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三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存(2023-08-30)
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存;
【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？(2023-08-31)
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？;据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
产256Gb（32GB）TLC 3DNAND。
2020年4月份，长江存储宣布推出128层堆栈的3D闪存。该公司称128层QLC 3D闪存（X2-6070）是业内首款128层QLC规格3D NAND......
制程竞赛提速，SK海力士完成176层NAND闪存开发(2020-12-08)
为4D NAND第三代，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，成本竞争力有所提升。此外, 公司明年中开发出的176层NAND Mobile Solution产品可使数据的最大读取速度提高约70......
三星明年将升级NAND核心设备供应链(2023-08-31)
是中国西安工厂估计不足50%，该工厂主要生产128层NAND。
由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著 —— 也就是说，这将快速减少128层产品库存。三星之所以不停止生产，而是......
长江存储发布严正声明，回应产能传闻(2021-01-13)
设计并实现量产的闪存产品。
2020年4月，长江存储正式宣布，其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，还同时发布了128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30......
2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展(2024-06-19)
2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展;
【导读】据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示，铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构，最近升级到162层......
2021年NAND Flash市场竞争或加剧(2020-04-22)
2021年NAND Flash市场竞争或加剧;根据市场研究机构TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在第一季将128层......
涉专利侵权！中国芯片大厂起诉美国芯片巨头！(2023-11-13)
“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场......
慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND(2020-09-11)
Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存......
三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产(2023-08-16)
发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。
值得注意的是，第6代128层......
长江存储或将在2024年退出3D NAND市场(2022-12-21)
件以及技术支持，这意味着它无法增加产量或改进其产品。
将其列入实体清单的阻止了长江存储提供能够制造超过128层的NAND的设备，同时也结束了其升级路径，尤其其232层NAND上实......
三星或计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产(2023-08-15)
发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。
值得注意的是，第6代128层V-NAND系列......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
数之争已持续数年，NAND厂商早已吹响冲锋集结号，这一路也取得了不少的成就。
自2012年24层BiCS1 FLASHTM 3D NAND Flash之后，铠侠还研发出了48层、64层、96层、112层/128层......
2020年NAND Flash产业营收达567亿美元，六大厂商未来规划曝光(2021-03-04)
在西安二期持续扩产外，也将开始在平泽二厂布建3D NAND生产线。产品方面，目前仍以V5（92L）为主要供给，但今年会大幅拉升V6（128层）的比重，将扩大应用在SSD以及UFS等产品。
* 铠侠......
美光官宣，业界首款232层NAND量产(2022-07-27)
之外，三星电子、西数、铠侠等原厂也在积极推进闪存层数迭代。
今年2月韩媒报道，三星电子将在2022年底推出200层或以上的第八代NAND闪存。业界透露，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出......
SK海力士发布2021财年第二季度财务报告(2021-07-27)
带动了业绩的改善。另外，第二代(1y)和第三代(1z)10纳米级DRAM、128层NAND闪存等尖端工艺产品销售的好转，促使公司的成本竞争力进一步提高。由此，销售额和营业利润较前一季度相比各增加了22%和103......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
层 3D NAND 闪存，在大多数玩家关注 128 层 NAND 的情况下，成为当时全球最高密度的芯片，震惊了市场。去年，美光公司开始大批量生产232层NAND芯片。内存......
阿斯加特首款搭载长江存储128层闪存的PCIe4.0 SSD(2021-07-23)
阿斯加特首款搭载长江存储128层闪存的PCIe4.0 SSD;7月23日，阿斯加特推出新品AN4 PCIe4.0 SSD，采用长江存储128层3D TLC NAND，由深......
SK海力士发布Q1财报，营业利润增长37%达11.7亿美元(2021-04-28)
士将提高128层NAND产品的比重以提高企业级固态硬盘（enterprise solid state drives, eSSDs）的销售，并基于128层NAND产品的经验着手开展176层NAND产品......
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层(2023-05-10)
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层;5 月 10 日消息，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日......
SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”(2022-04-05)
SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”;“独立子公司成立仅三个月，两家公司在NAND事业上的合作全面开始”
SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存......
（128层）的比重，将扩大应用在SSD以及UFS等产品。
铠侠（Kioxia）
华为（Huawei）终止备货后，铠侠在mobile端的位元出货未能透过其他品牌厂商的订单填补，加上......
SK海力士发布2020财年及第四季度财务报告(2021-01-29)
器市况展现了较为低迷的趋势。然而SK海力士成功保障了第三代1z纳米级DRAM及128层NAND闪存等主力产品的稳定生产，并基于品质竞争优势积极拓展服务器市场市占率，其2020年度营收及营业利润较去年分别增加了18......
