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国产光刻机获重大突破,ASML如何应对?;      中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所,调研EUV光源等技术,高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产光刻机获重大突破......
有报道称,上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破,预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W设备。 上海微电子的第一大股东是上海电气控股集团有限公司,持股......
新技术加持,国产光刻机有望获得新突破; 光刻机是集成电路制造的关键核心设备,为了在更小的物理空间集成更多的电子元件,单个电路的物理尺寸越来越小,主流光刻机在硅片上投射的光刻电路分辨率达到50......
胶研发的ASML XT 1900 Gi型光刻机,现已全部到厂。 目前,其自主研发的KrF光刻胶产品已通过客户认证,并成功取得订单,光刻胶项目取得重大突破。 同日,上海新阳发布公告称,公司......
直接影响到ASML公司光刻机的研发和制造。这一技术依赖的情况为ASML公司带来了一定的风险。 我国光刻机技术的突破 相比于对华出口光刻机受限,我国光刻机技术取得了重大突破。中微公司自主研发的光刻机,产能......
半导体行业分析师张宏周二对《环球时报》表示,上海微电子装备集团(以下简称,上海微电子)一直致力于研发 浸没式光刻机,预计首台国产 SSA/800-10W 光刻机将于 2023 年底交付。 这将是该行业的重大突破......
%,跃升为全球第三。 据公众号“ASML阿斯麦光刻”介绍,这是一次重大突破,ASML光刻机首次进入8英寸硅基氮化镓量产线。ASML的顺利入驻将持续助力英诺赛科的大规模量产,为其......
又一台天价光刻机,即将出货!; 据韩媒最新报道,三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV(极紫外)光刻机设备,这或许标志着这家三星电子在先进半导体制造领域取得重大......
日本建立2纳米半导体制造基地。 最近,台积电方面也有好消息传出,业界消息显示,台积电在2纳米先进制程研发上取得重大突破,已成功找到路径,将切入GAAFET技术。 而三......
后,俄罗斯日常突破  先不谈技术,其实俄媒CNews是一个很"咋呼"的媒体,时常传出重大突破的新闻,可能比我们国内某些标题党还厉害。让我们先"品鉴"一下俄罗斯的光刻"突破"之路: 2022年4月......
人才队伍进一步夯实。报告期内,八亿时空聚焦KrF光刻胶关键原料PHS树脂的研发和量产,并取得重大突破。截至披露日,公司研发团队成功实现KrF光刻胶用PHS树脂50公斤级别的量产,材料性能指标达到国际先进水平,能满足国内光刻......
我国科研团队在下一代芯片领域取得重大突破;7月22日消息,北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破,成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片(TPU......
中国电科48所第三代半导体装备项目获国家科技部立项;近日,中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破,牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目,获得国家科技部“高性能制造技术与重大......
,缪向水团队投入到直指世界科技前沿的更新一代的存储芯片技术的研发中,并在新型忆阻器芯片研发上取得重大突破。 据缪向水教授介绍,“这个忆阻器技术目前来讲,我们的国际专利数已经是全球前三名,国内......
风华高科MLCC用纳米级稀土氧化物研发取得重大突破;据广晟集团公众号消息,近日,广晟集团控股上市公司广晟有色、风华高科联合启动的高端电子陶瓷(MLCC)纳米级稀土氧化物研发取得重大突破。 在先......
是真的解决方法。所以,日本的建筑都非常抗震。 而据日媒报道,日本地震预测已获得重大突破,有望提前20分钟到1小时预警。 据报道,京都大学通信工学专业教授梅野健的科研团队发表研究成果称,已成......
纳米先进制程研发上取得重大突破,已成功找到路径,将切入GAAFET技术。 纵向对比头部厂商,台积电有较大希望率先量产2纳米芯片,毕竟台积电在先进制程上一直处于领先地位,其于2018年推出7纳米......
国际和其他委外封测代工厂则是在10%左右。 虽然中国半导体产业已经取得了重大进步,但目前仍依赖于荷兰ASML和日本尼康和佳能的光刻机。有报道称,目前中国光刻......
最新,国产光刻胶通过验证!; 据“中国光谷”消息,光谷企业近日在半导体专用光刻胶领域实现重大突破:武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品,已通过半导体工艺量产验证,实现......
