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NAND Flash缺货,加上 SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到 2017Q1。
根据DIGITIMES的报导, NAND Flash缺货,加上 SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到 2017Q1以后。估计 2017年 DRAM供应量成长率是 15%,比 2016年的 32%低很多,而 Flash更是从 67%暴跌至 35%。更值得注意的是, 2016年投资金额为 10兆韩元的记忆体产业, 2017年将增加至 13兆韩元,其中 4兆韩元用于 DRAM, Flash则约 9兆韩元,远不如原先估计的 15兆韩元。意思是“产业景气看好,长期投资策略趋于保守”, Why ?
日经新闻29日也报导,使用于智能手机、存储卡的 NAND型快闪存储器 (Flash Memory)批发价格进一步走升, 10月份指标性产品 MLC(Multi-Level Cell)类型 64Gb产品价格月增约 6%至每个 3.3美元左右、为 2年来首度突破 3美元关卡, 128Gb产品也月增 1%至 4.1美元左右。因生产技术提升,存储器价格一般来说都会随着时间推移而下滑、因此价格扬升至 2年前水准是很罕见的。
需求看涨、价格看俏,竞争对手仍未造成威胁,很容易理解三星在记忆体上的保守投资策略。
据报导,调查公司IHS Technology预估, 2016年 NAND出货量至少将年增 2成, IHS首席分析师南川明指出,“截至年末为止, NAND价格恐持续维持在高档”。
报导指出,市场普遍认为,价格持续高涨的“ NAND泡沫”恐会在明年 (2017年 )结束。
三星半导体部门的获利,从原先第二季的2.5兆韩元,巨幅成长到第三季的 3.66兆韩元,对整个三星电子集团获利的贡献值,从原先的 31.7%,在三星爆发 Note 7事件之后,暴增到 70.7%。对三星而言,半导体的获利,正好填补手机部门的获利空间。命好不怕运来磨,手机出事,但半导体却迎来丰年,明年的三星电子还是活龙一尾!
三星可怕的NAND FLASH 份额
三星是全球最大 NAND Flash 供应商
2016年 Q1三星营收和营业利润虽然分别增长 5.6%和 12%,但 Memory营收同比下滑 4.6%,半导体营业利润更是同比下滑 10.2%,主因 DRAM和 NAND Flash市场价格下滑,导致产品获利降低。三星在财报中表示,将扩大销售 V-NAND服务器 SSD等高密度产品以及增加 14nm工艺技术产品出货,提高盈利能力。
另外为了 为了获得更好的生产效益以及提高成本竞争力,三星除了将2D NAND 工艺从 16nm 逐步切换到 14nm 量产外,还将韩国华城 Fab16 的 16nm 2D NAND 改造成 20nm 48 层 3D V-NAND 产线,预计在 Q2 改造完毕。
基于3D NAND性能和容量优势,三星 3D V-NAND产能将主要用于需求快速增长且利润较高的 SSD,以及生产 256GB大容量 UFS 2.0和闪存卡产品,而且三星 48层 3D V-NAND已经通过了苹果认证,新 iPhone搭载的 256GB容量由三星独家供应,预计 Q3开始供货,也因此三星计划减少 35% Wafer的市场供应量,以足够充足的 NAND Flash产能满足苹果的需求。
同时,因三星华城Fab16转产 48层 3D NAND,导致 2D NAND产能减少,再加上智能型手机主流需求由 16GB向 32GB以上转移,以及旗舰智能型手机对 128GB大容量 UFS 2.0的需求,三星 Galaxy Note 6也有望搭载 256GB容量,预计三星不仅 16GB以下低容量嵌入式产品 eMMC/eMCP市场供货有限,对整个市场的 NAND Flash供货都将不太富裕。
三星近2年来受移动业务下滑影响,整体营收利润持续表现负增长,而且近一年股价跌幅 15%,在 2016年,三星将 2D NAND工艺从 16nm逐步切换到 14nm量产来提高成本效益。
若三星采用16nm 工艺,每片 12吋晶圆大约可切割 522颗 128Gb NAND Flash Die,单颗 128Gb Die市场价格大约在 1.95美金,推算 Wafer的销售价格在 1000美金,按照原厂 1500美金含利润的 Wafer成本,显然三星 16nm工艺的 NAND Flash处于亏损状态。三星半导体是在用 DRAM的优势产生的利润来补贴 NAND Flash的亏损。
若三星采用14nm工艺,虽然每片 Wafer晶圆产量可以增加 17%,但市场价格仍在 1.95美金左右,还是亏损销售,并没有给三星带来更好的成本效益。
另外还需要提一下 ,全球第2 大NAND Flash厂商东芝31日发布新闻稿宣布,因智能手机用存储器、PC/游戏机用HDD需求持续强劲,故今年度上半年(2016年4-9月)合并营收目标自原先预估的2.55兆日圆上修至2.58兆日圆、合并营益自700亿日圆上修至950亿日圆、合并纯益也自850亿日圆上修至1,150亿日圆。
看到了没 , NAND FLASH 主要掌握在日韩手里 , 说涨价就涨价 , 这下子你明白中国建存储的必要性了吧
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