第二季笔电用client SSD抢先涨价，报价季增3~8%｜TrendForce集邦咨询(2021-03-09)
，产量也因此受到明显冲击。尽管三星NAND Flash wafer未在此投片，然自家SSD主控IC占该厂约10%产能，主要生产的控制IC以PC client SSD为主，直接冲击三星128层PC OEM......
SK海力士企业级固态硬盘再添新产品 预计5月提供给主要客户(2021-04-16)
量产这款PE8110 E1.S，SK海力士在这一领域建立起了完整产品线，这意味着公司在基于128层4D NAND的企业级SSD中具有SATA和PCIe（E1.L，M.2，E1.S）两种......
评选公布| 2020国内存储产业十大“芯”突破(2021-02-05)
评选结果已经出炉，以下十大热点话题成功入选（排名不分先后）。
长江存储正式推出128层QLC 3D NAND 闪存
2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这也......
SK 海力士大连晶圆厂或将或将胎死腹中(2023-04-27)
存储大厂 SK 海力士来说，这样的情况不容乐观，目前 128 层 3D NAND Flash
是主流，但是头部的存储芯片厂商已经迈向了更高的堆叠层数。美光在去年就量产 232 层 3D NAND Flash......
“宇宙的尽头是铁岭”，那半导体科技的尽头在哪里？(2022-05-19)
年底推出200层甚至更多层的第8代NAND闪存，并借此成为第一家通过在128层单堆栈中增加96层来发布224层NAND闪存的芯片制造商。与 176层相比，224层NAND闪存......
全球NAND闪存市场竞争局势白热化(2022-05-20)
士与Solidigm还展开了包括NAND产品研发在内的全面合作。今年4月5日，双方首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。
至于......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
另辟蹊径走出了属于自己的3D NAND独特道路。2013年，三星突破半导体精细加工技术的限制，推出并量产第1代24层128Gb V-NAND闪存，一举惊艳全球。该款采用了全球首个3D单元结构“V-NAND......
被垄断的NAND闪存技术(2023-07-20)
商（市场份额 34%）三星在 NAND 工艺方面落后。当前一代仍然主要是128层，176层NAND仍然只占很小的一部分
这远远落后于 SK 海力士和美光，后者的技术节点超过 200 层。三星......
NAND市场增长，消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正备产 236 层 NAND(2023-10-24)
NAND市场增长，消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正备产 236 层 NAND;
【导读】据外媒报导，美国政府对三星的无限期豁免，对于三星来说这无疑是一个好消息，而且......
2021年第一季NAND Flash仍供过于求，估季跌幅约10~15%(2020-12-14)
水位偏高，后续价格预计仍会持续下滑，因此没有提前备货需求来支撑整体采购动能。从供给面来看，NAND Flash大厂仍积极提供最新128层样品送测，加上第二家美系厂商的QLC SSD也与此同时开始放量，使供......
三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%(2023-09-13)
128层堆叠第六代V-NAND作为其主要技术，但目标是提高176层和236层NAND供应比例。因此，放弃生产采用成熟工艺制造的第五代V-NAND产品在预料之中。
随着......
江波龙亮相中国移动全球合作伙伴大会，共探高算力存储机遇(2023-10-23)
级固态硬盘（eSSD）方面，ORCA 4836系列NVMe SSD采用128层TLC NAND国产颗粒，支持PCIe 4.0接口与2.5inch U.2形态，拥有1DWPD与3DWPD的耐用等级选项，可适......
数据中心需求强劲，第一季NAND营收增长8.3%(2020-06-03)
%，平均销售单价则上涨约4%。第一季NAND Flash营收达到45.01亿美元，较前季持平。
在制程方面，Samsung持续提升92层产品占比，并预计今年导入128层产品至各类应用，以维......
三星电子推出2TB 850 PRO和850 EVO固态硬盘(2015-07-08)
硬盘850 PRO和EVO驱动器保持在相同的7毫米，2.5英寸的铝合金外壳像他们的前辈那样。配备了三星先进的芯片解决方案，其中包括128个人的三星32层128GB 3D V-NAND闪存芯片，可支持2TB......
全球企业级SSD厂商营收排名出炉(2022-09-01)
在Flash Summit发表CXL 2.0产品。
值得留意的是，目前Samsung 128层enterprise SSD的接续产品为236层，但该制程产品量产时程可能在2023下半年，而SK海力......