现大规模量产。这样来看,英特尔或许能在未来斩获更多订单。 三星在光刻机获得方面亦早有计划。今年一月,ASML韩国公司总裁Lee Woo-kyung透露,期待2027年带来三星电子和ASML的合......
我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破;7月22日消息,北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破,成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片(TPU......
山东航天人工智能安全芯片研究院研制的3款安全芯片均取得重大突破;据爱济南消息,继去年发布“全球首款国密算法高抗冲突物联网安全芯片”后,山东航天人工智能安全芯片研究院研制的3款安全芯片目前均取得重大突破......
可提升半导体性能和制造效率,中国稀土取得重大突破;稀土元素在半导体产业中扮演着重要的角色,尤其是在高性能半导体材料的制造过程中。稀土元素的应用涵盖了从抛光材料、靶材到激光技术等多个方面,这些......
台积电年底前获首套High-NAEUV,生产领先2nm两代制程;日经亚洲的报导,全球最大半导体制造商台积电(TSMC)年底前会收到ASML最先进光刻机。高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻机......
台积电3nm制程工艺取得重大突破 高雄新厂投产时间有望提前半年;据台媒《经济日报》4月13日报道,台积电高雄厂12日通过环评,预计2023年7月启动投产,比原预期提早半年。 台积电曾于2021......
光刻领域新突破!我国研发出全球最薄光学晶体:能效提升万倍!; 近日,2024中关村论坛年会发布了10项重大科技成果名单,分别是《中关村世界领先科技园区建设方案(2024-2027年)》、全模......
略性新兴产业专项资金将进一步加大支持力度: (一)对于零部件、原材料等自主研发取得重大突破并实现实际销售的集成电路装备材料重大项目,支持比例为项目新增投资的30%,支持金额原则上不高于1亿元(币种:人民......
宁德时代宣布固态电池技术取得重要进展,颠覆电动汽车的时刻来了;国产固态电池技术的重大突破及其影响近年来,随着电动汽车市场的迅猛增长,作为其核心组件的动力电池技术也日新月异。作为......
容量更大充电速度倍增 全固态电池技术获得重大突破;最近发表在《Science》杂志上的最新研究成果显示:具有大容量和大电流特性的全固态电池被成功实现,从而......
)建成、光电融合广域确定性网络技术取得重大突破、行业首个载具时敏网络控制系统取得成果和6G无线网络毫秒级实时智能技术。会上,据中国工程院院士刘韵洁介绍,光电融合广域确定性网络技术是面向“东数西算”工程......
关键技术,加快实现高水平科技自立自强。 值得注意的是,就在上周,中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破,牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目,获得国家科技部“高性能制造技术与重大......
。 2nm可谓是台积电的一个重大节点,将采用纳米片晶体管(Nanosheet),取代FinFET,意味着台积电工艺正式进入GAA时代。针对2nm制程所用设备,台积电还将延续使用EUV光刻机。值得......
技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称“《目录》”)。 该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm......
俄罗斯媒体:中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章,原题:重大成就:中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道,上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
光源的突破对于EUV光刻进一步的应用和发展至关重要。唐传祥说:“基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率,并具备向更短波长扩展的潜力,为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。” EUV光刻机......
100nm提升至50nm!中国长城半导体激光隐形晶圆切割技术取得重大突破;100nm提升至50nm! 近日,半导体行业又传来一个好消息,中国长城在晶圆切割技术方面取得重大突破:其旗......
讨论半导体技术的未来、市场前景及EUV设备的供应,并取得“额外”的EUV光刻机设备,不过三星未详细说明此次获得的“额外”EUV设备内容。 报道称,今年ASML的EUV光刻机出货量估计为51台,此次......
长电科技Chiplet超大尺寸高密度扇出型倒装封装取得重大突破; 5月5日,全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技宣布,公司Chiplet技术取得重大突破,超大......
长电科技Chiplet超大尺寸高密度扇出型倒装封装取得重大突破;全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技(26.69 -1.26%,诊股)宣布,公司Chiplet技术取得重大突破,超大......
清华大学宣布脑机接口技术重大突破!; 1月31日消息,日前,宣武医院与清华大学团队共同宣布:技术取得重大突破。 据“首都医科大学宣武医院”、“清华大学”公众号介绍,首都......
ASML:EUV光刻机已近极限 追赶技术还是另辟蹊径?;首席财务官达森(Roger Dassen)表示,技术路线发展受欧美限制,且已接近技术极限,此一技术路线前景不明。积极寻求突破的中国厂商是持续投入资源突破......
