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需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样面临缺货。先前调研机构集邦科技、IHS都预估，明年记忆体价格下跌不易，且有一定的成长，现在厂商也开始蠢蠢欲动，先前扩产消息频传的SK海力士也正式宣布砸总计约3.15兆韩圜（约27亿美元）建新厂、扩产能。
韩国大厂SK 海力士在去年8 月M14 厂完工典礼上，表态要在十年内，于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而今22 日SK 海力士公布了最新的新厂投资计画，SK 海力士表示，新厂将座落韩国清州市科技城，将于下个月展开设计、明年8 月开始外壳结构与无尘室建构，并于2019 年6 月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计画而定，可以确定的是，新厂总投资金额将来到2.2 兆韩圜，主要用于NAND Flash 产能的布建。
韩国清州自2008 年以来，即为SK 海力士NAND Flash 生产的大本营，海力士新建的利川M14 厂虽将于明年转进3D NAND Flash 量产，但官方进一步指出，为了因应接下来3D NAND Flash 渗透率持续攀升、加以建厂时需两年，因此决议提前新建厂房布局。
而DRAM 市占的扩展SK 海力士也没打算放过，SK 海力士22 日同日也宣布，扩张中国无锡厂DRAM 产能，官方指出，无锡厂已占海力士DRAM 产能的一半，将在2017 年7月至2019 年4 月期间，投资9,900 亿韩圜扩增无尘室提升产量。
调研机构IHS 近日发布报告预估， 2017 年DRAM、NAND Flash 平均销售价格（ASP）分别有11%、10% 的增长，总产值来到853 亿美元，到了2020 年整体记忆体产值估计能突破1,000亿大关、2021 年达到1,100 亿美元。2016~2021 年记忆体市场年复合成长率约在7.3%。
报告指出，2015 年PC 市场大衰退、存货激增、新兴应用无法带来爆发性的成长，记忆体市场黯淡，整体而言也衰退了3%，2016 年上半，记忆体市场同样维持衰弱的态势，即便2016 年下半市况好转，2016 全年整体记忆体市场估计仍年衰退1%，总产值约773 亿美元。
记忆体ASP 在2015 年跌了3%，在2016 年又跌了10%，不过，IC insights 估计，2017 年DRAM ASP 能有11% 的增长，而NAND Flash 是今年唯一成长的记忆体类别，明年也有望有10% 的成长。
总体而言，明年记忆体IC 产业有10% 的成长，产值来到853 亿美元刷新历史新高纪录，且未来将逐年成长，2020 年能突破1,000 亿大关、2021 年达到1,100 亿美元。2016~2021 年记忆体市场年复合成长率约在7.3%。
2017年NAND产能成长有限、价格走扬
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下，业者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程转进，整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%，而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下，多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标，因此，DRAMeXchange预估，自2017年第一季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快，至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。
然而，在3D-NAND的进展上，64层堆叠的3D-NAND Flash在良率与eMMC/UFS、用户级SSD、企业级SSD等OEM产品的导入上，挑战性皆增加，因此明年3D-NAND在64层堆叠的产品成熟前也将维持供应吃紧的状况，最快要到2017年第三季起才有机会成熟量产出货。
从需求端来看，由于智慧型手机成长放缓、平板电脑出货持续衰退，相关行动式NAND的需求成长动能将改由平均搭载量(Content per box)来驱动，而在新款iPhone出货主流为128GB下，其他智慧型手机品牌也加速提升eMMC/UFS的容量来提高产品竞争力。
DRAMeXchange预估，2017年第四季全球笔电出货的固态硬盘渗透率将超越50%，且企业级SSD的需求也随着伺服器/资料中心的需求强劲成长而快速上扬，再加上固态硬盘的平均搭载量也持续增加，使得2017年整体固态硬盘需求成长率将高达60%，所消耗的Flash比重也将正式站上40%大关，为各项NAND Flash终端需求中表现最强劲的应用。
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