资讯
3D NAND到底行不行，一文读懂3D NAND的神话与现实(2017-07-07)
NAND 的快速增长，3D 位产量正在超过 2D 位产量。在这篇文章中，我们将仔细探究 3D NAND 技术，并会对 3D NAND 和 2D NAND 的成本进行比较。
东芝和三星在 3D......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？下面，我们......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
体行业观察本周宣布正式合并中国台湾地区台塑旗下存储厂华亚科的美商存储大厂美光 （Micron） 在 15 日表示，由于该公司的 3D NAND 闪存产能日前正式超过 2D NAND 闪存。其中，包括第 1 代 3D NAND 闪存的成本也符合预期，堆叠......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD(2016-12-16)
于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，今年第三季度NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂的季度营收增长19.6%，利益......
全球厂商3D NAND Flash进度一览，三星进步神速(2017-02-27)
全球厂商3D NAND Flash进度一览，三星进步神速;
来源：内容来自经济日报，谢谢。
去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
用来解决固态存储未来的成本、空间和能耗等问题。该款SSD将首先用于数据中心产品，具体发布和上市时间待定。
从闪存结构来看，为满足各时期的市场需求，NAND Flash技术已从2D NAND升级到3D NAND......
arm920t中S3C2440、S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
用DMA通道；
USB2.0 OTG控制器；
内部视频解码器，包括MPEG4、H.264、H.263等视频格式；
内部视频加速器，包括2D和3D处理。
Tvout和S-Video输出......
Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器(2016-10-20)
是为什么它不支持SLC和2D MLC NAND的原因。配备88NV1160控制器的3D QLC SSD的最大容量有望达到1 TB，足以支持入门级SSD（以及用于平板电脑、超极......
S3C2440,S3C2450和S3C6410的区别(2023-02-02)
控制器；
内部视频解码器，包括MPEG4、H.264、H.263等视频格式；
内部视频加速器，包括2D和3D处理。
Tvout和S-Video输出。
内部LCD、UART、SPI、I2C、Camera......
Flash缺货，存储器成为三星的摇钱树(2016-12-01)
此三星计划减少 35% Wafer的市场供应量，以足够充足的 NAND Flash产能满足苹果的需求。
同时，因三星华城Fab16转产 48层 3D NAND，导致 2D NAND产能减少，再加......
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层(2023-05-10)
推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。
3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb......
SK 海力士正式开枪！砸27 亿美元扩产(2016-12-23)
走扬
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
%。
工艺方面，传统NAND Flash是2D结构的，近些年，3D结构兴起，且大量蚕食2D NAND市场，3D NAND通过多层垂直堆叠技术，既能够提高单位面积存储密度，又能......
东芯股份回复科创板二轮问询，谈及产品未涉及3D NAND领域的原因(2021-03-27)
模块和集成度要求较高的终端系统运行模块等。
目前，东芯股份尚未在3D NAND领域布局。对此上交所要求东芯股份说明，目前产品未涉及2D MLC/TLC、3D NAND领域的原因，是否......
涨价停不下来？浅析SSD涨价的背后原因(2016-10-27)
分析此轮固态硬盘乃至整个存储行业价格上涨的背后原因，同样的，以下观点仅能代表笔者个人的见解。
3D NAND替代2D NAND，量产不足
在分析固态硬盘价格上涨的原因之前，我们先得明确一个观点，即固态硬盘产品，乃至整个存储产品中，刨去技术、营销......
盘点华为/小米/OPPO/VIVO手机里的DRAM和NAND供应商(2022-04-14)
和176L芯片。
大多数情况下，中国智能手机使用主要NAND芯片制造商的92L/96L和128L TLC 3D NAND芯片。
去年年初一些 2D eMMC NAND 芯片，例如小米 Redmi 9A......
都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？(2016-10-12)
产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。
传统的2D-NAND如果......
NAND Flash 供不应求，第三季品牌商营收大幅季成长 19.6%(2016-12-01)
旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端 2D-NAND 转进 3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季 NAND Flash 开始涨价，使得......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
上
随着AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品（如SSD）的需求，与传统平面架构2D NAND Flash相比，3D NAND Flash、4D NAND Flash可提......
三星2017年投资近百亿扩充存储产能，涨价潮将缓解？(2017-03-09)
据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。
目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
求，与传统平面架构2D NAND Flash相比，3D NAND Flash、4D NAND Flash可提供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求，因而......
第四季 NAND Flash 缺货状况更明显，价格续扬(2016-10-18)
三星外的其他厂商均面临良率提升不易及生产效率低落等因素影响，再加上 2D-NAND Flash 的供给在转进 3D-NAND Flash 后下滑，多数属 2D-NAND 的 eMMC／eMCP 在第四季强劲的智能手机需求下排挤了渠道端模组厂商的供货，也使......