重大突破!中国将推世界首台迷你“核电宝”;日前,我国铅基快中子反应堆研发工作取得重大突破,铅基反应堆核心技术实现了自主化,并跻身到了世界领先水平。沿用此项技术,未来,我国......
学习能在硬件端直接完成)的忆阻器存算一体芯片,在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破,有望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。相关成果在线发表于最新一期的《科学......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破;4月10日消息,中国电子科技大学和韩国浦项科技大学科研人员在新型半导体材料和器件领域取得了重大突破! 据介绍,该项......
合盛硅业首条10万吨高纯多晶硅产线实现量产;近日,合盛硅业光伏一体化全产业链园区多晶硅生产取得重大突破,年产20万吨多晶硅项目第一条10万吨生产线顺利实现高品质量产,已产出满足下游N型电......
华为重大突破:5.5G关键技术测试全面完成; 10月22日消息,在IMT-2020(5G)推进组的组织下,已于9月11日率先完成5G-A全部功能测试。 据“华为中国”公众号介绍,近日,华为......
新能源汽车年产量超过120万辆;新能源汽车产值突破3500亿元,占全市汽车制造业产值35%以上。 发展目标还提及,到2025年,核心技术攻关取得重大突破。动力电池与管理系统、燃料电池、驱动......
国产光刻胶新突破!;近日,华中科技大学与湖北九峰山实验室的研究团队在光刻胶技术领域取得重大进展,成功突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。 在半导体制造环节,光刻......
将甚至远超台积电。 此外,Patel还认为光刻胶和光刻机关键零部件目前并无出口限制,这也是一个重大的漏洞,如果目标是遏制中国在前沿节点上的能力,也必须阻止这些工具的流通,关键供应商很容易被上海微电子等本土光刻机......
ASML两款光刻机出口许可被撤销;1月2日,全球龙头在官网发布声明称,荷兰政府最近撤销了此前颁发给其2023年发货NXT:2050i和NXT:2100i的部分出口许可证,这将......

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创造美好未来。 本公司产品以获得多项专利证书,所有产品都是自主研发,自主知识产权。在可控硅调光电源开发获得重大突破,本公司可控硅调光电源具有调光性能好,与市场上普通可控硅调光器兼容性好,性价比高等特色。 深圳
;广东省中山市威欧电子有限公司;;威欧电子有限公司自成立以来凭着强大的研发力量,并引进国外光电技术,对感应洁具 在节电技术、抗杂光干扰等方面取得重大突破,集研发、设计、生产、销售于一体,使 产品
LED路灯在50W、100W、150W、200W等产品更是首创单颗光源设计。无论是在节能、亮度、消除暗影等方面都是取得重大突破并获得多项设计专利,产品从芯片封装到灯具设计以及规模生产全部自主完成。并具
;北京和路元电子技术有限公司vfd事业部;;和路元电子有限公司在当今VFD平板显示领域取得重大突破,其对中国的VCD、DVD市场起着关键的作用,1999年公司销售业绩达到中国大陆市场的60%之多
等多领域出发而成立的一家新型公司,公司与多所大学院建立了战略合作伙伴关系,研制出了国际领先的LED产品,在LED核心技术上取得重大突破,解决了制约LED照明产品发展的系列难题;提供高亮度、低光衰、寿命长的LED
司关注科技创新,注重技术研发。拥有一批经验丰富的资深研发设计人员。经过公司全体同仁的不懈努力,使我们在技术领域上取得重大突破。电子五金材料和生产加工;精密五金塑胶工装夹/治具设计与制造;抄数绘图;电子
久,目前手持测距仪的研发已取得重大突破。手持测距仪方案业已成熟,可提供批量生产。目前做出来的产品,性能跟距离上,可与徕卡媲美。低端40米,中端70米,高端100米都有很好的方案提供。有“中国徕卡”之称
有限元分析软件设计,从箱体至零配件,都采用模块化设计,适合大规模生产半成品库存,有利于快速交货和灵活选型. 公司在叉车属具专用减速机、汽车检测线专用减速机以及化工搅拌减速机领域取得重大突破。强大的设计能力为客户提供非标设计.
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是工业电子开关、国际项目合作等领域取得了重大突破,同国内(外)等多家企业建立了良好的、固定的合作关系。“用心做事、诚信做人、服务大众”是公司发展的宗旨!