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支持记忆存储32千兆字节（256千兆）在一个单一的芯片，新的芯片也将很容易翻番三星的SSD现有阵容的能力，并提供TB级SSD来说，是理想的解决方案。 三星推出了其第二代V-NAND（32层3位MLC V-NAND......
-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，采用双堆栈技术后，256层堆叠是可能的。” 三星方面还表示，芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。 封面图片来源：SK海力士......
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层;5 月 10 日消息，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日......
解密长江存储，靠啥打破全球存储垄断格局？; 昨日，长江存储官宣，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满......
达克股票代码：MU）今日宣布开始送样增强版通用闪存（）4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术， 4.0解决......
宣布开始送样增强版通用闪存（UFS） 4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装 (9 x 13mm) 。基于先进的 232 层 3D NAND 技术， 美光......
13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 美光......
13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 美光......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证;近年来，手机，相机等消费设备使用NAND的需求不断增加。更高密度的NAND芯片，能加速数据密集型环境和工作负载，例如人工智能 (AI) 引擎......
美光官宣，业界首款232层NAND量产;NAND Flash层数竞争愈演愈烈，继176层NAND之后，各大原厂瞄准200层以上NAND技术，其中美光科技率先突破，三星、铠侠等也在蓄势待发。 1......
三星完成突破性400层NAND技术开发;近日，据市场最新消息，三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一......
间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。虽然该款堆叠层数仅为24层，但在当时却打破了平面技术的瓶颈，并使3D NAND Flash从技术概念推向了商业市场。 2014年，SanDisk和东......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存; 【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 · 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产;据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238......
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品;·SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕;IT之家 10 月 10 日消息，市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星......
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线;目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。报道称，三星......
厉害了，海力士72层存储2017量产; 版权声明：本文来自MONEYDJ，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存; 【导读】SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产; 【导读】SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次......
集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。 从技术开发的时间点来看，2017年7月，长江存储32层3D NAND闪存设计完成；2017年11月，长江......
三星即将量产290层V-NAND闪存; 【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？;SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND Flash产品......
日在旧金山举行，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。本文引用地址：根据会议公开内容：届时将展示其 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术，其中  IT之家......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货;12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。 据官......
三星 64 层 3D NAND Q4 开卖，还要推 100 层; 近来东芝（Toshiba）、美光......
业界最高层数，SK海力士宣布量产238层 4D NAND 闪存;6 月 8 日消息，SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。 SK 海力......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;• 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证• 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力• "以NAND技术......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续; 【导读】尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存......
长江存储开始供应232层QLC 3D NAND 技术实现再次突破;近日，知名半导体行业观察机构TechInsights称其在一款电子产品中发现了世界上最先进的，并称这颗芯片来自中国制造商。这是......
供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求，因而逐渐受到大厂重视。 目前3D/4D NAND Flash已经突破200层，三星第8代V-NAND层数达到了236层；美光232层NAND Flash已经量产出货；今年......
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产; 11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。 SK海力士表示，公司从2023......
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？;据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;· 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证 ·以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力 · “以NAND技术......
布试行全新定价机制“远期定价协议“，以稳定存储器行业价格。 技术路线图曝光，1β DRAM、232层3D NAND将亮相 美光目前已经出货1α DRAM与176层NAND闪存，这两......
层数将达到280层。 三星280层NAND来了 层数之战尚未结束 据悉，三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb，最大传输率可达3.2 Gbps，比目前最好的QLC产品（2.4......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层;8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿......
三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存：沿用双层堆栈架构，超 300 层;IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，电子计划明年生产第 9 代 V-NAND ，将沿......
逐渐受到大厂重视。 目前3D/4D NAND Flash已经突破200层，三星第8代V-NAND层数达到了236层；美光232层NAND Flash已经量产出货；今年3月铠侠和西部数据共同宣布推出218层3D......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存;· 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应 · 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。 对DRAM芯片而言，先进......
美光出货首款176层UFS 3.1 将于荣耀Magic3全球首发;今日（7月30日），据美光科技官微消息，公司已开始批量出货全球首款基于176层NAND技术的通用闪存UFS 3.1......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验;2021 年 7 月 30 日，中国上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光......
三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片，采用双堆叠工艺; 【导读】据电子时报报道，为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D......
Flash堆叠技术，以图未来。 目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，产业身处下行周期，但大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。本文引用地址：对芯片而言，先进......

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