上已知最薄的光学晶体，能效相较于传统晶体提升了100至10000倍，为新......
尺寸，用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货。Vishay Dale器件具有非常高的导热率，使用主动温度控制的情况下功率等级可达22W。 RCP系列电阻在氮化铝(AIN)衬底......
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术......

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