第四季 NAND Flash 缺货状况更明显，价格续扬(2016-10-18)
三星外的其他厂商均面临良率提升不易及生产效率低落等因素影响，再加上 2D-NAND Flash 的供给在转进 3D-NAND Flash 后下滑，多数属 2D-NAND 的 eMMC／eMCP 在第四季强劲的智能手机需求下排挤了渠道端模组厂商的供货，也使......
大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩(2016-12-26)
厂都有持续扩充NAND Flash芯片计划，不过在各家从2D转3D NAND芯片，因制程难度高，造成供应不足，使今年NAND芯片供应短缺，预料随3D NAND芯片下半年制程逐步顺利，缺货......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
买了使用、修改这些设计的永久性许可。美光与英特尔的珠联璧合一方面是抵御三星与东芝的冲击，另一方面则是押注未来，全力进军3D NAND。
四
新起点
1984年是2D NAND的起......
长江存储或将在2024年退出3D NAND市场(2022-12-21)
长江存储或将在2024年退出3D NAND市场;
据业内消息，在上周被列入美国实体名单后，或将在2024年退出3D NAND市场。
因为未来长江存储很难从美国采购制造设备、零部......
3D X-DRAM技术问世，可生产230层128Gbit DRAM(2023-05-06)
一个基于无电容器浮体单元 (FBC) 技术的类似3D NAND的DRAM单元阵列结构，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代2D DRAM市场。
据NEO介绍，其3D X-DRAM技术可以生产230层的......
3年前一场大火内存狂涨 如今SSD跟着学坏(2016-12-27)
等原厂颗粒提供商在由2D NAND转产3D NAND中，跟进不足所致，目前仅三星进度最快、产能尚可。
据外媒报道，第二大闪存商SK海力士宣布，将在韩国Cheongju清州兴建一座新的NAND Flash工厂，用以......
手机供应链缺货危机何时休？(2016-10-18)
Research的调查，DRAM只是规律性的在Q4 有缺货。
Nand：
与DRAM相同，手机厂商对Nand的容量的配置也在不断的提升。而供应商现在都在从2D Nand向3D Nand制程转换，3D......
西部数据、铠侠闪存芯片被污染事件后续：部分厂家停止接单，SSD成本价上涨？(2022-02-14)
其日本两家工厂停工。铠侠预计传统2D闪存的出货不会受影响，而3D NAND闪存是主要受影响的产品。目前这两家公司也尚不清楚，工厂中断的影响会有多严重，同时也未给出何时恢复生产的声明。
据铠侠透露，自2022年1月下......
中国大陆存储芯片产业“炮台”已搭起(2016-10-18)
存储芯片技术主要由Samsung、SK 海力士、美光、东芝、Intel等国际大厂垄断。闪存方面，随着2D-NAND制程工艺来到摩尔定律的极限，各巨头厂商纷纷开始着手开发3D-NAND技术，三星32层与48层3D V-NAND产品......
三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发(2024-01-29)
SDRAM 产品都是 16Gb 产品，SK 海力士也是 16Gb 产品。
基于 2013 年全球首款 3D 垂直结构 NAND（3D V-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导 DRAM......
集邦拓墣大预测研讨会，聚焦 2017 年关键零部件涨势(2016-11-10)
将是不错的一年。
2017 年 3D-NAND Flash 进度为 Flash 产业重要关键
2016 下半年正值各家业者积极转进 3D-NAND 之际，但 2D-NAND 产能......
存储价格持续高扬，厂商能否拿到货就各凭本事了(2017-02-11)
是因为供应商供货缺口还在，缺货情况下，造成价格持续上涨。
NAND 方面，受惠智慧手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所造成的整体产出减少，去年NAND Flash 开始涨价，DRAMeXchange......
被垄断的NAND闪存技术(2023-07-20)
每个单元的电压状态数量意味着划分每个存储单元的电子存储容量。每个状态的电子较少会增加可变性并破坏可靠性。2D NAND 已经通过 TLC 技术达到了这一极限，而 3D NAND 也正......
晶圆级拆解英特尔Optane 3D XPoint存储器，探索黑科技！(2017-06-27)
尔Optane XPoint存储器芯片的每颗晶粒可储存128Gb，较目前2D与3D TLC NAND商用产品的储存密度略低，如图1所示。美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每......
铠侠、西数原料污染影响，NAND Flash价格Q2恐涨5~10%...(2022-03-30)
及平板等消费性产品需求持续疲弱，使得中低容量的eMMC产品需求保持低档。尽管主要供给低容量的2D NAND产出并未受到原料污染影响，但仍改变了整体市场议价氛围，再加上供应商缓步减少2D产能......
SSD价格上涨5~10%。
eMMC部分，包含电视、Chromebook及平板等消费性产品需求持续疲弱，使得中低容量的eMMC产品需求保持低档。尽管主要供给低容量的2D NAND产出......
