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农历年收假后迄今(10) 日正式开工一周，存储相关厂商检视年节期间销售与年后补货后发现，整体需求畅旺，DRAM 与NAND 供应持续吃紧，价格续扬。
由于芯片吃紧状况延续，掌握芯片的南亚科( 2408-TW )、华邦电( 2344-TW )最吃香；下游模组厂威刚( 3260-TW )等，也看好整体营运。
威刚指出，DRAM 及NAND 本季都还是会缺货，客户需求也是很稳定；但是DRAM 可能在第2 季下半受淡季影响，表现相对NAND 为弱，现在看NAND Flash 在第2 季还是吃紧。威刚表示，1 月的需求不错，现在虽然通路要消化库存，但是应该不会会缩小太多。
DRAM业者对今年上半年展望正向看待，南亚科( 2408-TW )在农历年前召开法说会，针对价格走势，总经理李培瑛指出，上半年DRAM价格预期将相对稳定，第1、2季报价可望逐季上扬，第3季要看其他DRAM供应商是否扩充产能，如果有的话可能对产业供需造成影响，但全年仍可望供不应求。
在供给短缺情况未解下，TrendForce 存储储存研究DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，农历年后DRAM 供货还是很紧，在厂商准备安全库存的情况下，买方备货拉高，推升存储在传统淡季的第1 季出现价格平均近3 成涨幅的热况。
NAND 年后供应同样紧俏，DRAMeXchange 研究协理杨文得预估，第1 季价格涨幅约10-15%，今年一整年都将呈现供货吃紧的情况。
受惠全球智慧手机与伺服器市场需求强劲，全球三大DRAM 厂三星、SK – 海力士、美光的产能陆续从标准型存储转进行动式存储与伺服器用存储上，带动去年上半一路走跌的标准型存储价格在去年第4 季单季飙涨逾30%，并牵动其他DRAM 产品价格走扬。
吴雅婷指出，今年第1 季DRAM 涨势持续，由于买力拉高备货，推升首季价格强涨，整体平均销售价格上涨近3 成，其中，PC DRAM 上涨3 成、伺服器DRAM 上涨2.5 成、行动式DRAM 上涨2 成。
她表示，在厂商准备安全库存下，年后的供给还是很紧，除了第1 季价格涨的凶，预估第2 季还是会持续涨价，目前还看不到跌价的趋势，主要是因为供应商供货缺口还在，缺货情况下，造成价格持续上涨。
NAND 方面，受惠智慧手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所造成的整体产出减少，去年NAND Flash 开始涨价，DRAMeXchange 研究协理杨文得指出，从去年3 月起涨点推算，NAND Flash 涨幅达7 成，今年第1 季仍然持续上涨，预估涨幅约达10-15%，涨势在第2 季也将持续，甚至，今年一整年都可望维持上涨，只是涨幅不会再像去年那么大。
杨文得表示，农历年后的销售在手机、笔电、伺服器的需求不错推升下，受限于2D-NAND 转进3D-NAND 造成整体产出减出，因此在供货上仍然很紧；由于厂商每季谈判，在供货吃紧下，加上价格一直涨，厂商开始反应吃不消，可能会在用量上减少或是大容量的产品也少一点。
他分析，以目前威刚、创见、宇瞻等一线模组厂来说，在价格及供货的谈判上具有一定的优势。
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