三星电子批量生产首款256千兆,3D V-NAND闪存
韩国首尔 - (美国商业资讯) - 三星电子有限公司,世界领先的先进的存储技术,今天宣布,它已开始批量生产业界第一款256千兆(GB),三维(基于48层的3位多级单元(MLC)阵列用于在固态驱动器(SSD)的3D)垂直的NAND(V-NAND)闪存。
“随着我们推出的第三代V-NAND闪存的全球市场,我们现在可以基于改进的性能,功耗利用率和生产效率提供最佳的先进的内存解决方案,具有更高的效率,从而加速高增长性能和高密度的SSD市场,“杨铉俊,内存业务的总裁,三星电子表示。 “通过充分利用三星V-NAND的优良特性,我们将扩大我们的优质级业务的企业和数据中心的细分市场,以及在消费市场,同时继续加强我们的战略重点固态硬盘。”
三星新推出的256GB 3D V-NAND闪存双打常规128GB的NAND闪存芯片的密度。除了支持记忆存储32千兆字节(256千兆)在一个单一的芯片,新的芯片也将很容易翻番三星的SSD现有阵容的能力,并提供TB级SSD来说,是理想的解决方案。
三星推出了其第二代V-NAND(32层3位MLC V-NAND)芯片在2014年八月在短短一年内推出了其第三代V-NAND(48层的3位MLC V-NAND)芯片在继续领跑3D时代的记忆。
在新的V-的NAND芯片中,每个小区利用相同的3D电荷捕获闪存(CTF)结构,其中,单元阵列垂直层叠,以形成被电通过约180十亿通道孔相连通的阵列冲孔48层高的质量由于采用了特殊的蚀刻技术。总之,每个芯片包含超过85.3十亿细胞。它们每个可以存储数据的3位,结果256十亿比特的数据,换言之,256GB片上不超过一个指尖大。
一个48层的3位MLC 256GB V-NAND闪存芯片提供超过功率降低了30%,比32层,3位MLC,128GB V-NAND芯片,数据存储相同数量的时候。在生产过程中,新的芯片还实现了大约40%以上的工作效率,与32层的前辈,能带来多大的提升成本竞争力的固态硬盘市场,而主要是利用现有的设备。
三星计划生产第三代V-NAND整个2015年剩下的时间,使更多的加速采用TB级SSD的水平。虽然目前固态硬盘的引入与两个TB的密度及以上的消费者,三星还计划增加具有领先优势的PCIe NVMe和SAS接口的高密度固态硬盘的销售,为企业和数据中心的存储市场。
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