存储元器件涨价超50%，日韩供应商的阴谋？(2017-06-20)
进行制程转换，目的是将主要产能从2D NAND制程转向生产3D NAND。2017年，三星新工厂Fab 17和Fab 18都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升。
中国闪存市场China......
存储芯片：“跌跌不休”何时停？(2023-09-25)
驾驶和物联网在内的新兴行业的迅猛发展，这些细分市场都将继续推动NAND市场的前行。
同时，该行业的资本支出仍然很高，以支持NAND架构从2D向3D的转变和持续的层数增长。随着供应商继续推进其3D NAND路线图，不断......
三星新设内存研发机构：建立下一代3D DRAM技术优势(2024-01-30)
区块），大家常见的逻辑容量主要包括8GB、16GB、32GB这些，但也有128GB的服务器级内存，其中就使用了不等数量的DRAM芯片。
基于2013年全球首款3D垂直结构NAND（3D V-NAND）商业......
2019年第三季NAND Flash厂商营收季增10%(2019-11-25)
达到39.87亿美元，较第二季成长5.9%。
从产能分析，三星仍照原计划逐季缩减Line12的2D NAND产品，并在持续转进新制程的同时，维持相同的3D NAND投片规模。在新产能方面，西安......
东芝发布新一代BiCS FLASH全球首款256Gb、48层堆叠闪存(2015-08-19)
目前世界最尖端的48层堆叠工艺，超越主流2D NAND闪存的容量，同时提高了可写入/擦除次数及可靠性，并提高了写入速度。
自2007年在全球首次推出了3D堆叠式结构闪存以来注3，东芝......
全面向3D进发，NAND和DRAM创新技术迭出(2023-07-25)
全面向3D进发，NAND和DRAM创新技术迭出; 过去三年，存储市场波动持续影响着整个半导体行业。由于2019年DRAM和NAND的价格下跌近50%，导致收入暴跌超过30%。然而，尽管2020年全......
杨士宁：长江存储2020年赶上世界前端(2017-03-15)
导体存储器技术分类来看，目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95%。未来10年，IBS数据预计，NAND闪存储存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其......
探索中国存储器产业发展道路(2017-03-15)
技术正在到来，到2025 年，中国希望能够自主解决本土的50% 左右的DRAM 和NAND 需求。”
以3D NADN 闪存为例，2015 年，中国企业的产品还是以2D NAND 为主，约占......
千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局(2024-01-31)
3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？
如何理解3D DRAM？
DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
现，比以往的2D NAND Flash提供了更大存储空间，满足了业界日益增长的存储需求，因而成为主流。
目前3D NAND Flash已经突破200层，大厂方面，三星第8代V-NAND层数达到了236......
后疫情时代需求爆发，半导体存储产业迎来新的曙光(2024-01-05)
个存储单元存储的数据只有1位，MLC、TLC 和 QLC每个存储单元存储的数据分别为2、3、4 位，存储密度梯度提升。传统NAND Flash为平面闪存（2D NAND），3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有......
全球NAND闪存市场竞争局势白热化(2022-05-20)
也从最初的4Mb增加到1.33Tb，实现了333,000倍的增长，并且实现了从2D NAND向3D NAND的技术演变。
经过35年跌宕起伏的发展后，随着近年来大数据、云计算、元宇......
相关企业
PROM、FLASH存储器（NOR 和NAND）、BPROM、NVRAM、SPLD、CPLD、EPLD、单片机、MCU、Nand flash、iNand； 2、可测试IC品牌：AMD、SST
;深圳市首质诚科技有限公司;;主要代理经销片状的元器件，有TDK和YAGEO的电容电阻，美国KEMETH和AVX的钽电容，TOREX的MP3电源IC,ROHM 、PHILIPS、MOTOROLA品牌
HY27UF082G2B SAMSUNG K9F1G08ROB 1G NAND FLASH 1.8V SAMSUNG K9F1G08UOB-PCBO 1G NAND FLASH NAND01GW3132BN6E 2G
;JOJO;;NAND /NOR FLASH.各类存储IC
;杨青德;;ASIC 设计, IC 销售, NAND FLASH,NOR FLASH 销售
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;亿凌克电子有限公司;;亿凌克电子有限公司主要从事HYNIX，NANYA等品牌的SDRAM DDR 和NAND FLASH等产品的代理，渠道广泛，货源充足，由于客户基础比较好，因此需求也很多，所交
;深圳德盛科技有限公司;;公司主要以 NAND FLASH SDRAM/MCP为主.
;深圳市比亚泰科技有限公司;;长期求购NAND Flash，闪存芯片
◎MCP：NOR+SRAM(PSRAM)系列:32+4/32+8/64+16/64+32/128+32等. NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系列:128+512+32/128+512+64/128