投入新一代传输规格产品开发，如8月初在Flash Summit发表CXL 2.0产品。
值得留意的是，目前Samsung 128层enterprise SSD的接续产品为236层，但该制程产品量产时程可能在2023下半......
SK海力士发布2021财年第三季度财务报告(2021-10-26)
四季度后首次实现超过4万亿韩元的营业利润。用于服务器和移动应用的存储器的需求增加以及产品价格上涨是季度收入刷新历史最高纪录的主要原因。
SK海力士提高了1znm DRAM和128层4D NAND闪存......
市场复苏，存储产品涨价趋势不变(2023-12-22)
年投放合肥二期及北京二期新厂。
YMTC则自行研发第二代128层NAND Flash制程（X2），并培植本土设备供应链，预计在2024年重启扩产。
目前......
凝心聚力 协同发展：时创意获授长江存储“Xtacking 3D NAND钻石级生态合作伙伴”！(2021-03-29)
的64层3D NAND闪存芯片，2020年再次成功研制128层TLC和QLC 3D NAND闪存芯片，为全球存储器行业的技术创新和生态发展注入了新动力。
倪黄......
斥资90亿美元！SK hynix官宣收购英特尔闪存业务(2020-10-20)
足日益增长的基于存储器的半导体生态系统的需求。
SK海力士于2018年成功开发了全球首款基于电荷撷取闪存（Charge Trap Flash，CTF）的96层4D NAND闪存，并于2019年开发了128层4D NAND闪存。SK海力......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？(2024-04-25)
未来人工智能时代的需求。
三星新闻稿中未公布第九代V-NAND层数，此前业界表示，三星第八代V-NAND闪存为236层，第九代V-NAND闪存预计是290层。
除了三星外，美光、SK海力士、铠侠......
存储原厂交出亮眼财报，2021大动作回顾(2021-11-05)
128层4D NAND闪存等主流产品的良率，并扩大了主流产品的生产比率。
美光科技（Micron）
9月28日，美光科技公布2021年第四季度财报。该季美光实现营收82.74亿美元，同比......
新的跨越！江波龙首款企业级SSD横空出世(2022-12-30)
面向企业级读写密集型和混合型应用场景，由江波龙企业级SSD团队自主研发。
该系列SSD采用128层TLC NAND国产颗粒，支持PCIe 4.0接口与2.5inch......
中微半导体首台8英寸CCP刻蚀设备顺利付运(2021-06-17)
品批量应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线，在部分客户市场占有率已进入前三位。此外，在先进逻辑电路方面，中微半导体已经成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。
在存储电路方面，中微半导体的刻蚀设备在64层及128层3D......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
· 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
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◎MCP：NOR+SRAM(PSRAM)系列:32+4/32+8/64+16/64+32/128+32等. NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系列:128+512+32/128+512+64/128
◎MCP：NOR+SRAM(PSRAM)系列:32+4/32+8/64+16/64+32/128+32等. NOR+NAND+SRAM(PSRAM)系列:128+512+32/128+512+64/128+1Gb
;深圳市兆丰源科技有限公司;;深圳市兆丰源科技主营 EMMC DRAM NAND FLASH等memory器件,涉及品牌包括Samsung,HYNIX,MICRON ,TOSHIBA
640 128 256 512 M29W系列： M29W400 800 160 320 640 128 256 512 NAND系列：NAND128 NAND256 NAND512 JS28F系列
SAMSUNG NOR FLASH+PSRAM 32+16--K5L3216CM-D770/64+32―K5L6331CAA-D270/128+32―K5L2731CAA-D770/128
M25P N25Q M29W M28W NAND JS28F RC28F PC28F MTFC 各种不同容量，不同封装都有；以下常备现货:MT29F系列：MT29F1G08 2G08 4G08 8G08
TOSHIBA TV00570002CDGB 128+32 TOSHIBA（ADMAX）TY5701111183KC04 128+32 TOSHIBA（ADMAX）TY6701111184KC04 128
PDIP XR17D158CV EXAR 0615 LQFP-144 XR17C154CV EXAR 0615 TQFP AN983BBGTV1 INFINEON 0615 MQFP-128-4
;深圳市福田区新亚洲电子市场二期明旺达新电子商行;;深圳市明旺达电子有限公司总部在香港九龙，九龙湾临乐街十九号美罗中心68层：405-409室，研发部在深圳电子科技大厦28C01—28C03室,本公
、16*2、20*2、24*2、40*4.点阵类122*32、128*64、192*64 、128*128、240*128、240*160、320*240。公司秉承"顾客至上，锐意进取"的经营理念，坚持